【盖数据表位2G DDR3 SDRAMEDJ2104BDBG （ 512M词×4比特）EDJ2108B】,IC型号EDJ2108BDBG-GN-F,EDJ2108BDBG-GN-F PDF资料,EDJ2108BDBG-GN-F经销商,ic,电子元器件-51电子网

盖

数据表

位2G DDR3 SDRAM

EDJ2104BDBG （ 512M词

4比特）

EDJ2108BDBG （ 256M词

8比特）

特定网络阳离子

密度： 2G位

组织

- 64M的话

4位

8银行（ EDJ2104BDBG ）

- 32M的话

8位

8银行（ EDJ2108BDBG ）

包

- 78球FBGA （ EDJ2104BDBG ， EDJ2108BDBG ）

- 无铅（符合RoHS）和无卤素

电源： VDD = 1.5V

0.075V

=数据速率

- 1866Mbps / 1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps /

800Mbps的（最大）

1KB的页面大小

- 行地址： A0到A14

- 列地址： A0到A9 ， A11 （ EDJ2104BDBG ）

A0到A9 （ EDJ2108BDBG ）

八个内部银行的并发操作

接口： SSTL_15

突发长度（ BL ）： 8和4突发印章（ BC）

突发类型（ BT ）：

- 顺序（ 8,4与BC）

- 交错（ 8,4与BC）

/ CAS延迟（CL）：5， 6 ，7，8 ，9，10 ，11，13

/ CAS写入延迟（ CWL ）： 5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力： RZQ / 7 ， RZQ / 6 （ RZQ = 240Ω ）

刷新：自动刷新，自刷新

刷新周期

- 平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

+85°C

3.9μs ，在+ 85°C < TC

≤

+95°C

工作温度范围

- TC = 0 ° C至+ 95°C

特点

双数据速率的架构：每两次数据传输

时钟周期

高速数据传输是通过8位来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换

进入每个积极的CK边缘的命令;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩模（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片上端接（ ODT）为更好的信号质量

- 同步ODT

- 动态ODT

- 异步ODT

多用途寄存器（ MPR ）的预定义样式

读出

ZQ校准DQ驱动和ODT

可编程部分阵列自刷新（ PASR ）

/ RESET引脚的上电顺序和复位功能

SRT范围：

- 正常/扩展

可编程输出驱动器阻抗控制

文档。第E1772E40 （版本4.0 ）

发布日期2012年12月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

尔必达内存公司2011-2012

EDJ2104BDBG ， EDJ2108BDBG

订购信息

产品型号

EDJ2104BDBG-JS-F

EDJ2104BDBG-GN-F

EDJ2104BDBG-DJ-F

EDJ2104BDBG-AE-F

EDJ2104BDBG-8C-F

EDJ2108BDBG-JS-F

EDJ2108BDBG-GN-F

EDJ2108BDBG-DJ-F

EDJ2108BDBG-AE-F

EDJ2108BDBG-8C-F

DIE

调整

组织

（字

位）

国内

银行

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR3-1866M （ 13-13-13 ）

DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

DDR3-800E （ 6-6-6 ）

DDR3-1866M （ 13-13-13 ）

DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

DDR3-800E （ 6-6-6 ）

包

78球FBGA

512M

78球FBGA

256M

产品型号

D，J 21 04 B D BG - JS- F

尔必达内存

TYPE

D：包装设备

产品系列

记者： DDR3

密度/银行

21 ：2GB / 8银行

环境法规

F：无铅（符合RoHS）

和无卤

速度

JS ： DDR3-1866M （ 13-13-13 ）

GN ： DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DJ ： DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

AE ： DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

8C ： DDR3-800E （ 6-6-6 ）

包

BG ： FBGA

组织

04: x4

08: x8

电源，接口

B： 1.5V ， SSTL_15

牧师死亡

详细信息

有关详细的电气性能和更多信息，请参阅DDR3 SDRAM一般功能

电气条件数据表（ E1926E ）。

数据表E1772E40 （版本4.0 ）

EDJ2104BDBG ， EDJ2108BDBG

销刀豆网络gurations

引脚配置（ × 4 / × 8配置）

/ xxx表示低电平有效的信号。

78球FBGA （ × 4配置）

VSS

VSS VSSQ

VDDQ

VSSQ

VREFDQ VDDQ

ODT

VSS

VDD

VSS

VSS / RESET A13

（ TOP VIEW ）

A14

VSS

VDD

A11

VSS

VDD

A12 （ / BC） BA1

VDD

VSS

VDD

BA0

BA2

VREFCA VSS

VDD

/ CS

/ WE

A10(AP)

VSS

VDD

/ CAS

/ CK

VDD

CKE

VSS

/ RAS

VSS

ODT

VDDQ

/ DQS

VDD

VSS

VSSQ

DQ2

的DQ

DQ1

DQ3

VSSQ

DQ0

VDDQ VSSQ

VDDQ

VDD

VSS

VDD

VSS

78球FBGA （ × 8配置）

VDD

DQ0

的DQ

/ DQS

DQ4

/ RAS

/ CAS

/ WE

BA2

VDD

NU / （ / TDQS ）

VSS

VSS VSSQ

DQ2

DQ6

DM / TDQS

VDDQ VSSQ

DQ1

VDD

DQ7

/ CK

A10(AP)

DQ3

VSS

DQ5

VSS

VDD

VSSQ

VDDQ

CKE

VREFDQ VDDQ

VSS

VDD

/ CS

BA0

VREFCA VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

A12 （ / BC） BA1

A11

A14

（ TOP VIEW ）

VSS / RESET A13

引脚名称

A0到A14 *

功能

地址输入

A10 （ AP）：自动预充电

A12 （ / BC ）：突发印章

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

终止数据选通

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

ODT控制

引脚名称

/ RESET *

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREFDQ

VREFCA

NC *

NU *

功能

低电平有效的异步复位

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

参考电压DQ

参考电压CA

参考引脚ZQ校准

无连接

不可用

BA0至Ba2 *

DQ0到DQ7

DQS ， / DQS

TDQS ， / TDQS

/ CS *

/ RAS ， / CAS ， /我们*

CKE *

CK ， / CK

ODT *

注：1 。

内部不带芯片连接。

不要连接。内部连接。

仅输入引脚（地址，命令， CKE ， ODT和/ RESET ）不提供端接。

数据表E1772E40 （版本4.0 ）

EDJ2104BDBG ， EDJ2108BDBG

产品规格........................................................................................................................................ 1

特点................................................................................................................................................ 1

订购信息............................................................................................................................. 2

产品型号.......................................................................................................................................... 2

详情.............................................................................................................................. 2

引脚配置................................................................................................................................. 3

1.电气条件......................................................................................................................五

1.1

1.2

1.3

1.4

绝对最大额定值..............................................................................................................5

工作温度条件....................................................................................................5

建议的直流工作条件.............................................. .......................................... 6

IDD和IDDQ测量条件............................................. ............................................. 7

直流特性.......................................................................................................................... 18

引脚电容.............................................................................................................................. 20

标准速度垃圾桶...................................................................................................................... 22

78球FBGA .................................................................................................................................. 27

电气规格............................................................................................................... 18

2.1

2.2

2.3

包装图......................................................................................................................... 27

3.1

推荐焊接条件............................................... ........................................... 28

数据表E1772E40 （版本4.0 ）

EDJ2104BDBG ， EDJ2108BDBG

电气条件

所有电压参考VSS （ GND）

执行上电和初始化顺序正确的设备操作之前完成。

1.1

绝对最大额定值

表1 ：绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

输入电压

输出电压

参考电压

参考电压DQ

储存温度

功耗

短路输出电流

注：1 。

符号

VDD

VDDQ

VIN

VOUT

VREFCA

VREFDQ

TSTG

IOUT

等级

0.4

到1.975

0.4

到1.975

0.4

到1.975

0.4

到1.975

0.4

0.6

VDD

0.4

0.6

VDDQ

+100

1.0

单位

°C

笔记

1, 3

1, 2

应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这

是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响其可靠性。

储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

VDD和VDDQ必须在彼此的时候都为300mV ;和VREF必须不大于0.6

VDDQ ，当

VDD和VDDQ的是小于500mV的; VREF可以等于或小于300mV的。

注意：该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

1.2

工作温度条件

表2 ：工作温度条件

参数

工作温度

注：1 。

符号

等级

0至+95

单位

°C

笔记

1, 2, 3

工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

正常温度范围规定，所有的DRAM规格将支持温度。中

操作中，必须保持在0 ℃至+ 85 ℃下的DRAM的情况下，温度在所有操作条件下。

有些应用需要在+ 85° C和+ 95°C的情况下扩展级温度范围DRAM的操作

温度。规格齐全，保证在这个范围内，但以下附加条件：

一）刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到3.9μs 。（这双

刷新要求不得申请某些设备。）

b）若需要，在扩展温度范围自刷新操作，则它是强制性的，以要么使用手册

自刷新模式，支持扩展温度范围的能力（ MR2位[ A6 ， A7 ] = [ 0,1 ] ），或启用自动可选

自刷新模式（ MR2的位[ A6，A7 ] = [ 1,0 ]）。

数据表E1772E40 （版本4.0 ）