EN27C512
EN27C512达512Kbit EPROM （ 64K ×8 ）
特点
快速读取访问时间
:
-
45 ， -55 ， -70和-90ns
单5V电源
编程电压+ 12.75V
QuikRite
TM
闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
28引脚PDIP
32引脚PLCC
28引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
30毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
高可靠性的CMOS技术
概述
该EN27C512是一种低功率达512Kbit ，5V -只一次性可编程（OTP）的只读
存储器（EPROM） 。组织成64K字，每个字8位，它的功能QuikRite
TM
单
地址位置的编程，典型地在每字节为20μs 。任何字节不到访问
为45nS ，省去了在高性能微处理器系统等待状态。该
EN27C512有独立的输出使能（
OE
）和芯片使能（
CE
）控制消除
总线争用问题。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A15
DQ0-DQ7
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
CE
OE
NC
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
1
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN27C512
图4.框图
功能说明
THE QUIKRITE
TM
编程EN27C512的
当EN27C512交付，该芯片具有全512K位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过编程的程序加载到EN27C512 。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加到
OE
/V
PP
引脚和
CE
是V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于与8位并行
数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27C512的每个地址。编程算法的这一部分做的
V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM的位被设定为一个足够高的阈值
电压。这确保了所有的位有足够的余量。最后的地址完成后，
整个EPROM存储器读出在V
CC
= 5.25
±
0.25V ，以验证整个存储器。
TM
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加利福尼亚州圣克拉拉95054
3
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传真： 408-235-8685
EN27C512
编程禁止模式
多EN27C512在不同的数据并行编程也很容易完成
通过编程禁止模式。以外
CE
，平行EN27C512的都喜欢投入
可以是常见的。一个TTL低层次的编程脉冲应用到EN27C512
CE
输入与
OE
/V
PP
= 12.75
±
0.25V会编程的EN27C512 。一个高级别
CE
输入抑制
其他EN27C512被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与进行
OE
/V
PP
和
CE
在V
IL
。数据
应核实
t
DV
的下降沿之后
CE
.
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM的
将确定其制造商和型号。此模式适用于通过编程设备的使用
用于自动地匹配装置的目的，而其对应的被编程
规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
当编程EN27C512所需。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
的EN27C512 。两个标识符字节然后可从该装置的输出通过测序
从V切换地址线A0
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须在举行
V
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27C512 ，这两个标识符字节中给出了模式选择表。所有标识符
制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。如果A1 = V
IL
，该EN27C512会读出7F ，延续代码的二进制代码，
意味着制造商ID代码的可用性。
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
4
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN27C512
读取模式
该EN27C512具有两个控制功能，这两者都必须在逻辑上满足以
得到的数据输出。芯片使能（
CE
）为所述功率控制，并应被用于
设备选择。输出使能（
OE
）是输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚，独立的设备选择。假设地址是稳定的，
地址访问时间（t
加
）等于从延迟
CE
输出（T
CE
） 。数据可在
输出（T
OE
）的下降沿后
OE
，假定
CE
一直不高和
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27C512由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到20μA电流。
这是摆在CMOS待机时
CE
是V
CC
±
0.3 V的EN27C512也有一个与TTL
待机模式下降低最大V
CC
1.0 mA的电流。它被放置在与TTL
待机时
CE
是V
IH
。当处于待机模式时，输出处于高阻抗
状态，独立的
OE
输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能以允许
为：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
所以建议
CE
被解码并作为主设备的选择功能，而
OE
可向阵列中的所有设备共同连接并连接到所述读行
从系统控制总线。这保证了所有选择的存储设备是在其低
功耗待机模式，而输出引脚是唯一活性当数据从一个所希望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应当V的每一个设备上使用
CC
和V
SS
尽量减少瞬态效应。此外，为了克服了电压降
印刷电路板的电感效应的痕迹在EPROM阵列，一个4.7μF的大容量电解
电容应V之间使用
CC
和V
SS
每个8设备。的位置
电容应该是接近的地方，电源连接到阵列。
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特点
快速读取访问时间
:
-
45 ， -55 ， -70和-90ns
单5V电源
编程电压+ 12.75V
QuikRite
TM
闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
28引脚PDIP
32引脚PLCC
28引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
30毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
高可靠性的CMOS技术
概述
该EN27C512是一种低功率达512Kbit ，5V -只一次性可编程（OTP）的只读
存储器（EPROM） 。组织成64K字，每个字8位，它的功能QuikRite
TM
单
地址位置的编程，典型地在每字节为20μs 。任何字节不到访问
为45nS ，省去了在高性能微处理器系统等待状态。该
EN27C512有独立的输出使能（
OE
）和芯片使能（
CE
）控制消除
总线争用问题。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A15
DQ0-DQ7
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
CE
OE
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当EN27C512交付，该芯片具有全512K位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过编程的程序加载到EN27C512 。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加到
OE
/V
PP
引脚和
CE
是V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于与8位并行
数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27C512的每个地址。编程算法的这一部分做的
V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM的位被设定为一个足够高的阈值
电压。这确保了所有的位有足够的余量。最后的地址完成后，
整个EPROM存储器读出在V
CC
= 5.25
±
0.25V ，以验证整个存储器。
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编程禁止模式
多EN27C512在不同的数据并行编程也很容易完成
通过编程禁止模式。以外
CE
，平行EN27C512的都喜欢投入
可以是常见的。一个TTL低层次的编程脉冲应用到EN27C512
CE
输入与
OE
/V
PP
= 12.75
±
0.25V会编程的EN27C512 。一个高级别
CE
输入抑制
其他EN27C512被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与进行
OE
/V
PP
和
CE
在V
IL
。数据
应核实
t
DV
的下降沿之后
CE
.
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM的
将确定其制造商和型号。此模式适用于通过编程设备的使用
用于自动地匹配装置的目的，而其对应的被编程
规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
当编程EN27C512所需。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
的EN27C512 。两个标识符字节然后可从该装置的输出通过测序
从V切换地址线A0
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须在举行
V
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27C512 ，这两个标识符字节中给出了模式选择表。所有标识符
制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。如果A1 = V
IL
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意味着制造商ID代码的可用性。
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4
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读取模式
该EN27C512具有两个控制功能，这两者都必须在逻辑上满足以
得到的数据输出。芯片使能（
CE
）为所述功率控制，并应被用于
设备选择。输出使能（
OE
）是输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚，独立的设备选择。假设地址是稳定的，
地址访问时间（t
加
）等于从延迟
CE
输出（T
CE
） 。数据可在
输出（T
OE
）的下降沿后
OE
，假定
CE
一直不高和
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27C512由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到20μA电流。
这是摆在CMOS待机时
CE
是V
CC
±
0.3 V的EN27C512也有一个与TTL
待机模式下降低最大V
CC
1.0 mA的电流。它被放置在与TTL
待机时
CE
是V
IH
。当处于待机模式时，输出处于高阻抗
状态，独立的
OE
输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能以允许
为：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
所以建议
CE
被解码并作为主设备的选择功能，而
OE
可向阵列中的所有设备共同连接并连接到所述读行
从系统控制总线。这保证了所有选择的存储设备是在其低
功耗待机模式，而输出引脚是唯一活性当数据从一个所希望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应当V的每一个设备上使用
CC
和V
SS
尽量减少瞬态效应。此外，为了克服了电压降
印刷电路板的电感效应的痕迹在EPROM阵列，一个4.7μF的大容量电解
电容应V之间使用
CC
和V
SS
每个8设备。的位置
电容应该是接近的地方，电源连接到阵列。
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