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HL8325G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL8325G是用TQW大功率0.8微米波段的GaAlAs半导体激光器(三重量子阱)
结构。其内部的电路结构适于操作在一个单一正电源电压。它
适合作为光源,用于光盘存储器,读卡器和各种其它类型的光
设备。
特点
红外光输出:
λp
= 820 840 nm的
高功率: 40毫瓦( CW)标准的连续运行,在50毫瓦脉冲操作
内置监控光电二极管
单纵模
190
HL8325G
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
储存温度
注意:
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
TSTG
额定值
40
50*
1
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
1.最大占空比为50% ,最大为1微秒的脉冲宽度
光学和电学特性
(T
C
= 25 ± 3 °C)
光输出功率
阈值电流
坡英法fi效率
激光波长
光束发散角(平行)
光束发散角(垂直)
电流监视器
散光
符号
P
O
第i个
η
λp
θ//
θ⊥
Is
A
S
40
0.4
820
7
18
20
典型值
40
0.5
830
10
22
40
5
最大
70
0.9
840
14
32
130
单位
mW
mA
毫瓦/ MA
nm
度。
度。
A
m
24毫瓦/ I
( 32毫瓦)
– I
( 8毫瓦)
P
O
= 40毫瓦
P
O
= 40毫瓦, FWHM
P
O
= 40毫瓦, FWHM
V
R( PD)的
= 5 V ,P
O
= 4毫瓦
P
O
= 4毫瓦, NA = 0.4
测试条件
扭结免费
191
HL8325G
典型特性曲线
192
HL8325G
典型特性曲线(续)
193
HL8325G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL8325G是一个高功率0.8
m
有TQW乐队的GaAlAs激光二极管(三重量子阱)结构。其
内部的电路结构是适合于操作上的一个正电源电压。它适合作为光
源光盘存储器,读卡器和各种其它类型的光学设备。
ODE - 208-048A ( Z)
Rev.1
2007年5月8日
特点
红外光输出:
λp
= 820 840 nm的
高功率:在标准的连续运行
在50毫瓦40毫瓦( CW) ,脉冲工作
内置监控光电二极管
单纵模
套餐类型
HL8325G : G2
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
激光二极管的反向电压
光电二极管的反向电压
工作温度
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
评级
40
50 *
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
注:脉冲条件:脉冲宽度= 1
s,
占空比= 50 %
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
阈值电流
坡英法fi效率
光束发散角
平行于结
光束发散角
parpendicular到结
Asitgmatism
激光波长
电流监视器
符号
第i个
ηs
θ//
θ⊥
A
S
λp
I
S
0.4
7
18
820
20
典型值
40
0.5
10
22
5
830
40
最大
70
0.9
14
32
840
130
单位
mA
毫瓦/ MA
°
°
m
nm
A
测试条件
24(毫瓦)/(我
(32mW)
– I
(8mW)
)
P
O
= 40毫瓦, FWHM
P
O
= 40毫瓦, FWHM
P
O
= 4毫瓦, NA = 0.4
P
O
= 40毫瓦
P
O
= 4毫瓦,V
R( PD)的
= 5 V
Rev.1号2007年5月8日第1页4
HL8325G
典型特性曲线
光输出功率与电流FOWARD
50
光输出功率,P
O
( mW)的
阈值电流与外壳温度
100
Threshould电流ITH(毫安)
40
30
20
10
0
T
C
= 0°C 25°C
60°C
50
30
20
0
40
80
120
160
200
10
0
10
20
30
40
50
60
FOWARD目前,我
F
(MA )
外壳温度,T
C
(°C)
斜率效率与外壳温度
1.0
斜率效率,
ηs
(毫瓦/ mA)的
监视当前,我
S
(A)
监控电流和案例温度图
100
P
O
= 4毫瓦
V
R( PD)的
= 5 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
外壳温度,T
C
(°C)
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
外壳温度,T
C
(°C)
激射波长主场迎战外壳温度
845
激射波长
λp
(纳米)
P
O
= 40毫瓦
840
835
相对强度
远场模式
P
O
= 40毫瓦
T
C
= 25°C
垂直
830
825
并行
-40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
820
0
40
50
30
外壳温度,T
C
(°C)
10
角,
θ
( ° )
20
60
Rev.1号2007年5月8日第2页4
HL8325G
包装尺寸
截至2002年7月的
单位:mm
φ
9.0
+0
–0.025
1.0 ± 0.1
(0.65)
(90)
3.5 ± 0.2
0.3
玻璃
φ
7.2
+0.3
–0.2
φ
6.2 ± 0.2
(
φ
2.0)
发光点
0.4
+0.1
–0
3 –
φ
0.45 ± 0.1
1
2
3
1
3
2
φ
2.54 ± 0.35
OPJ码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
1.5 ± 0.1
9±1
2.45
LD/G2
1.1 g
Rev.1号2007年5月8日第3页4
HL8325G
注意事项
1. Opnext的日本公司( OPJ )我们的任何权利或任何第三方的专利权,著作权并不保证或授予许可证,
本文档中包含的信息,商标或其他知识产权。 OPJ承担任何
责任问题,可能会出现与第三方权利,包括知识产权,在
与使用本文档中包含的信息连接。
2.产品和产品规格可能会随时更改,恕不另行通知。请确认是否已收到
最终设计,购买或使用前最新的产品标准或规范。
3. OPJ一切努力,以确保其产品的高品质和可靠性。但是,请联系我们的销售
使用该产品中,要求特别高的质量和可靠性,或其中它的一个应用程序之前处
失效或故障可能直接威胁人的生命或身体受伤的风险的原因,如航空航天,
航空,核电,燃烧控制,运输,交通,安全设备和医疗设备
生活配套。
4.设计你的应用程序,这样的产品是特别为最大限度地保证了OPJ范围内使用
等级,工作电源电压范围,热辐射等特性,安装条件等特点。
OPJ负有故障或损坏不承担任何责任使用超出保障范围的时候。即使在
保证的范围,考虑通常预期的失败率或半导体器件的失效模式和
采用系统性的措施,如故障保险,这样结合OPJ产品的设备不会造成身体
伤害,火灾或由于OPJ产品的操作之外的间接损害。
5,本产品不设计成抗辐射。
6,任何人不得复制或重复,以任何形式,这个文件的全部或部分未经书面
批准OPJ 。
7.公司营业部咨询,了解有关本文档或OPJ产品有任何问题。
1.激光是对人体有害的尤其是眼睛无论什么直接或间接的。激光束
应遵守或通过红外照相机或同等学历调整。
2.本品含有砷化镓(GaAs ),这可能会严重在非常低的剂量危害你的健康,甚至。
请避免治疗可产生砷化镓粉末或气体,诸如分解或进行化学
实验中,当你处理的产品。
处理本产品时,请遵守国家的法律,它与其他废物,如分离
工业废弃物和生活垃圾。
项3.定义在此CAS号示出的是按照由OPJ发出光电器件数据手册,所示
除非另有规定ED 。
网络连接的CE销售
设备事业部Opnext的日本公司
高木大厦, 3楼, 1-3-9 ,岩本町,千代田区,东京101-0032日本
电话: ( 03 ) 3865-5591
对于Opnext的公司的详细信息,请参阅以下网页:
日本(日语)
其他区(英文)
http://www.opnext.com/jp/products/
http://www.opnext.com/products/
2007 Opnext的日本公司,保留所有权利。日本印刷。
后记2.0
Rev.1号2007年5月8日第4页4
HL8325G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL8325G是用TQW大功率0.8微米波段的GaAlAs半导体激光器(三重量子阱)
结构。其内部的电路结构适于操作在一个单一正电源电压。它
适合作为光源,用于光盘存储器,读卡器和各种其它类型的光
设备。
特点
红外光输出:
λp
= 820 840 nm的
高功率: 40毫瓦( CW)标准的连续运行,在50毫瓦脉冲操作
内置监控光电二极管
单纵模
190
HL8325G
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
储存温度
注意:
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
TSTG
额定值
40
50*
1
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
1.最大占空比为50% ,最大为1微秒的脉冲宽度
光学和电学特性
(T
C
= 25 ± 3 °C)
光输出功率
阈值电流
坡英法fi效率
激光波长
光束发散角(平行)
光束发散角(垂直)
电流监视器
散光
符号
P
O
第i个
η
λp
θ//
θ⊥
Is
A
S
40
0.4
820
7
18
20
典型值
40
0.5
830
10
22
40
5
最大
70
0.9
840
14
32
130
单位
mW
mA
毫瓦/ MA
nm
度。
度。
A
m
24毫瓦/ I
( 32毫瓦)
– I
( 8毫瓦)
P
O
= 40毫瓦
P
O
= 40毫瓦, FWHM
P
O
= 40毫瓦, FWHM
V
R( PD)的
= 5 V ,P
O
= 4毫瓦
P
O
= 4毫瓦, NA = 0.4
测试条件
扭结免费
191
HL8325G
典型特性曲线
192
HL8325G
典型特性曲线(续)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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7982
贴◆插
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