EM641FT8
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512K ×8位低功耗全CMOS静态RAM
低功耗， 512Kx8 SRAM
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最初的草案
0.1版本
I
DR
电流从1.5uA到7UA
t
OE
从25nsec到30nsec与55ns的一部分
草案日期
二〇〇七年十一月二十零日
2007年12月5日
备注
初步
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
电话： + 82-64-740-1712传真： + 82-64-740-1749 1750 /主页： www.emlsi.com
新兴的内存&逻辑解决方案公司
邮编： 690-719
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1
EM641FT8
512K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
- 超高速：为45nS
- 工艺技术： 0.15um CMOS全
- 组织： 512K X8
- 电源电压
= > EM641FT8V ： 4.5V 5.5V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
- KGD基于SOP封装结构
低功耗， 512Kx8 SRAM
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um +/- 15微米
-
典型的顶层金属化：
= >金属（钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅） ： 5.2K埃
-
顶面钝化：
= >钝化（ HDP / pNIT / PIQ ） ： 5.4K埃
-
典型的垫尺寸： 76.0um X 80.0um
-
晶圆直径： 8英寸
功能框图
预充电电路
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
512K ×8
I / O
0
- I / O
7
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
WE
OE
CS
控制逻辑
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
18
I / O
0
-I / O
7
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
V
CC
V
SS
功能
电源
地
2
EM641FT8
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
供应相对于V的Vcc电压
SS
功耗
工作温度
低功耗， 512Kx8 SRAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.5至6.0V
-0.5至6.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
注意：
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
功能操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间会影响其可靠性。
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I / O
0-7
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
模式
取消/省电
读
写
选中，禁止输出
动力
支持
活跃
活跃
活跃
注意：
X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
EM641FT8
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
2)
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
4)
典型值
-
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
3)
0.6
低功耗， 512Kx8 SRAM
单位
V
V
V
V
注意事项：
1， TA = -40 85
o
C，另有规定
2.过冲： VCC + 1.0V的情况下脉冲宽度为20ns <
3.冲： -1.0 V的情况下，脉冲宽度为20ns <的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC电气特性
(T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS<0.2V ，V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS>V
CC
-0.2V
其他输入= 0 Vcc的
（典型值条件：V
CC
=5V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=5.5V @ 85
o
C)
45ns
55ns
70ns
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
5
7
65
55
45
0.4
-
1
单位
uA
uA
mA
mA
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LF
-
1.5
1)
20
uA
注意事项：
1.Typical值是在Vcc = 5V ，T测
A
=25
o
C和不是100 ％测试。
4
EM641FT8
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0V至V
CC
输入上升和下降时间： 1V / ns的
输入和输出参考电压： 0.5V
CC
输出负载（见右图） ： CL
1)
= 100pF电容+ 1 TTL （为70ns ）
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
注意事项：
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
= 1800欧姆，
R
2
= 990欧姆
3. V
TM
=
V
CC
4， CL = 5pF的+ 1 TTL （测量与TLZ ， TOLZ ，太赫兹， tOHZ ， tWHZ ）
低功耗， 512Kx8 SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
产量
CL
1)
R
2
2)
读周期
(V
cc
= 4.5V至5.5V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
45
45
25
-
-
20
15
-
民
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55ns
最大
-
55
55
30
-
-
20
20
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 4.5V至5.5V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
35
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
15
民
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
55ns
最大
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
50
0
0
30
-
-
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
