通用6 -PIN
光电晶体管光耦合器
4N25
4N37
4N26
H11A1
4N27
H11A2
4N28
H11A3
4N35
H11A4
概要
1
6
4N36
H11A5
白色包装（ -M后缀）
6
1
6
2
5
3
NC
4
1
6
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
BLACK PACKAGE （ NO -M后缀）
6
1
6
1
6
1
描述
通用光耦合器由一个砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管在一个6针
双列直插式封装。
特点
此外，通过指定-M SUF网络X ，如白色封装。 4N25 -M
UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可（文件号： 94766 ）
- 添加选项V白色包（例如， 4N25V -M ）
- 添加选项300黑包（如， 4N25.300 ）
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
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光电晶体管光耦合器
4N25
4N37
4N26
H11A1
4N27
H11A2
4N28
H11A3
4N35
H11A4
4N36
H11A5
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
波峰焊温度（参见第14页的重新溢流焊锡廓）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
30
70
7
150
2.0 （非M）， 1.76 （-M ）
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
100 （非M +）， 60 （-M ）
6
3
150 （非M +）， 120 （-M ）
2.0 （非-M ），1.41 （-M ）
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3 （非-M ），2.94 （-M ）
°C
°C
°C
mW
符号
价值
单位
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4N25
4N37
4N26
H11A1
4N27
H11A2
4N28
H11A3
4N35
H11A4
4N36
H11A5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
C
= 100 A ，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CB
= 10 V)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
8
30
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
(I
F
= 10 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
1.18
0.001
1.50
10
V
A
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件符号
（非' -M '，黑色包）（ F = 60Hz时， T = 1分）
（' -M ' ，白色包装） （ F = 60Hz时， T = 1秒）
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= & ， F = 1兆赫）
（' -M '白包）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
7500
10
11
0.5
0.2
2
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
VAC （ PK）
pF
pF
记
*在T典型值
A
= 25°C
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