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GDZ - V系列
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
低齐纳阻抗和低泄漏
e3
当前
风靡亚洲的设计
小型表面贴装器件
适用于自动安装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 5.0毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
测试条件
符号
P
d
价值
200
单位
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
测试条件
符号
T
j
T
英镑
价值
150
- 55至+ 150
单位
°C
文档编号85766
修订版1.5 ， 17日， 06
www.vishay.com
1
GDZ - V系列
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
分区
V
Z
在我
ZT1
V
民
GDZ2V0B-V
GDZ2V2B-V
GDZ2V4B-V
GDZ2V7B-V
GDZ3V0B-V
GDZ3V3B-V
GDZ3V6B-V
GDZ3V9B-V
GDZ4V3B-V
GDZ4V7B-V
GDZ5V1B-V
GDZ5V6B-V
GDZ6V2B-V
GDZ6V8B-V
GDZ7V5B-V
GDZ8V2B-V
GDZ9V1B-V
GDZ10B-V
GDZ11B-V
GDZ12B-V
GDZ13B-V
GDZ15B-V
GDZ16B-V
GDZ18B-V
GDZ20B-V
GDZ22B-V
GDZ24B-V
GDZ27B-V
GDZ30B-V
GDZ33B-V
GDZ36B-V
注意事项：
（1）齐纳电压V
(Z)
被测量为40ms接通电源之后。
（2）操作阻力（Z
Z
, Z
ZK
）被叠加1千赫的交流电流的稳压电流（I测量
Z
).
0 2
1 2
2 2
3 2
4 2
5 2
6 2
7 2
8 2
9 2
T 1
T 2
T 3
T 4
T 5
T 6
T 7
T 8
T 9
T A
T B
T C
T d设定
T E
牛逼
牛逼
T L
Tm值
T N
T P上
T T
2.020
2.220
2.430
2.690
3.010
3.320
3.600
3.890
4.170
4.550
4.980
5.490
6.060
6.650
7.280
8.020
8.850
9.770
10.760
11.740
12.910
14.340
15.850
17.560
19.520
21.540
23.720
26.190
29.190
32.150
35.070
V
Z
在我
ZT1
V
最大
2.200
2.410
2.630
2.910
3.220
3.530
3.845
4.160
4.430
4.750
5.200
5.730
6.330
6.930
7.600
8.360
9.230
10.210
11.220
12.240
13.490
14.980
16.510
18.350
20.390
22.470
24.780
27.530
30.690
33.790
36.870
最大
100
100
100
110
120
120
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
65
85
100
120
150
200
250
300
操作
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
最大
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
60
60
60
60
60
60
80
80
80
80
80
100
100
120
150
200
250
300
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
120
120
120
100
50
20
10
5.0
5.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
17.0
19.0
21.0
23.0
25.0
27.0
升起
操作
阻力
Z
ZK
在我
ZT2
测试电流
反向电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
mA
I
R
A
在V
R
V
www.vishay.com
2
文档编号85766
修订版1.5 ， 17日， 06
GDZ - V系列
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
0.12
温度系数（％/ K）的
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
- 0.02
- 0.04
- 0.06
- 0.08
0
4
8
12 16
20 24 28
32 36
19964
齐纳
电压V
Z
(V)
图1.齐纳电压温度系数齐纳主场迎战
电压
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOD323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.1 （ 0.004 ）最大
足迹推荐：
0.25 （ 0.010 ）分
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极
BAR
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
0.6 (0.024)
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
牧师03 - 日期：2004年08.November
17443
文档编号85766
修订版1.5 ， 17日， 06
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
www.vishay.com
3
GDZ - V系列
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85766
修订版1.5 ， 17日， 06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
GDZ - V系列
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
低齐纳阻抗和低漏电流
风靡亚洲的设计
小型表面贴装器件
适用于自动安装
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.0 36
5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
GDZ - V系列
GDZ - V系列
订购代码
GDZ-V-series-GS18
GDZ-V-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
3000 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000 /盒
15 000 /盒
包
包名称
SOD-323
重量
4.3毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
200
150
- 55至+ 150
单位
mW
°C
°C
修订版1.7 ， 16月， 11
文档编号： 85766
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
GDZ - V系列
www.vishay.com
威世半导体
反向
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
120
120
120
100
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
V
马克斯。
100
100
100
110
120
120
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
65
85
100
120
150
200
250
300
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
GDZ2V0B-V
GDZ2V2B-V
GDZ2V4B-V
GDZ2V7B-V
GDZ3V0B-V
GDZ3V3B-V
GDZ3V6B-V
GDZ3V9B-V
GDZ4V3B-V
GDZ4V7B-V
GDZ5V1B-V
GDZ5V6B-V
GDZ6V2B-V
GDZ6V8B-V
GDZ7V5B-V
GDZ8V2B-V
GDZ9V1B-V
GDZ10B-V
GDZ11B-V
GDZ12B-V
GDZ13B-V
GDZ15B-V
GDZ16B-V
GDZ18B-V
GDZ20B-V
GDZ22B-V
GDZ24B-V
GDZ27B-V
GDZ30B-V
GDZ33B-V
GDZ36B-V
02
12
22
32
42
52
62
72
82
92
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
TA
TB
TC
TD
TE
TH
TK
TL
TM
TN
TP
TT
2.02
2.22
2.43
2.69
3.01
3.32
3.6
3.89
4.17
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
8.02
8.85
9.77
10.76
11.74
12.91
14.34
15.85
17.56
19.52
21.54
23.72
26.19
29.19
32.15
35.07
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
马克斯。
2.2
2.41
2.63
2.91
3.22
3.53
3.845
4.16
4.43
4.75
5.2
5.73
6.33
6.93
7.6
8.36
9.23
10.21
11.22
12.24
13.49
14.98
16.51
18.35
20.39
22.47
24.78
27.53
30.69
33.79
36.87
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态电阻
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
60
60
60
60
60
60
80
80
80
80
80
100
100
120
150
200
250
300
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
齐纳电压V
Z
被测量为40ms接通电源之后
工作阻力（Z
Z
, Z
ZK
）被叠加1千赫的交流电流的稳压电流（I测量
Z
).
修订版1.7 ， 16月， 11
文档编号： 85766
2
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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GDZ - V系列
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
0.12
威世半导体
温度系数（％/ K）的
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
- 0.02
- 0.04
- 0.06
- 0.08
0
4
8
12 16
20 24 28
32 36
19964
齐纳电压V
Z
(V)
图。 1 - 齐纳电压温度系数与
齐纳电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.2 (0.008)
0.1 （ 0.004 ）最大。
0° 8
°
0.15 (0.006)
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
1.5 (0.059)
0.40 (0.016)
0.25 (0.010)
阴极棒
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
足迹推荐：
0.6 (0.024)
1.1 (0.043)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
1.6 (0.063)
17443
修订版1.7 ， 16月， 11
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www.vishay.com/doc?91000
0.6 (0.024)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
创建 - 日期： 24.August.2004
启5 - 日期： 23.Sept.2009
法律免责声明
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日前，Vishay
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全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
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“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
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