初步
DS60
微摄氏温度传感器
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特点
§
工厂校准的灵敏度
+ 6.25mV / ° C和±2.0 ° C的精度
§
-40 ℃的测量范围至+ 125°C
§
超低电源电流
§
小巧的SOT- 23封装
§
宽电源电压范围（ 2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V)
§
与LM60功能兼容
§
其应用包括电池监控
包，磁盘驱动器，打印机，办公设备
或任何空间和功耗敏感的，
温度敏感的环境。
引脚分配
GND
V
DD
V
O
DS60R-TRL
3000 PIECE SOT- 23 REEL
引脚说明
V
DD
V
O
GND
- 电源电压（ 2.7V至5.5V ）
- 传感器输出
- 地面
描述
该DS60微摄氏温度传感器在出厂时校准电压输出摄氏度
温度传感器。温度计输出具有± 6.25mV典型的灵敏度/ ℃， DC偏移的
424毫伏。测量范围为-40 ℃至+ 125 ℃，对应于174的典型输出范围
mV至1205毫伏。因为输出电压是正的整个温度范围内，就没有必要
为负电源。模拟输出的精度，考虑到放大器
非线性，增益变化和温度传感器的变化为± 2.0 ℃，从0℃至85℃，内
± 3.0 ℃下，在整个电压和温度范围。
该DS60的电源电压范围为2.7V至5.5V 。 125 μA和宽低电流要求
电源电压范围使其非常适用于电池供电的应用。为了进一步降低功耗，在
DS60可通过能够提供电流的逻辑门的输出被切换到零功耗待机状态
这种规模。
规模小的SOT- 23封装，宽电源电压范围和超低功耗使
在热管理应用程序，目前仅限于非线性所用的DS60
热敏电阻。这些措施包括电池组，液晶显示器，硬盘驱动器，电源和电器。
1 4
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DS60
绝对最大额定值*
在V电压
DD
输出电流
工作温度
储存温度
ESD敏感性（人体模型）
焊接温度（注2 ）
GND -0.3V至+ 6.5V
5.0毫安
-40°C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
2kV
215 ℃下进行60秒（气相）
220 ℃15秒（ IR）的
*
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
Dallas Semiconductor的DS60是建立以最高的质量标准和制造的长期
可靠性。所有达拉斯半导体器件所使用的相同质量的材料制成，并
制造方法。然而， DS60不暴露于环境压力，如烧机，
一些工业应用中所需要的。有关该产品的具体信息的可靠性，请
联系工厂在达拉斯，在（ 972 ） 371-4448 。
建议的直流工作条件
（ -40 ° C至+ 125°C ， 2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V)
参数
电源电压
符号
V
DD
条件
民
2.7
典型值
最大
5.5
单位
V
笔记
1
直流电气特性：
电源供应器（注3 ）
参数
电源电流
符号
I
DD
条件
（ -40 ° C至+ 125°C ， 2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V)
民
典型值
80
最大
125
单位
A
笔记
直流电气特性：
温度传感器和电压输出（注3 ）
（ -40 ° C至+ 125°C ， 2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V)
参数
温度计误差
V
O
直流偏移
传感器增益
非线性
电源
规
传感器漂移
输出阻抗
2 4
符号
T
ERR
条件
-40°C≤
A
T
≤
125°C
0°C≤
A
T
≤
85°C
T = 0 ℃，
民
典型值
最大
±3
°C
±2
6.0
2.7V≤
DD
V
≤
3.3V
3.0V≤
DD
V
≤
5.5V
±0.25
800
424
6.25
6.5
±0.8
±2.0
±0.25
mV
毫伏/°C的
°C
mV
mV / V的
°C
6
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1
5
4
单位
笔记
ΔV / ΔT
DS60
注意事项：
1.所有电压都参考接地，除非另有规定。
根据IPC标准2.焊接。
3.指定V
O
采购1.0 μA （最大值） 。
4.温度计误差（以℃表示）是[V之间的差
O
（T） - 424] /6.25和DS60情况
温度在V
DD
= 3.0V ，从而考虑到传感器误差，直流偏移误差，传感器放大器
增益变化，和放大器的非线性。
5.非线性是对于给定的DS60理想的线性斜坡的最大偏差。
6.这是典型的漂移以下3个连续穿过汽相。
典型DS60温度计误差
图1
待定
3 4
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