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公告I27149 08/07
EMP25P12B
PIM +
EMP特点:
电源模块:
NPT IGBT的25A , 1200V
为10μs短路能力
广场RBSOA
低的Vce
(上)
( 2.28Vtyp @ 25A , 25 ° C)
积极的Vce
(上)
温度COEF网络cient
第三代技术HEXFRED
低二极管V
F
( 1.76Vtyp @ 25A , 25 ° C)
软反向恢复
4MΩ传感电阻器上的所有相位输出,
DCBUS负轨
导热系数< 50PPM / ℃,
包装:
EMP - 逆变器( EconoPack 2大纲兼容)
电源模块原理图:
描述
该EMP25P12B是功率集成模块电机
驱动程序与应用程序在所有的嵌入式传感电阻器
三相输出电流。
每个感测电阻器的磁头被直接键合到
外部引脚以减少寄生效应,实现高
精确反馈电压。
因为它们的导热系数是非常低的,没有任何价值
补偿横跨整个工作所需
温度范围。
该器件采用了EMP封装,完全兼容
长度,宽度和高度与EconoPack 2的轮廓。
TM
三相并网逆变器电流检测
所有输出相和热敏电阻
电源模块框架引脚映射
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1
EMP25P12B
I27149 08/07
引脚映射
符号
DC IN +
DC IN -
DC +
DC -
TH +
TH -
SH +
SH -
G1/2/3
E1/2/3
R1/2/3 +
R1/2/3 -
G4/5/6
E4/5/6
OUT1/2/3
直流母线和电源输入引脚
直流母线负电源输入引脚
直流母线外加信号的连接(开尔文点)
直流母线负信号的连接(开尔文点)
温度传感器正输入端
热传感器负输入端
直流母线负系列分流器正输入端(开尔文点)
直流母线负系列分流器的负输入(开尔文点)
门连接高侧IGBT
高侧IGBT发射器的连接(开尔文分)
输出电流检测电阻器的正输入( IGBT的发射1/2/3一边,点开尔文)
输出电流检测电阻器的负输入端(电机侧,开尔文分)
门连接的低侧IGBT
低压侧IGBT的发射极连接(开尔文分)
三相功率输出管脚
铅说明
绝对最大额定值(T
C
=25C)
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。
所有电压参数参考V绝对电压
DC-
,所有的电流为流入任何铅。
热电阻和功耗额定值是在静止空气条件下测得的。
符号
V
DC
V
CES
I
C @ 100C
I
C @ 25C
I
CM
逆变器
I
F @ 100℃
I
F @ 25℃
I
FM
V
GE
P
@ 25°C
P
@ 100℃
MT
动力
模块
T
J
T
英镑
VC- ISO
直流母线电压
集电极 - 发射极电压
连续的IGBT集电极电流(T
C
= 100C ,无花果。 1 )
连续的IGBT集电极电流(T
C
= 25 C ,图1)
集电极电流脉冲(图3 ,图CT.5 )
连续二极管正向电流(T
C
= 100 C)
连续二极管正向电流(T
C
= 25 C)
二极管的最大正向电流
门到发射极电压
功耗(单管)
功耗(单管,T
C
= 100 C)
安装力矩
工作结温
存储温度范围
隔离电压为基地铜板
-40
-40
-2500
-20
参数定义
分钟。
0
0
马克斯。
1000
1200
25
50
100
25
50
100
+20
192
77
3.5
+150
+125
+2500
V
W
Nm
C
V
A
单位
V
www.irf.com
2
EMP25P12B
I27149 08/07
电气特性:
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。
T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
( BR ) CES
V
( BR ) CES /
T
参数定义
集电极到发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
分钟。
1200
+1.2
2.28
V
CE (ON)的
集电极到发射极饱和电压
3.2
2.74
V
GE (日)
V
GE (日) /
Tj
g
fe
栅极阈值电压
温度。 COEFF 。阈值电压
转发Trasconductance
14.8
4.0
5.0
-1.2
16.9
19.0
250
I
CES
零栅极电压集电极电流
325
675
2000
V
FM
I
RM
I
GES
R1/2/3
RSH
二极管的正向压降
二极管的反向漏电流
门到发射极漏电流
传感电阻器
直流母线负一系列分流电阻器
3.96
3.96
4
4
1.76
1.87
2.06
2.18
20
±100
4.04
4.04
V
A
nA
m
A
2.56
3.65
3.10
6.0
V
毫伏/ OC
S
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V / OC
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安( 25 - 125 °C)
I
C
= 25A ,V
GE
= 15V
I
C
= 50A ,V
GE
= 15V
I
C
= 25A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 125 C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安( 25 - 125 °C)
V
CE
= 50V ,我
C
= 25A , PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ,T
J
= 125 C
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ,T
J
= 150 C
I
C
= 25A
I
C
= 25A ,T
J
= 125 C
V
R
= 1200V ,T
J
= 25 C
V
GE
=± 20V
8
8
5, 6
7, 9
10, 11
12
图。
概述
在EMP模块包含六个IGBT和HexFreds
二极管在标准反相器的配置。使用的IGBT
是新1200V NPT -25A (额定电流测量
100 ° ) ,国际整流器代V ;该
HEXFRED二极管已被专门设计为对
元素,这些功率晶体管。由于新的
设计和技术实现,这些设备不
不需要任何负栅极电压为自己整圈脱落;
而且长尾效应也显着减少
相比同系列的竞争产品。这
特征极大地简化了栅极驱动级。
在这种类型的电源模块的另一创新特点是
的感测电阻器的三个输出中存在
阶段,对于精确的电机电流检测和短路
保护,以及相同的值的另一电阻
在DC总线负信号线,只需要对设备
保护的目的。在EMP的完整原理图
模块显示第1页,所有检测电阻上
已清楚地证实,具有热传感器
负温度系数也被嵌入在
器件结构。
选择的包是与机械相容
众所周知EconoPack轮廓,对另外的高度
塑料圆柱螺母的外部印刷电路板定位在
其顶部是相同的EconoPack二,因此,随着
只有重新布局的主要主板,该模块能适应
成标准的相同的机械固定件
EconoPack II封装从而加快设备
评价在一个已经存在的驱动程序。一个重要的
这种新设备的特点是开尔文的存在
所有的反馈和命令信号的连接
董事会和优势模块之间
让所有发射器和电阻器感应独立
主电源路径。最终的好处是所有的低功率
信号从/到控制电路板不受
寄生电感和电阻不可避免地存在于
模块电源布局。新的封装外形是
在第1页底部公告显示,由于高
这些输入直流总线电源引脚的电流尖峰
规模扩大了一倍相比其他电源引脚。模
技术采用的标准,清楚地知道DBC (直接
可焊铜) :在一个厚铜基地allumina
(阿尔
2
O
3
)用300μm的铜箔基板上的两侧是
置于与IGBT和二极管管芯被直接焊接,
通过丝网印刷工艺。这些模具都是那么
键合有一个15密耳铝导线用于电源和信号
连接。所有组分然后完全覆盖
通过用于机械保护和电硅凝胶
隔离的目的。
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3
EMP25P12B
I27149 08/07
开关特性:
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。
T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
TD (上)
Tr
TD (关闭)
Tf
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
参数定义
总栅极电荷(打开)
门 - 发射极电荷(打开)
门 - 集电极费(打开)
打开开关损耗
关闭开关损耗
总开关损耗
打开开关损耗
关闭开关损耗
总开关损耗
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
典型值
169
19
82
1.9
1.3
3.2
2.7
2.0
4.7
192
33
213
210
2200
210
85
完整的正方形
PF
最大
254
29
123
3.6
2.0
5.6
4.6
2.3
6.9
210
49
227
379
ns
V
GE
= 15V ,R
G
= 20Ω , L = 200μH
V
CC
= 30V
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
T
J
= 150 C ,我
C
= 100A ,V
GE
= 15V至0V
V
CC
= 1000V, V
p
= 1200V ,R
G
= 5
s
1820
300
25
32
0.65
0.95
0.03
2400
J
ns
A
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
另请参阅图24和25
24,25
T
J
= 150 C ,V
GE
= 15V至0V
V
CC
= 1000V , VP = 1200V ,R
G
= 5
T
J
= 125 C
I
F
= 25A ,V
CC
= 600V,
V
GE
= 15V ,R
G
= 20Ω , L = 200μH
4
CT2
CT3
WF4
17,18
19,20
21
CT4
WF3
22
I
C
= 25A ,V
CC
= 600V ,T
J
= 125 C
mJ
mJ
nC
单位
I
C
= 25A
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A ,V
CC
= 600V ,T
J
= 25 C
V
GE
= 15V ,R
G
= 20Ω , L = 200μH
尾和二极管牧师恢复包括
I
C
= 25A ,V
CC
= 600V ,T
J
= 125 C
V
GE
= 15V ,R
G
= 20Ω , L = 200μH
尾和二极管牧师恢复包括
CT4
WF1
WF2
13,
15
CT4
WF1
WF2
14,16
CT4
WF1
WF2
测试条件
图。
23
CT1
SCSOA
E
REC
TRR
IRR
RTH
JC_T
RTH
JC_D
RTH
C-H
短路安全工作区
二极管的反向恢复精力
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
每个IGBT为紫铜板的热阻
每个二极管,以铜板热电阻
模块铜板散热片热
性。硅脂应用= 0.1毫米
10
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4
EMP25P12B
I27149 08/07
图。 1 - 最大DC集电极
电流与外壳温度
图。 2 - 功耗对比
外壳温度
T
C
= (C)
T
C
= (C)
图。 3 - 正向SOA
T
C
= 25℃ ; TJ
150C
图。 4 - 反向偏置SOA
TJ = 150°C ,V
GE
= 15V
V
CE
= (V)
V
CE
= (V)
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