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DSR07S30U
东芝二极管
硅外延肖特基型
DSR07S30U
高速开关应用
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
反向电压
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
30
700
5
125
55
到125
单位
V
mA
A
°C
°C
*:
安装在20×20毫米,垫的玻璃环氧电路板
的4×4尺寸单位mm 。
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
南加州大学
JEDEC
JEITA
东芝
1-1E1A
重量: 4.5毫克(典型值)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
I
R(1)
C
T
TEST
电路
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 200毫安
I
F
=700mA
V
R
= 30V
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
典型值。
0.30
0.41
0.50
0.50
160
最大
0.55
5
μA
pF
V
单位
记号
GN
等效电路
( TOP VIEW )
操作注意事项
肖特基势垒二极管的反向电流特性相对于其他二极管。
存在这样的可能性的SBD可能引起热失控,当它在高温或高压下使用。
请大家转发,并在设计过程中反向损失考虑在内。
1
2009-04-28
DSR07S30U
I
F
- V
F
1000
Ta=100℃
50℃
75℃
10
25℃
0℃
-25℃
1
1000
I
R
- V
R
Ta=100℃
75℃
10
50℃
1
25℃
正向电流
I
F
(MA )
100
反向电流
I
( UA)
0.6
0.7
100
0.1
0.1
0.01
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
正向电压
V
F
(V)
0.001
0
5
10
15
20
反向电压
V
R
(V)
25
30
C
T
- V
R
1000
f=1MH½
Ta=25℃
r
th
– t
½½½-½
瞬态热阻抗
(℃/W)
/ W)
r
th
(°C
ansient热阻抗RTH
10000
10000
总电容
(PF )
总CAPASITANCE
C
T
(PF )
1000
100
100
10
10
单脉冲
Ta=25℃
安装在玻璃环氧
20× 20毫米电路板,
4× 4毫米垫的尺寸。
1
0
5
10
15
20
反向电压
V
R
(V)
25
30
1
0.001
0.01
0.1
1
10
Time ½ (s)
时间
T( S)
100
1000
2
2009-04-28
DSR07S30U
限制产品使用
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产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
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日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
3
2009-04-28
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