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EM25LV512
512 K( 64K ×8 )位串行闪存
规范
概述
该EM25LV512是组织为64K ×8位的512K比特闪存,并使用单一
电压为2.7-3.6V编程和擦除的。它具有典型的2ms的页编程时间和
一个典型的40ms的块擦除时间。该设备使用状态寄存器以检测完成
在编程或擦除操作。为了防止意外写操作,该器件具有片上
硬件和软件数据保护方案。该器件提供典型的10万次
耐力和超过10年的数据保存。该EM25LV512符合SPI
总线兼容的串行接口。它由四个引脚(串行时钟,片选,串行数据
中,和串行数据输出),该支持高达33MHz的高速串行数据传输。该
抱脚,写保护引脚和可编程写保护功能提供灵活的控制。
该EM25LV512提供8引脚SO封装,已知良好芯片(KGD ) 。对于KGD ,
请与义隆电子股份有限公司或其代表的详细信息(见
附录于本规范订购信息)的底部。
该EM25LV512器件适用于需要回忆便捷的应用
和程序,数据或配置,如图形卡经济升级,硬盘
驱动器,网卡,液晶显示器,无绳电话等。
特点
单电源供电
全电压范围从2.7到3.6
伏读取和写入操作
稳压电压范围: 3.0 3.6
伏读取和写入操作
小的块擦除功能
块:统一32K字节
时钟速率
为33MHz (最大)
耗电量
工作电流: 4毫安(典型值)
掉电模式待机
电流: 1μA (典型值)
页编程功能
多达256个字节的2毫秒(典型值)
删除功能
块擦除时间: 40毫秒(典型值)
芯片擦除时间: 40毫秒(典型值)
自动写时序
内部VPP生成
SPI总线兼容的串行接口
高可靠性:
耐力周期: 100K (典型值)
数据保存: 10年
封装选项
8引线-SO (150密耳)的
本规范如有变更,恕不另行通知。 ( 2004年11月8日V1.0 )
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EM25LV512
512 K( 64K ×8 )位串行闪存
规范
引脚分配
S#
Q
W#
VSS
1
2
8
VCC
HOLD #
C
D
SO8 7
顶视图
3
6
4
5
图0 :
引脚分配
引脚说明
引脚名称
C
D
Q
S#
W#
HOLD #
V
DD
V
SS
功能
串行时钟
1
串行数据输入
2
串行数据输出
3
芯片选择
4
写保护
HOLD
6
电源电压
5
表1:
引脚说明
1串行时钟(C ) :
这个输入引脚为串行输入和输出操作的时序。说明,
地址或数据出现在串行数据输入(D)中被锁存的串行上升沿
时钟(C) 。在串行时钟( C)的下降沿后串行数据输出( Q)的变化数据。
2串行数据输入(D ) :
这个输入引脚提供指令,地址和数据进行串行写入的装置
该设备。数据被锁存串行时钟( C)的上升沿。
3串行数据输出( Q) :
这个输出引脚提供数据和状态的装置进行串行从设备中读取。数据
是移出串行时钟( C)的下降沿。
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EM25LV512
512 K( 64K ×8 )位串行闪存
规范
4芯片选择(S # ) :
当该输入信号为高时,取消选择器件和串行数据输出( Q),是在高
阻抗状态。除非内部编程,擦除或写状态寄存器周期中
进展,该设备将处于待机模式(这不是深度掉电模式)。
驱动芯片选择(S # )低使得该设备,并将其放置在有功功率模式。
电后,在芯片选择(S # )的下降沿先于任何启动时所需
指令。
5写保护( W# ) :
这个输入引脚可以用于防止状态寄存器的写入和活性低。
当结合使用状态寄存器的块保护( BP1和BP1 )位,
状态寄存器保护( SRWD )位的一部分或整个存储器阵列可以是硬件
受保护的。
6保持(HOLD # ) :
这种输入管脚用于暂停与该设备的任何串行通信,而不需要
取消选择该设备。当HOLD #被拉低,串行数据输出( Q)为高
阻抗状态,串行数据输入(D ) &串行时钟(C)是不在乎。要启动
保持状态,设备必须与芯片选择(S # )驱动为低电平来选择。
SPI模式
这些设备可以被驱动通过一个微控制器,其SPI外设运行中的任一
以下两种模式:
CPOL = 0 , CPHA = 0
CPOL = 1 , CPHA = 1
在这两种模式中,输入数据被锁存到串行时钟( C)的上升沿,并
输出数据是从串行时钟( C)的下降沿。
两种模式之间的差异,如图2中所示,是在时钟极性时
总线主机在待机模式而不是传输数据:
保持在0 ( CPOL = 0 , CPHA = 0 )
保持在1 ( CPOL = 1 , CPHA = 1 )
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EM25LV512
512 K( 64K ×8 )位串行闪存
规范
SDO
SPI接口
与( CPOL , CPHA )
= (0,0)或(1,1)的
SDI
SCK
C
总线主控
( ST6 , ST7 , ST9 ,
ST10 ,其他)
Q
D
C
Q
D
C
Q
D
SPI
MEM ORY
设备
S#
W#
HOLD #
S#
SPI
MEM ORY
设备
W#
HOLD #
S#
SPI
MEM ORY
设备
W#
HOLD #
CS3 CS2 CS1
图1:
SPI总线上总线主机和存储设备
(CPOL=CPHA=0)
C
(CPOL=CPHA=1)
C
D
Q
最高位
最高位
图2:
SPI模式支持
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EM25LV512
512 K( 64K ×8 )位串行闪存
规范
存储器组织
该存储器分为:
65,536字节(每个字节8位)
2块( 256K比特或每块32,768字节)
256页(每页256字节)
每一页可单独编程(位从“1”设定为“0”) 。该
设备是块或片可擦除(位从“0”擦除为“1” ),而不是页面可擦除。
1
0
地址范围
8000h
0000h
FFFFH
7FFFh
表2:
存储器组织
HOLD #
W#
S#
C
D
Q
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
地址寄存器
和反
256字节的数据缓冲区
状态
注册
FFFFH
Block1
X解码器
8000h
7FFFh
大小
只读
米EM ORY区
Block0
0000h
256个字节(页面大小)
00FFh
y解码器
图2:
SPI模式支持
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第30个5
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