CMOS静态RAM
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71256S
IDT71256L
产品特点：
高速的地址/片选时间
- 军事：25 /30 /四十五分之三十五/ 55 /八十五分之七十/ 100/ 120 / 150ns的（最大）
- 商业：20 /25/ 35 /为45nS （最大值）低功耗只。
低功耗运行
电池备份操作 - 2V的数据保留
拥有先进的高性能CMOS生产
技术
输入和输出直接TTL兼容
提供标准的28引脚（ 300或600万）陶瓷
DIP ， 28引脚（ 600 mil）的塑料DIP ， 28引脚（ 300 mil）的SOJ
和32引脚的LCC
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该IDT71256是262,144位高速静态RAM
组织结构为32K x 8，它是采用IDT的高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
地址存取时间快至20ns可与
只有350mW的功耗（典型值） 。该电路还
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，
该电路将自动进入，并保持在一个低功率
待机状态下，只要
CS
仍然很高。在全备份
模式下，低功耗器件功耗小于15μW ，
典型的。此功能提供了显著的系统级
电源和冷却的节省。低功率（L）的版本也是
提供电池备份数据保持能力，其中
电路一般工作时掀起了2V功耗仅为5μW
电池。
该lDT71256封装在一个28引脚（ 300或600万）
陶瓷DIP封装， 28引脚300密耳J-弯SOLC ，以及28引脚（ 600
密耳）塑料DIP和32引脚LCC提供高板级
封装密度。
该IDT71256军事RAM是符合制造
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
2946 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年8月
DSC-2946/7
7.2
1
IDT71256 S / L
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
D28-3
P28-1
P28-2
D28-1
SO28-5
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
真值表
(1)
WE
X
X
H
H
L
CS
H
V
HC
L
L
L
OE
X
X
H
L
X
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
功能
待机（我
SB
)
待机（
ISB1
)
输出禁用
读数据
写数据
2946 TBL 02
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
2946 DRW 02
DIP / SOJ
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
Com'l 。
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
A
7
A
12
A
14
NC
V
CC
WE
指数
A
13
T
A
T
BIAS
A
8
A
9
A
11
NC
A
10
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
°C
°C
°C
W
mA
4
3
2
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
T
英镑
P
T
I
OUT
L32-1
OE
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I / O
7
I / O
6
CS
2946 DRW 03
注意：
2946 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间会影响其可靠性。
引脚说明
名字
A
0
–A
14
I / O
0
–
I / O
7
地址
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
2946 TBL 01
I / O
1
I / O
2
GND
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32引脚LCC
顶视图
描述
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
MAX 。 UNIT
11
11
pF
pF
CS
WE
OE
GND
V
CC
注意：
2946 TBL 04
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
7.2
2
IDT71256S/L
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
军用和商用温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2946 TBL 05
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
0.8
V
V
V
V
注意：
2946 TBL 06
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
DC电气特性
(1, 2)
(V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
71256S/L20
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
备用电源
电流（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
输出开路，女= F
MAX(2)
全部备用电源
电流（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC
, V
CC
=最大值， F = 0
电源Com'l 。
S
L
S
L
S
L
—
135
—
3
—
0.4
米尔。
—
—
—
—
—
—
71256S/L25
Com'l 。
—
115
—
3
—
0.4
米尔。
150
130
20
3
20
1.5
71256S/L30
Com'l 。
—
—
—
—
—
—
米尔。
145
125
20
3
20
1.5
71256S/L35
Com'l 。
—
105
—
3
—
0.4
米尔。
140
120
20
3
20
1.5
mA
mA
单位
mA
I
SB
I
SB1
71256S/L45
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
备用电源
电流（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
输出开路，女= F
MAX(2)
全部备用电源
电流（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC
, V
CC
=最大值， F = 0
71256S/L55
71256S/L70
Com'l 。
—
—
—
—
—
—
71256S/L85
(3)
71256S/L100
(3)
米尔。
135
115
20
3
20
1.5
2946 TBL 07
电源Com'l 。米尔。 Com'l 。米尔。
S
L
S
L
S
L
—
100
—
3
—
0.4
135
115
20
3
20
1.5
—
—
—
—
—
—
135
115
20
3
20
1.5
米尔。 Com'l 。米尔。 Com'l 。
135
115
20
3
20
1.5
—
—
—
—
—
—
135
115
20
3
20
1.5
—
—
—
—
—
—
单位
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
所有地址输入循环在f
最大
; F = 0表示无地址引脚骑自行车。
3.也可用： 120和150 ns的军事设备。
7.2
3
IDT71256 S / L
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2946 TBL 08
5V
480
数据
OUT
255
30pF*
数据
OUT
255
5V
480
5pF*
2946 DRW 04
2946 DRW 05
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*包括范围和夹具电容
DC电气特性
V
CC
= 5.0V
±
10%
IDT71256S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
=最大，
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 10毫安，V
CC
=最小值。
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
—
2.4
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
10
5
10
5
0.4
0.5
—
IDT71256L
分钟。
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5
2
5
2
0.4
0.5
—
V
2946 TBL 09
单位
A
A
V
数据保持特性在所有温度范围
（L版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V
典型值。
(1)
V
CC
@
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
—
米尔。
Com'l 。
分钟。
2.0
—
—
0
t
RC(2)
2.0v
—
—
—
—
—
3.0V
—
—
—
—
—
2.0V
—
500
120
—
—
马克斯。
V
CC
@
3.0V
—
800
200
—
—
单位
V
A
ns
ns
2946 TBL 10
CS
≥
V
HC
注意事项：
1. T
A
= +25°C.
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是保证，但未经测试。
7.2
4
IDT71256S/L
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
军用和商用温度范围
低V
CC
数据保存波形
数据
保留
模式
V
DR
≥2V
V
IH
V
DR
V
IH
2946 DRW 06
V
CC
t
CDR
CS
4.5V
4.5V
t
R
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，全温度范围）
71256L20
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(2)
t
CHZ
(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
t
OHZ
(2)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
20
—
—
5
—
—
2
2
5
—
20
20
—
10
10
—
8
—
25
—
—
5
—
—
2
2
5
—
25
25
—
11
11
—
10
—
30
—
—
5
—
—
2
2
5
—
30
30
—
15
13
—
12
—
35
—
—
5
—
—
2
2
5
—
35
35
—
15
15
—
15
—
45
—
—
5
—
—
0
—
5
—
45
45
—
20
20
—
20
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
分钟。
(1)
71256S25
71256L25
分钟。马克斯。
71256S30
(3)
71256L30
(3)
分钟。
马克斯。
71256S35
71256L35
分钟。
马克斯。
71256S45
71256L45
分钟。马克斯。单位
马克斯。
写周期
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
WHZ
(2)
t
DH
t
OW
(2)
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
写使能在高阻输出
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
20
15
15
0
15
0
11
—
0
5
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
25
20
20
0
20
0
13
—
—
—
—
—
—
—
11
—
—
30
25
25
0
25
0
14
—
0
5
—
—
—
—
—
—
—
15
—
—
35
30
30
0
30
0
15
—
0
5
—
—
—
—
—
—
—
15
—
—
45
40
40
0
35
0
20
—
0
5
—
—
—
—
—
—
—
20
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2946 TBL 11
—
0
5
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
3. -55 °至仅+ 125° C温度范围。
7.2
5
