FDR6580
2001年7月
FDR6580
N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
“低侧”同步整流器的操作，提供了一个
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
11.2 A， 20 V.
R
DS （ ON）
= 9毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 11毫欧@ V
GS
= 2.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
面积比SO8小
应用
同步整流器器
DC / DC转换器
S
D
S
D
5
6
G
7
8
4
3
2
1
SuperSOT -8
TM
D
D
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
20
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
11.2
50
1.8
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
70
20
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDR6580
设备
FDR6580
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDR6580版本C （ W）
FDR6580
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
民
20
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= –12 V ,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
11
1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
0.5
0.9
-3.5
5.2
6.6
7.1
1.5
V
毫伏/°C的
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 11.2 A
V
GS
= 2.5 V,
I
D
= 10.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11.2 A，T
J
125°C
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 11.2 A
9
11
13
m
A
25
70
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
3829
854
446
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
15
20
62
39
27
32
99
62
48
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 11.2 A,
34
5.9
9.3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.5 A
电压
1.5
（注2 ）
A
V
0.6
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 70 ° / W时，
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 135° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDR6580版本C （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H3
FDR6580
1999年4月
超前信息
FDR6580
N-二Chennal 2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET使用产生
飞兆半导体的PowerTrench先进工艺
已特别是针对减少导通状态
性，但维持优于低栅极电荷
开关性能。
特点
11 A， 20 V
DS （ ON）
= 0.009
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.013
@ V
GS
= 2.5 V.
低栅极电荷。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
（比标准小38 ％ SO- 8 ）占地面积小;低
扁平封装（ 1mm厚） ;功率处理能力
类似的SO-8 。
应用
负荷开关
电机驱动
电源管理
D
S
D
S
5
6
D
G
4
3
2
1
7
8
SuperSOT -8
TM
D
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
±
8
11
50
1.8
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°
C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
70
20
°
C / W
°
C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
.6580
设备
FDR6580
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDR6580 ，版本A
FDR6580
电气特性
符号
参数
T
A
=25
o
C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
20
1
10
-10
V
A
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
静态漏源
导通电阻
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 9.3 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
0.4
1.5
0.009
0.013
V
A
通态漏电流
25
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.5 A
（注2 ）
1.5
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热参考被定义为焊接安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时70℃ / W的
在1.0
2
垫的2盎司铜。
B） 125 ° C / W安装时
在0.026
2
垫2盎司的。铜。
C）安装时， 135 ° C / W
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDR6580 ，版本A
SuperSOT
TM
-8卷带式数据和包装尺寸
SSOT- 8封装
CON组fi guration ：
图1.0
自定义标签
包装说明：
SSOT - 8零件运胶带。载带是
从二ssipat香港专业教育学院（羰填写）PO LY碳制成吃
树脂。盖带是一种多层膜（热激活
粘合剂的性质） ，主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些跌跌撞撞部件运瓦特第i个
3000个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗
静电涂层） 。其他选项来在500单位秒每7"或
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在Packagin G信息表中进一步描述。
这些满盘都是双vidu盟友barcod 标记，并
放置在一个标准的中间框（生病ustrated在
图1.0 ）由可回收的瓦楞纸眉头纸。
一箱最多包含两个卷轴。与此条款盒
放在IDE插件标记希普条形码荷兰国际集团博X其中H
进来迪fferent大小取决于对的Tg何努MBER件
shippe 。
F63TNR标签
防静电盖带
静态Dissi拍拍IVE
浮雕版载带
F852
831N
F852
831N
F852
831N
F852
831N
F852
831N
销1
SSOT - 8封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（没有F升流颂歌）
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0416
0.0980
TNR
3,000
13" IA
343x64x343
6,000
0.0416
0.5615
SSOT - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于STANDAR 中间盒
和L99Z的Opti项
F63TNR标签
F63TNR
LABEL
F63TNR标签SA MPL ê
184毫米X 187毫米毫米x 47毫米
比萨盒FO D84Z选项
F63TNR
LABEL
LOT ： CBVK741B019
FSID ： FDR835N
数量： 3000
产品规格：
SSOT - 8磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
造型玩具E 2.0
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
(F63TNR)3
载带
盖带
组件
Traile 胶带
300毫米英里nimum或
38皆空
铅儿带
500毫米英里nimum或
62空POC凯茨
1999年8月，版本C
SuperSOT
TM
-8磁带和卷轴数据和封装尺寸，继续
SSOT - 8压纹载带
CON组fi guration ：
造型玩具E 3.0
T
E1
P0
D0
F
K0
Wc
B0
E2
W
Tc
A0
P1
D1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SSOT-8
(12mm)
A0
4.47
+/-0.10
B0
5.00
+/-0.10
W
12.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.50
+/-0.10
E1
1.75
+/-0.10
E2
10.25
MI N
F
5.50
+/-0.05
P1
8.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.37
+/-0.10
T
0.280
+/-0.150
Wc
9.5
+/-0.025
Tc
0.06
+/-0.02
注： A0 ， B0和K0尺寸吓退采随r爱斯佩克吨至T他EIA / JEDEC RS - 481
rotationa L和横向移动requi雷曼TS （见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（硅德或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SSOT - 8卷配置：
造型玩具ê 4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
12mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
5.906
150
7.00
178
昏暗W1
0.488 +0.078/-0.000
12.4 +2/0
0.488 +0.078/-0.000
12.4 +2/0
昏暗的W2
0.724
18.4
0.724
18.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
12mm
13"迪亚
1998年仙童半导体公司
1999年7月，版本C
SuperSOT
TM
-8磁带和卷轴数据和封装尺寸，继续
SuperSOT -8 （ FS PKG代码34 ， 35 ）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示迪mensions在：
英寸[毫米]
每单位的部分重量（克）： 0.0416
1998年9月，修订版A
