FJPF1943 - PNP外延硅晶体管
2008年1月
FJPF1943
PNP外延硅晶体管
应用
高保真音频输出放大器
通用功率放大器
特点
高电流能力：我
C
= -15A.
高功率耗散：
50watts.
高频率时的：在30MHz 。
高电压： V
首席执行官
= -230V
宽S.O.A进行可靠操作。
出色的增益线性度低THD 。
补充FJPF5200
全热和电Spice模型可供选择。
同样的晶体管也可用于：
- TO264封装， 2SA1943 / FJL4215 ： 150瓦特
- TO3P封装， 2SA1962 / FJA4213 ： 130瓦特
- TO220封装， FJP1943 ： 80瓦特
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
1.Base
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-230
-230
-5
-15
-1.5
50
0.4
- 50 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W / ℃，
°C
器件总功耗（T
C
=25°C)
减免上述25℃
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJC
*设备安装在最小焊盘尺寸
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到外壳
评级
2.5
单位
° C / W
h
FE
分类
分类
h
FE1
R
55 ~ 110
O
80 ~ 160
2008飞兆半导体公司
FJPF1943版本A
1
www.fairchildsemi.com
FJPF1943 - PNP外延硅晶体管
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -5mA ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，R
BE
=∞
I
E
= -5mA ，我
C
=0
V
CB
= -230V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1A
V
CE
= -5V ，我
C
=-7A
I
C
= -8A ，我
B
=-0.8A
V
CE
= -5V ，我
C
=-7A
V
CE
= -5V ，我
C
=-1A
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
分钟。
-230
-230
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-5.0
-5.0
55
35
60
-0.4
-1.0
30
360
-3.0
-1.5
160
A
A
V
V
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲WIDT = 20μS ，职务Cycle≤2 ％
订购信息
产品型号
FJPF1943RTU
FJPF1943OTU
记号
J1943R
J1943O
包
TO-220F
TO-220F
包装方法
管
管
备注
hFE1 - [R级
hFE1 级
2008飞兆半导体公司
FJPF1943版本A
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FJPF1943
FJPF1943 PNP外延硅晶体管
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用，
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
快
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MillerDrive
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
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根据其专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
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产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，和（c） ，其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改，恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知，随时变更，以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改，恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I31
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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FJPF1943版本A
5
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