航天电子
32K x 8静态RAM - SOI
特点
辐射
与RICMOS捏造
第四绝缘体上硅（ SOI）的
0.75
m
过程（L
EFF
= 0.6
m)
总剂量硬度通过1×10拉德（SIO
2
)
中子通过硬度1×10
14
cm
-2
典型工作功耗< 15毫瓦/兆赫
动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
11
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
12
RAD （SI ） / S
对＆ LT软错误率; 1×10
-10
冷门/位天
地球同步轨道
闭锁免费
异步操作
CMOS或TTL兼容的I / O
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
6
HX6356
其他
上市SMD ＃ 5962-95845
快速读/写周期时间
≤
17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55 125°C ）
包装选项
- 36引脚CFP-底钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
- 36引脚CFP顶钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
概述
在32K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。据制作
与霍尼韦尔的抗辐射技术，是
在恶劣的作业系统设计的使用，瞬时
辐射环境。该内存工作在全
军用温度范围，并且只需要一个5 V单
±
10 ％的电力供应。 RAM是可与TTL或
CMOS兼容的I / O 。功耗通常少
超过15毫瓦/ MHz的工作时，与小于5毫瓦时
取消选择。 RAM中读操作完全asynchro-
理性，以14 ns的电压为5V的相关的典型访问时间。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
第四方法是
5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极氧化
和0.75的最小拉伸特征尺寸
m
(0.6
m
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程，和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。 A 7晶体管
（ 7T ）存储单元是用于高级单粒子翻转
硬化，而三层金属电源布辛和
低收集量SIMOX基板提供改进
剂量率硬化。
HX6356
工作原理图
A:0-8,12-13
11
ROW
解码器
32,768 x 8
内存
ARRAY
CE
NCS
列解码器
数据输入/输出
NWE
WE CS CE
8
8
DQ ： 0-7
诺埃
NWE CS CE OE
（ 0 =高Z）
信号
1 =启用
#
信号
A:9-11, 14
4
所有的控制必须是
使能信号，以
通过。 （ ＃ ：数
缓冲区，默认值= 1 ）
信号定义
A: 0-14
DQ ： 0-7
NCS
地址输入引脚，选择存储阵列中特定8位字。
双向数据引脚的写入期间中的读取操作，并作为数据输入端，作为数据输出
操作。
负芯片选择，当处于低电平允许正常的读或写操作。当处于高电平的NCS
强制的SRAM到一个预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器和
禁用所有的输入缓冲器，除了行政长官。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
否定的写使能，当处于低电平激活的写操作和保持在一个的数据输出驱动器
高阻抗状态。当在较高的水平西北欧允许正常的读操作。
负输出使能，当在较高的水平保持在高阻抗状态的数据输出驱动器。当
处于低电平时，数据输出驱动器的状态由NCS，西北欧和CE限定。如果不使用这个信号就必须
被连接到Vss 。
芯片使能，当在较高的水平，允许正常操作。当处于低电平的CE强制SRAM中，以一
预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有的输入缓冲器
除了NCS输入缓冲区。如果不使用这个信号必须将其连接到VDD。
NWE
诺埃
CE
真值表
NCS
L
L
H
X
CE
H
H
X
L
NWE
H
L
XX
XX
诺埃
L
X
XX
XX
模式
读
写
取消
残
DQ
数据输出
DATA IN
高Z
高Z
注意事项：
X： VI = VIH或VIL
XX ： VSS≤VI≤VDD
NOE = H：高Z输出状态保持
NCS = X ， CE = X ， NWE = X
2
HX6356
辐射特性
总的电离辐射剂量
该SRAM将满足所有规定的功能和电气
规格在整个工作温度范围
经过指定的总电离辐射剂量。所有电气
和时序性能参数将保持在
=反弹在VDD后，规格5.5 V和T = 125°C
外推到十多年的经营。总剂量硬度
是有保证的过程监控晶体管的晶圆级测试
使用10千电子伏X射线和钴60器和RAM产品
辐射源。晶体管栅极阈移correla-
系统蒸发散已施加在10keV的X射线之间
剂量为1×10的速度
5
RAD （SIO
2
） / min的在T = 25℃和伽玛
射线（钴60源），以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
该SRAM将满足任何功能性或电气规范
暴露于辐射后和灰脉冲到瞬态
剂量率生存能力说明书中，当在施加
推荐工作条件。注意，在当前
在脉冲期间由RAM的输入进行的，输出
和电力供应可能显著超过正常
经营水平。该应用程序的设计必须accommo-
迄今为止，这些效果。
中子辐射
该SRAM将满足任何功能或时间规范
在暴露于特定中子注量后，
推荐工作或储存条件。这AS-
sumes的1MeV的等效中子能量。
瞬态脉冲电离辐射
该SRAM能够写作，阅读，和固定的
中和暴露于瞬态之后存储的数据
电离辐射脉冲达瞬时剂量率心烦
说明书中，当在施加推荐operat-
荷兰国际集团的条件。为了确保所有指定perfor-的有效性
曼斯参数之前，过程中和照射后
（在瞬态脉冲辐射降解时间（时序
在瞬态脉冲辐射荷兰国际集团退化
≤10%),
因此建议加强电容被放置在或
附近的包VDD和VSS ，最大电感
的封装（芯片）和加强电容之间tance
tance每部分0.7 nH的。如果没有操作，通过
或有效的存储的数据的要求，典型的电路板
安装去耦电容建议。
软错误率
SRAM具有一个非常低的软错误率（SER ），为
在下表中指定。此硬度级别被定义
由亚当斯90％的最坏情况下的宇宙射线环境。
低的SER通过使用一个唯一的7晶体管的实现
存储器单元与所述SOI衬底的氧化物隔离。
闭锁
对SRAM不会闭锁，由于上述任何辐射的
在推荐的应用时，曝光条件
操作条件。制作与SIMOX基板
材料提供相邻PMOS之间的氧化物隔离
和NMOS晶体管，并消除了任何潜在的SCR
闭锁结构。足够的晶体管体引出连接
系统蒸发散到p型和n型沟道衬底制成，以确保
没有源极/漏极折返发生。
辐射硬度值（ 1 ）
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转
瞬时剂量率生存能力
软错误率
中子注量
极限（ 2 ）
≥1x10
6
≥1x10
11
≥1x10
12
<1x10
-10
≥1x10
14
单位
RAD （SIO
2
)
RAD （SI ） / S
RAD （SI ） / S
冷门/位天
牛顿/厘米
2
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤1 s
脉冲宽度
≤50
纳秒， X射线，
VDD = 6.0 V，T
A
=25°C
T
A
= 125°C ，亚当斯90 ％
最坏的情况下的环境
1兆电子伏的能量相当于，
无偏，T
A
=25°C
（1）设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
（ 2 ）工作条件（除非另有说明） ： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至125°C 。
3
HX6356
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
正电源电压（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度（ 5秒）
总计封装功耗（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
热电阻（ JCT-到案例）
结温
- 36 FP
2000
2
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
6.5
VDD+0.5
150
270
2.0
25
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） RAM的功耗（ IDDSB + IDDOP ）加RAM的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(1)
最坏的情况下
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
数据保持特性
符号
VDR
IDR
参数
数据保持电压
数据保持电流
典型
(1)
最坏的情况下
(2)
民
2.5
500
330
最大
单位
V
A
A
测试条件
NCS = VDR
VI = VDR或VSS
NCS = VDD = 2.5V ， VI = VDD和VSS
NCS = VDD = 3.0V ， VI = VDD和VSS
（ 1 ）典型工作条件： TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏情况的工作条件： -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
4
HX6356
DC电气特性
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
典型的最坏情况（ 2 ）
单位
(1)
民
最大
0.2
0.2
3.4
2.8
-1
-1
CMOS
TTL
CMOS
TTL
1.7
1.5
1.5
4.0
4.0
+1
+1
0.3xV
DD
测试条件
VIH = VDD ， IO = 0
VIL = VSS ， F = 0MHz处
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
VSS≤VI≤VDD
VSS≤VIO≤VDD
输出=高阻
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流 - 取消选择
IDDOPW
IDDopr
II
IOZ
VIL
动态电源电流，选择
（写）
动态电源电流，选择
（READ ）
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
0.8
3.2
0.3
0.005
0.7xV
DD
三月模式
VDD = 4.5V
三月模式
VDD = 5.5V
VDD = 4.5V ， IOL = 10毫安
（ CMOS）的
= 8毫安
（ TTL）的
VDD = 4.5V ， IOL = 200
A
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200
A
VIH
高电平输入电压
2.2
0.4
0.1
4.2
V
DD
-0.1
VOL
低电平输出电压
V
V
V
V
VOH
高电平输出电压
4.3
4.5
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ ， TELQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
5
航天电子
32K x 8静态RAM - SOI
特点
辐射
与RICMOS捏造
第四绝缘体上硅（ SOI）的
0.75
m
过程（L
EFF
= 0.6
m)
总剂量硬度通过1×10拉德（SIO
2
)
中子通过硬度1×10
14
cm
-2
典型工作功耗< 15毫瓦/兆赫
动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
11
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
12
RAD （SI ） / S
对＆ LT软错误率; 1×10
-10
冷门/位天
地球同步轨道
闭锁免费
异步操作
CMOS或TTL兼容的I / O
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
6
HX6356
其他
上市SMD ＃ 5962-95845
快速读/写周期时间
≤
17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55 125°C ）
包装选项
- 36引脚CFP-底钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
- 36引脚CFP顶钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
概述
在32K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。据制作
与霍尼韦尔的抗辐射技术，是
在恶劣的作业系统设计的使用，瞬时
辐射环境。该内存工作在全
军用温度范围，并且只需要一个5 V单
±
10 ％的电力供应。 RAM是可与TTL或
CMOS兼容的I / O 。功耗通常少
超过15毫瓦/ MHz的工作时，与小于5毫瓦时
取消选择。 RAM中读操作完全asynchro-
理性，以14 ns的电压为5V的相关的典型访问时间。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
第四方法是
5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极氧化
和0.75的最小拉伸特征尺寸
m
(0.6
m
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程，和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。 A 7晶体管
（ 7T ）存储单元是用于高级单粒子翻转
硬化，而三层金属电源布辛和
低收集量SIMOX基板提供改进
剂量率硬化。
HX6356
工作原理图
A:0-8,12-13
11
ROW
解码器
32,768 x 8
内存
ARRAY
CE
NCS
列解码器
数据输入/输出
NWE
WE CS CE
8
8
DQ ： 0-7
诺埃
NWE CS CE OE
（ 0 =高Z）
信号
1 =启用
#
信号
A:9-11, 14
4
所有的控制必须是
使能信号，以
通过。 （ ＃ ：数
缓冲区，默认值= 1 ）
信号定义
A: 0-14
DQ ： 0-7
NCS
地址输入引脚，选择存储阵列中特定8位字。
双向数据引脚的写入期间中的读取操作，并作为数据输入端，作为数据输出
操作。
负芯片选择，当处于低电平允许正常的读或写操作。当处于高电平的NCS
强制的SRAM到一个预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器和
禁用所有的输入缓冲器，除了行政长官。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
否定的写使能，当处于低电平激活的写操作和保持在一个的数据输出驱动器
高阻抗状态。当在较高的水平西北欧允许正常的读操作。
负输出使能，当在较高的水平保持在高阻抗状态的数据输出驱动器。当
处于低电平时，数据输出驱动器的状态由NCS，西北欧和CE限定。如果不使用这个信号就必须
被连接到Vss 。
芯片使能，当在较高的水平，允许正常操作。当处于低电平的CE强制SRAM中，以一
预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有的输入缓冲器
除了NCS输入缓冲区。如果不使用这个信号必须将其连接到VDD。
NWE
诺埃
CE
真值表
NCS
L
L
H
X
CE
H
H
X
L
NWE
H
L
XX
XX
诺埃
L
X
XX
XX
模式
读
写
取消
残
DQ
数据输出
DATA IN
高Z
高Z
注意事项：
X： VI = VIH或VIL
XX ： VSS≤VI≤VDD
NOE = H：高Z输出状态保持
NCS = X ， CE = X ， NWE = X
2
HX6356
辐射特性
总的电离辐射剂量
该SRAM将满足所有规定的功能和电气
规格在整个工作温度范围
经过指定的总电离辐射剂量。所有电气
和时序性能参数将保持在
=反弹在VDD后，规格5.5 V和T = 125°C
外推到十多年的经营。总剂量硬度
是有保证的过程监控晶体管的晶圆级测试
使用10千电子伏X射线和钴60器和RAM产品
辐射源。晶体管栅极阈移correla-
系统蒸发散已施加在10keV的X射线之间
剂量为1×10的速度
5
RAD （SIO
2
） / min的在T = 25℃和伽玛
射线（钴60源），以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
该SRAM将满足任何功能性或电气规范
暴露于辐射后和灰脉冲到瞬态
剂量率生存能力说明书中，当在施加
推荐工作条件。注意，在当前
在脉冲期间由RAM的输入进行的，输出
和电力供应可能显著超过正常
经营水平。该应用程序的设计必须accommo-
迄今为止，这些效果。
中子辐射
该SRAM将满足任何功能或时间规范
在暴露于特定中子注量后，
推荐工作或储存条件。这AS-
sumes的1MeV的等效中子能量。
瞬态脉冲电离辐射
该SRAM能够写作，阅读，和固定的
中和暴露于瞬态之后存储的数据
电离辐射脉冲达瞬时剂量率心烦
说明书中，当在施加推荐operat-
荷兰国际集团的条件。为了确保所有指定perfor-的有效性
曼斯参数之前，过程中和照射后
（在瞬态脉冲辐射降解时间（时序
在瞬态脉冲辐射荷兰国际集团退化
≤10%),
因此建议加强电容被放置在或
附近的包VDD和VSS ，最大电感
的封装（芯片）和加强电容之间tance
tance每部分0.7 nH的。如果没有操作，通过
或有效的存储的数据的要求，典型的电路板
安装去耦电容建议。
软错误率
SRAM具有一个非常低的软错误率（SER ），为
在下表中指定。此硬度级别被定义
由亚当斯90％的最坏情况下的宇宙射线环境。
低的SER通过使用一个唯一的7晶体管的实现
存储器单元与所述SOI衬底的氧化物隔离。
闭锁
对SRAM不会闭锁，由于上述任何辐射的
在推荐的应用时，曝光条件
操作条件。制作与SIMOX基板
材料提供相邻PMOS之间的氧化物隔离
和NMOS晶体管，并消除了任何潜在的SCR
闭锁结构。足够的晶体管体引出连接
系统蒸发散到p型和n型沟道衬底制成，以确保
没有源极/漏极折返发生。
辐射硬度值（ 1 ）
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转
瞬时剂量率生存能力
软错误率
中子注量
极限（ 2 ）
≥1x10
6
≥1x10
11
≥1x10
12
<1x10
-10
≥1x10
14
单位
RAD （SIO
2
)
RAD （SI ） / S
RAD （SI ） / S
冷门/位天
牛顿/厘米
2
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤1 s
脉冲宽度
≤50
纳秒， X射线，
VDD = 6.0 V，T
A
=25°C
T
A
= 125°C ，亚当斯90 ％
最坏的情况下的环境
1兆电子伏的能量相当于，
无偏，T
A
=25°C
（1）设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
（ 2 ）工作条件（除非另有说明） ： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至125°C 。
3
HX6356
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
正电源电压（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度（ 5秒）
总计封装功耗（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
热电阻（ JCT-到案例）
结温
- 36 FP
2000
2
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
6.5
VDD+0.5
150
270
2.0
25
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） RAM的功耗（ IDDSB + IDDOP ）加RAM的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(1)
最坏的情况下
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
数据保持特性
符号
VDR
IDR
参数
数据保持电压
数据保持电流
典型
(1)
最坏的情况下
(2)
民
2.5
500
330
最大
单位
V
A
A
测试条件
NCS = VDR
VI = VDR或VSS
NCS = VDD = 2.5V ， VI = VDD和VSS
NCS = VDD = 3.0V ， VI = VDD和VSS
（ 1 ）典型工作条件： TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏情况的工作条件： -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
4
HX6356
DC电气特性
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
典型的最坏情况（ 2 ）
单位
(1)
民
最大
0.2
0.2
3.4
2.8
-1
-1
CMOS
TTL
CMOS
TTL
1.7
1.5
1.5
4.0
4.0
+1
+1
0.3xV
DD
测试条件
VIH = VDD ， IO = 0
VIL = VSS ， F = 0MHz处
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
VSS≤VI≤VDD
VSS≤VIO≤VDD
输出=高阻
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流 - 取消选择
IDDOPW
IDDopr
II
IOZ
VIL
动态电源电流，选择
（写）
动态电源电流，选择
（READ ）
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
0.8
3.2
0.3
0.005
0.7xV
DD
三月模式
VDD = 4.5V
三月模式
VDD = 5.5V
VDD = 4.5V ， IOL = 10毫安
（ CMOS）的
= 8毫安
（ TTL）的
VDD = 4.5V ， IOL = 200
A
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200
A
VIH
高电平输入电压
2.2
0.4
0.1
4.2
V
DD
-0.1
VOL
低电平输出电压
V
V
V
V
VOH
高电平输出电压
4.3
4.5
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ ， TELQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
5
