DS90C032 LVDS四通道CMOS差分线路接收器
2003年9月
DS90C032
LVDS四通道CMOS差分线路接收器
概述
TheDS90C032是一款四通道CMOS差分线路接收器
专为需要超低功耗应用耗散
化和高数据速率。该装置被设计成支持
超过155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）采用低数据速率
电压差分信号（ LVDS ）技术。
TheDS90C032接受低压（ 350毫伏）差
输入信号，并将其转换为CMOS （ TTL兼容）
输出电平。所述接收器支持三态
功能
可以使用的复用输出。该接收机还
支持开路，短路和终止（ 100Ω ）输入故障 -
安全用加入了外部故障保险偏置。接收器
输出高电平为故障保护条件。
TheDS90C032和同伴线路驱动器（ DS90C031 ）亲
韦迪一个新的替代大功率伪ECL器件的
高速点对点接口的应用程序。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
＆ GT ;
155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）的切换率
接受小摆幅（ 350毫伏）的差分信号电平
超低功耗
600 ps的最大差分偏移（ 5V ， 25 ° C）
6.0 ns的最大传播延迟
工业的操作温度范围
军用工作温度范围选项
可在表面贴装封装（ SOIC ）和（ LCC ）
引脚DS26C32A ， MB570 （ PECL ）兼容，
41LF （ PECL ）
支持开路，短路和端接输入故障安全
兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS标准
符合ANSI / TIA / EIA- 644 LVDS标准
可用标准微电路图纸（ SMD ）
5962-95834
连接图
双列直插式
LCC封装
01194501
订单号
DS90C032TM
见NS包装数M16A
01194520
订单号
DS90C032E-QML
见NS包装数E20A
有关完整的军事规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2003美国国家半导体公司
DS011945
www.national.com
DS90C032
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（注册商标
IN +
, R
IN-
)
使能输入电压
（ EN ， EN * ）
输出电压（R
OUT
)
男包
E封装
减免男包
减额E封装
存储温度范围
铅温度范围
焊接（ 4秒）
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
1025毫瓦
1830毫瓦
8.2毫瓦/ C以上+ 25℃
12.2毫瓦/ ° C以上+ 25°C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
最大结
温度（ DS90C032T ）
最大结
温度（ DS90C032E ）
ESD额定值（注7 ）
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
,
200 pF的）
+150C
+175C
≥
3,500V
≥
250V
最大封装功耗
@
+25C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
接收器的输入电压
DS90C032T
DS90C032E
+4.5
GND
40
55
+25
+25
典型值
+5.0
最大
+5.5
2.4
+85
+125
单位
V
V
C
C
经营自由空气温度（T
A
)
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2 ）
符号
V
TH
V
TL
I
IN
V
OH
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
输出高电压
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
I
OH
= -0.4毫安，V
ID
= 200毫伏
I
OH
= -0.4毫安，
输入TERMINATED
V
OL
I
OS
I
OZ
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
输出低电压
输出短路电流
输出三态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入钳位电压
无负载电源电流
接收器已启用
I
CCZ
无负载电源电流
接收器禁用
I
CL
= -18毫安
EN ， EN * = V
CC
或GND ，
输入OPEN
EN = GND ， EN * = V
CC
输入OPEN
DS90C032T
DS90C032E
DS90C032T
DS90C032E
V
CC
I
OL
= 2毫安， V
ID
= -200 mV的
启用，V
OUT
= 0V （注8 ）
残疾人，V
OUT
= 0V或V
CC
EN ，
EN *
15
10
2.0
0.8
10
1.5
0.07
60
0.3
100
+10
V
mA
A
V
V
A
V
10
11
11
10
11
mA
mA
mA
mA
mA
DS90C032T
R
OUT
V
CC
= 5.5V
V
CM
= +1.2V
条件
针
R
IN +
,
R
IN-
民
100
10
10
3.8
3.8
典型值
最大
+100
单位
mV
mV
A
A
V
V
±
1
±
1
4.9
4.9
+10
+10
±
1
±
1
0.8
3.5
3.5
3.7
3.5
3.5
+10
EN ， EN * = 2.4或0.5 ，打开输入
3
www.national.com
DS90C032
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25°C DS90C032T （注3 ，4，5 ，9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.5
1.5
0
0
典型值
3.40
3.48
80
0.6
0.5
0.5
10
10
4
4
最大
5.0
5.0
600
1.0
2.0
2.0
15
15
10
10
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -40° C到+ 85°C的DS90C032T （注3，4， 5，6， 9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
0.5
0.5
10
10
4
4
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
6.0
6.0
1.2
1.5
5.0
2.5
2.5
20
20
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -55 °C到+ 125 ℃的DS90C032E （注3 ，4，5 ，6，9 ，10）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
10
10
4
4
条件
C
L
= 20 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
8.0
8.0
3.0
3.0
7.0
20
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
www.national.com
4
DS90C032 LVDS四通道CMOS差分线路接收器
2007年5月
DS90C032
LVDS四通道CMOS差分线路接收器
概述
TheDS90C032是一款四通道CMOS差分线路接收机DE-
签署要求超低功耗的应用
和高数据速率。该设备被设计为支持数据
超过155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）采用低电压率
年龄差分信号（ LVDS ）技术。
TheDS90C032接受低压（ 350毫伏）差动输入
放信号，并将其转换为CMOS （ TTL兼容）
输出电平。所述接收器支持三态
功能
可以使用的复用输出。该接收器还支持一
端口开路，短路和终止（ 100Ω ）输入故障保护
用加入了外部故障保险偏置。接收器输出
会高两个故障保护条件。
TheDS90C032和同伴线路驱动器（ DS90C031 ）亲
韦迪一个新的替代大功率伪ECL器件的
高速点对点接口的应用程序。
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
＆ GT ; 155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）的切换率
接受小摆幅（ 350毫伏）的差分信号电平
超低功耗
600 ps的最大差分偏移（ 5V ， 25 ° C）
6.0 ns的最大传播延迟
工业的操作温度范围
军用工作温度范围选项
可在表面贴装封装（ SOIC ）和（ LCC ）
引脚DS26C32A ， MB570 （ PECL ）兼容，
41LF （ PECL ）
支持开放输入故障安全
支持短并端接输入故障安全的
除了外部故障保护偏置
兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS标准
符合ANSI / TIA / EIA- 644 LVDS标准
可用标准微电路图纸（ SMD ）
5962-95834
连接图
双列直插式
LCC封装
1194501
订单号
DS90C032TM
见NS包装数M16A
1194520
订单号
DS90C032E-QML
见NS包装数E20A
有关完整的军事规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2007美国国家半导体公司
11945
www.national.com
DS90C032
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 6V
输入电压（注册商标
IN +
, R
IN-
)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
使能输入电压
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
（ EN ， EN * ）
输出电压（R
OUT
)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
最大封装功耗@ + 25°C
男包
1025毫瓦
E封装
1830毫瓦
减免男包
8.2毫瓦/ C以上+ 25℃
减额E封装
12.2毫瓦/ ° C以上+ 25°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
焊接（ 4秒）
+260°C
最大结
温度（ DS90C032T ）
最大结
温度（ DS90C032E ）
ESD额定值（注7 ）
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
Ω,
200 pF的）
+150°C
+175°C
≥
3,500V
≥
250V
推荐工作
条件
民
典型值
电源电压（V
CC
)
+4.5 +5.0
接收器输入电压GND
经营自由空气温度（T
A
)
DS90C032T
40
+25
DS90C032E
55
+25
最大
+5.5
2.4
+85
+125
单位
V
V
°C
°C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2 ）
符号
V
TH
V
TL
I
IN
V
OH
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
输出高电压
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
I
OH
= -0.4毫安，V
ID
= 200毫伏
I
OH
= -0.4毫安，
输入TERMINATED
V
OL
I
OS
I
OZ
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
输出低电压
输出短路电流
输出三态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入钳位电压
无负载电源电流
接收器已启用
I
CCZ
无负载电源电流
接收器禁用
I
CL
= -18毫安
EN ， EN * = V
CC
或GND ，
输入OPEN
EN = GND ， EN * = V
CC
输入OPEN
DS90C032T
DS90C032E
DS90C032T
DS90C032E
V
CC
I
OL
= 2毫安， V
ID
= -200 mV的
启用，V
OUT
= 0V （注8 ）
残疾人，V
OUT
= 0V或V
CC
EN ，
EN *
15
10
2.0
0.8
10
1.5
±1
0.8
3.5
3.5
3.7
3.5
3.5
10
11
11
10
11
+10
0.07
60
±1
0.3
100
+10
V
mA
μA
V
V
μA
V
mA
mA
mA
mA
mA
DS90C032T
R
OUT
V
CC
= 5.5V
V
CM
= +1.2V
条件
针
R
IN +
,
R
IN-
民
100
10
10
3.8
3.8
±1
±1
4.9
4.9
+10
+10
典型值
最大
+100
单位
mV
mV
μA
μA
V
V
EN ， EN * = 2.4或0.5 ，打开输入
3
www.national.com
DS90C032
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25°C DS90C032T （注3 ，4，5 ，9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.5
1.5
0
0
典型值
3.40
3.48
80
0.6
0.5
0.5
10
10
4
4
最大
5.0
5.0
600
1.0
2.0
2.0
15
15
10
10
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= + 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= -40° C到+ 85°C的DS90C032T （注3，4， 5，6， 9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
0.5
0.5
10
10
4
4
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
6.0
6.0
1.2
1.5
5.0
2.5
2.5
20
20
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= + 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= -55 °C到+ 125 ℃的DS90C032E （注3 ，4，5 ，6，9 ，10）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
10
10
4
4
条件
C
L
= 20 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
8.0
8.0
3.0
3.0
7.0
20
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
www.national.com
4
DS90C032QML
www.ti.com
SNLS203D - 2006年3月 - 修订2013年4月
DS90C032QML LVDS四通道CMOS差分线路接收器
检查样品：
DS90C032QML
1
特点
单粒子闭锁（ SEL ）免疫120 MeV-
cm
2
/毫克
高阻抗LVDS输入电源切断。
接受小摆幅（ 330毫伏）差
信号电平
低功耗
低差分偏移
低码片芯片歪斜
引脚兼容DS26C32A
兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS
标准
描述
该DS90C032是一款四CMOS差分线路
接收器设计用于需要超低的应用
功耗和高数据速率。
在DS90C032接受低电压差分输入
信号，并将其转换为CMOS （ TTL
尺寸）的输出电平。该接收器支持
三态功能，可用于复
输出。该接收器还支持开放的无故障
和终止（ 100Ω ）输入故障保护与另外
外部故障保护偏置。接收器的输出将是
高为故障保护条件。
该DS90C032提供断电高阻抗
LVDS输入。此功能可以确保最小的负载
在LVDS总线效果时， VCC不
目前。
在DS90C032及配套线路驱动器
（ DS90C031 ）提供了一个新的替代大功率
伪ECL器件高速点至点
接口应用。
2
连接图
图1.双列直插式
见包装数NAD0016A & NAC0016A
图2. LCCC封装
见包装数NAJ0020A
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DS90C032QML
SNLS203D - 2006年3月 - 修订2013年4月
www.ti.com
功能框图和真值表
框图
接收器
使
EN
L
EN *
H
输入
R
I+
R
I
X
V
ID
≥
0.1V
V
ID
≤ 0.1V
产量
R
O
Z
H
L
使能输入的所有其他组合
2
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产品文件夹链接：
DS90C032QML
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
DS90C032QML
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SNLS203D - 2006年3月 - 修订2013年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
CC
)
输入电压（注册商标
I
+, R
I
)
使能输入电压
输出电压（R
O
)
存储温度范围（T
英镑
)
最大的铅温度，
LCCC封装
CLGA （NAD）的
CLGA （ NAC ）
热阻
θ
JA
LCCC封装
CLGA （NAD）的
CLGA （ NAC ）
θ
JC
LCCC封装
CLGA （NAD）的
CLGA （ NAC ）
ESD额定值
(1)
(3)
0.3V
为+ 6V
0.3V
至+ 5.8V
（ EN ， EN * ）
0.3V
到（Ⅴ
CC
+0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+0.3V)
65°C ≤
T
A
≤
+150°C
+260°C
1830毫瓦
1400毫瓦
1400毫瓦
焊接（ 4秒）
最大封装功耗为+ 25°C
(2)
82°C/W
145°C/W
145°C/W
20°C/W
20°C/W
20°C/W
2KV
(2)
(3)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。为保证规范和测试条件，请参阅
电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
减免LCCC为12.2MW / ° C以上+ 25°C 。减免CLGA为6.8mW / ° C以上+ 25°C
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
推荐工作条件
民
电源电压（V
CC
)
接收器的输入电压
经营自由空气温度（T
A
)
+4.5V
GND
55°C
+25°C
典型值
+5.0V
最大
+5.5V
2.4V
+125°C
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质量一致性检验
表1. MIL-STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
TEMP （℃）
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
4
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DS90C032电气特性，直流参数
(1)
符号
V
THL
V
THH
I
In
参数
差分输入阈值低
差分输入高阈值
输入电流
（输入引脚）
条件
V
CM
= +1.2V
V
CM
= +1.2V
V
CC
=5.5V, V
I
= 2.4V
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0
V
CC
= 0.0V, V
I
= 2.4V
V
CC
= 0.0V, V
I
= 0.0V
V
OH
V
OL
I
OS
I
OZ
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
输出三态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
（使能引脚）
输入钳位电压
无负载电源电流
V
CC
= 5.5V
I
Cl
= -18mA
EN ， EN * = V
CC
或GND ，
输入OPEN
恩，恩* = 2.4或0.5 ，
输入OPEN
I
CCZ
(1)
(2)
无负载电源电流
接收器禁用
EN = GND ， EN * = V
CC
,
输入OPEN
V
CC
= 4.5V ，我
OH
= -0.4毫安，
V
ID
= 200mV的
V
CC
= 4.5, I
OL
= 2毫安，
V
ID
= -200mV
启用，V
O
= 0V
残疾人，V
O
= 0V或V
CC
SEE
(2)
SEE
(2)
笔记
SEE
(2)
SEE
(2)
民
最大
-100
100
±10
±10
±10
±10
单位
mV
mV
A
A
A
A
V
SUB -
群体
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
3.8
0.3
-15
2.0
0.8
±10
-1.5
11
11
11
-100
±10
V
mA
A
V
V
A
V
mA
mA
mA
前置和后置的照射范围是相同的，除非在“后列在AC和DC电气特性列出
辐射限值“表。被保证只为条件，指出参数辐射终点的限制，作为指定。
在V测试
OH
和V
OL
测试。
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