EB51F5
系列
温度补偿
晶体振荡器（ TCXO ）
HCMOS输出
5.0V电源电压
稳定性为1.5PPM
内部机械调整
=外部电压
可用的控制选项
笔记
EB51F5
H 8.3
L 20.3
W 13.0
振荡器
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电气规格
频带
工作温度范围
存储温度范围
电源电压（V
DD
)
输入电流
频率稳定度
1.544MHz至44.736MHz
参照表1
-55 ° C至125°C
5.0V
DC
±5%
15毫安最大< 20.000MHz ，
30毫安最大> 20.000MHz
± 1.0ppm的（额定V
DD
和V
C
，在25℃下）
见表1 （额定V
DD
和V
C
)
± 0.3ppm最大
± 0.2ppm的最大
± 1PPM /年最大
V
DD
- 0.5V
DC
最低
0.5V
DC
最大
6 n秒最大
50 ±5(%)
30pF的HCMOS最大负荷
0.0V
DC
到V
DD
2.5V
DC
±2.0V
DC
± 7ppm的最低，± 20ppm的最大
± 10 ％最大
± 3ppm的最小（顶部接入）
10kOhms典型
-70dBc / Hz典型
-100dBc / Hz典型
-130dBc / Hz典型
-140dBc / Hz典型
-145dBc / Hz典型
电压
类
转
.
日期
测量在稳定状态，在25 ℃，公称通V
DD
在
标称V
C
与初始频率公差
与工作温度范围
- 输入电压（V
DD
±5%)
与负载（ ± 10 ％ ）
老化（ 25℃时）
输出电压逻辑高（V
OH
)
输出电压逻辑低电平（ V
OL
)
上升时间/下降时间
占空比
负载驱动能力
控制电压范围
控制电压（外部）
频率偏差
线性
内部TRIM
输入阻抗
相位噪声（在19.440MHz ）
20 ％至80％的波形的
在波形50％
正迁移特性
引用到F
O
在V
C
= 2.5V
DC
, V
DD
= 5.0V
DC
测量温度为25 ° C，V
DD
=5.0V
DC
, V
C
=2.5V
DC
测量温度为25℃ ，在额定V
DD
在额定V
C
在10Hz的偏移
在100Hz偏移
在1kHz偏移
在10kHz偏移
在100kHz偏移
系列
包
生产厂家
类别
Ecliptek公司公司
振荡器
EB51F5
14引脚DIP
5.0V
OS3A
06/04
800 Ecliptek公司www.ecliptek.com的最新版本
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
品名指南
EB51F5 ×15 A V - 12.800M - 摹
初始容差
G = ± 1.0ppm的最大
频率稳定度
两位代码每桌1
工作温度。范围
单字母密码每桌1
可选项
空白=无（标准）
CB =切引出2.540 ± 0.500 （ 0.100“ ± 0.020 ” ）
CC =切引出3.175 ± 0.500 （ 0.125“ ± 0.020 ” ）
CD =切引出3.810 ± 0.500 （ 0.150 “± 0.020 ” ）
CE =切引出4.445 ± 0.500 （ 0.175 “± 0.020 ” ）
G =全尺寸鸥翼型
频率
外部调整
N =无（引脚1无连接）
在引脚1 V =电压控制
机械尺寸
以毫米为单位所有尺寸
标识规格
1号线： Ecliptek公司
线路2： XX.XXX M
M →兆赫
频率（5位数字+的最大十进制）
3号线： XX ZZ
新年的一周
最后一个数字的年份
Ecliptek公司制造标识
注：1脚应指定一个点
1脚：电压控制或无连接
引脚7 ：外壳接地
引脚8 ：输出
引脚14 ：电源电压
环保/机械特性
特征
精细泄漏测试
总泄漏测试
机械冲击
振动
诚信铅
可焊性
温度循环
焊锡耐热性
耐溶剂性
规范
MIL -STD -883方法1014 ，条件A （内部晶体专用）
MIL -STD -883方法1014 ，条件C （内部晶体专用）
MIL- STD- 202方法213 ，条件C
MIL -STD -883方法2007 ，条件A
MIL -STD -883方法2004年
MIL -STD -883方法2002年
MIL -STD -883方法1010
MIL -STD -883方法210
MIL -STD -883方法215
生产厂家
类别
系列
包
电压
类
转
.
日期
Ecliptek公司公司
振荡器
EB51F5
14引脚DIP
5.0V
OS3A
06/04
800 Ecliptek公司www.ecliptek.com的最新版本
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
