DG411HS ， DG412HS ， DG413HS
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG411HS系列单片四路模拟开关
的目的是提供高速，低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗（ 0.35 μW ）
以高速（叔
ON
： 68纳秒） ，该DG411HS家庭是理想
适合便携式及电池供电的工业和
军事应用。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG411HS系列是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并且块的输入电压上升到电源电平，当
关。
该DG411HS和DG412HS应对反控制
如图所示的真值表的逻辑。该DG413HS有两个
常开两常闭开关。
特点
44 V电源最大。等级
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 25
快速切换 - 吨
ON
： 68纳秒
超低功耗 - P
D
: 0.35 W
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
好处
最宽的动态范围
低信号rrrors和失真
先开后合式开关动作
简单接口
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
功能框图及引脚配置
DG411HS
双列直插式和SOIC
D
1
IN
1
IN
2
D
2
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
5
6
7
8
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
V
L
S
3
S
1
V-
NC
GND
S
4
16
15
14
13
关键
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
DG411HS
QFN16
DG411HS
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
3
2
1
20
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶视图
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
真值表
逻辑
0
1
DG411HS
ON
关闭
DG412HS
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72053
S11-0179 -REV 。 C， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG411HS ， DG412HS ， DG413HS
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG413HS
双列直插式和SOIC
DG413HS
QFN16
D
1
IN
1
IN
2
D
2
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
5
IN
3
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶视图
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
NC
V
L
S
3
GND
S
4
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V-
DG413HS
LCC
IN
1
NC
2
1
IN
2
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
16
15
14
13
9
D
4
10
11
12
IN
3
13
D
3
IN
4
NC
顶视图
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG411HS ， DG412HS
包
产品型号
DG411HSDJ
DG411HSDJ-E3
DG412HSDJ
DG412HSDJ-E3
DG411HSDY
DG411HSDY-E3
DG411HSDY-T1
DG411HSDY-T1-E3
DG412HSDY
DG412HSDY-E3
DG412HSDY-T1
DG412HSDY-T1-E3
DG411HSDN-T1-E4
DG412HSDN-T1-E4
DG413HSDJ
DG413HSDJ-E3
DG413HSDY
DG413HSDY-E3
DG413HSDY-T1
DG413HSDY-T1-E3
DG413HSDN-T1-E4
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
16引脚QFN 4 ×4mm的
DG413HS
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
16引脚QFN 4 ×4mm的
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2
文档编号： 72053
S11-0179 -REV 。 C， 07 -FEB- 11
DG411HS ， DG412HS ， DG413HS
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ，AZ后缀）
（ DJ ， DY ， DN后缀）
16引脚塑料DIP
c
16引脚窄体SOIC
功率耗散（包）
b
d
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
f
单位
V
mA
°C
16引脚CERDIP
LCC-20
e
e
mW
16针（4 ×4mm）所QFN
1880
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免23.5毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 8.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
= ± 15.5毫安，V
S
= ± 15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
= V
S
= ± 15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
房间
25
± 0.1
± 0.1
± 0.1
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
5
68
42
20
22
A
pF
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V ，见图2
DG413HS只，V
S
= 10 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
105
127
80
94
105
116
80
90
ns
pC
文档编号： 72053
S11-0179 -REV 。 C， 07 -FEB- 11
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3
DG411HS ， DG412HS ， DG413HS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
- 91
- 88
12
12
30
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
pF
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
参数
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
e
e
符号
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
动态特性（续）
dB
源关断电容
e
流掉电容
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
通道导通电容
I+
I-
I
L
I
GND
A
特定网络阳离子
a
（对于单极性电源）
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 10.8 V，I
S
= - 10毫安
V
D
= 3 V, 8 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
49
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
12
80
100
140
180
70
79
分钟。
d
马克斯。
d
12
80
100
140
160
70
74
ns
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
t
D
Q
95
36
60
60
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ，见图2
DG413HS只，V
S
= 8 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
pC
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
I+
I-
V+ = 13.2 V, V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
A
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 72053
S11-0179 -REV 。 C， 07 -FEB- 11
DG411HS ， DG412HS ， DG413HS
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
65
RDS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25
°C
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
T
A
= 25
°C
V
L
= 5 V
55
±5V
250
45
±8V
± 10 V
± 12 V
± 15 V
200
V+ = 5.0 V
35
150
25
100
15
± 20 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 12.0 V
V+ = 15.0 V
5
- 20
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
V+ = 20.0 V
16
18
20
导通电阻与V
D
和双电源电压
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
V+ = + 5 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
- 25
45
40
35
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
V+ = 15 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
125
°C
30
85
°C
25
25
°C
20
- 55
°C
15
10
5
- 15
25
0
I
S
, I
D
（ PA ）
- 50
- 75
- 100
- 15
-10
-5
0
5
10
15
- 10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
-5
0
5
V
D
- 漏极电压（ V）
10
15
漏电流与模拟电压
75
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
65
125
°C
85
°C
45
35
25
15
5
0
2
4
6
8
10
12
V
D
- 漏极电压（ V）
25
°C
损失， OIRR ，X
TLAK
（ dB）的
55
V+ = 12 V
V- = 0 V
V
L
= 5 V
0
- 10
0
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 90
- 100
- 110
导通电阻与V
D
和温度
损失
X
TALK
OIRR
V+ = 15 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
R
L
= 50
Ω
- 55
°C
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
导通电阻与V
D
和温度
插入损耗，关断隔离，串扰
与频率的关系
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5
文档编号： 72053
S11-0179 -REV 。 C， 07 -FEB- 11
DG411HS/412HS/413HS
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG411HS系列单片四路模拟开关
的目的是提供高速，低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗（ 0.35 μW ）
以高速（叔
ON
： 68纳秒） ，该DG411HS家庭是理想
适合便携式及电池供电的工业和
军事应用。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG411HS系列是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并且块的输入电压上升到电源电平，当
关。
该DG411HS和DG412HS应对反控制
如图所示的真值表的逻辑。该DG413HS有两个
常开两常闭开关。
特点
44 V电源的最大额定值
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 25
Ω
快速切换 - 吨
ON
： 68纳秒
超低功耗 - P
D
: 0.35 W
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
功能框图及引脚配置
DG411HS
双列直插式和SOIC
D
1
IN
1
IN
2
D
2
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
5
6
7
8
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
V
L
S
3
S
1
V-
NC
GND
S
4
16
15
14
13
关键
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
DG411HS
QFN16
DG411HS
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
3
2
1
20
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶视图
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
真值表
逻辑
0
1
DG411HS
ON
关闭
DG412HS
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72053
S- 71155 -REV 。 B， 11军， 07
www.vishay.com
1
DG411HS/412HS/413HS
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG413HS
双列直插式和SOIC
DG413HS
QFN16
D
1
IN
1
IN
2
D
2
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
5
IN
3
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶视图
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
NC
V
L
S
3
GND
S
4
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V-
DG413HS
LCC
IN
1
NC
2
1
IN
2
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
16
15
14
13
9
D
4
10
11
12
IN
3
13
D
3
IN
4
NC
顶视图
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
订购信息
温度范围
DG411HS/412HS
包
产品型号
DG411HSDJ
DG411HSDJ-E3
DG412HSDJ
DG412HSDJ-E3
DG411HSDY
DG411HSDY-E3
DG411HSDY-T1
DG411HSDY-T1-E3
DG412HSDY
DG412HSDY-E3
DG412HSDY-T1
DG412HSDY-T1-E3
DG411HSDN-T1-E4
DG412HSDN-T1-E4
DG413HSDJ
DG413HSDJ-E3
DG413HSDY
DG413HSDY-E3
DG413HSDY-T1
DG413HSDY-T1-E3
DG413HSDN-T1-E4
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
16引脚QFN 4 ×4mm的
DG413HS
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
16引脚QFN 4 ×4mm的
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2
文档编号： 72053
S- 71155 -REV 。 B， 11军， 07
DG411HS/412HS/413HS
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ，AZ后缀）
（ DJ ， DY ， DN后缀）
16引脚塑料DIP
c
16引脚窄体SOIC
d
功率耗散（包）
b
16引脚CERDIP
e
LCC-20
e
16针（4 ×4mm）所QFN
f
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
1880
mW
mA
°C
V
单位
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免23.5毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 8.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
= ± 15.5毫安，V
S
= ± 15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
= V
S
= ± 15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
房间
25
± 0.1
± 0.1
± 0.1
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
典型值
c
民
d
- 15
最大
d
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
5
68
42
A
pF
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V ，见图2
DG413HS只，V
S
= 10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
105
127
80
94
105
116
80
90
ns
20
22
pC
文档编号： 72053
S- 71155 -REV 。 B， 11军， 07
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3
DG411HS/412HS/413HS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
后缀
- 55至125℃的
温度
b
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
典型值
c
- 91
- 88
12
12
30
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
pF
民
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
参数
关断隔离
e
通道到通道的串扰
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
动态特性（续）
dB
I+
I-
I
L
I
GND
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55至125℃的
温度
b
满
V + = 10.8 V，I
S
= - 10毫安
V
D
= 3 V, 8 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
热
V+ = 13.2 V, V
IN
= 0或5伏
逻辑电源电流
地电流
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
49
典型值
c
民
d
最大
d
12
80
100
140
180
70
79
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
12
80
100
140
160
70
74
ns
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ，见图2
DG413HS只，V
S
= 8 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
95
36
60
60
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
pC
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
I+
I-
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 72053
S- 71155 -REV 。 B， 11军， 07
DG411HS/412HS/413HS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
65
RDS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25
°C
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
T
A
= 25
°C
V
L
= 5 V
55
±5V
250
45
±8V
± 10 V
± 12 V
± 15 V
200
V+ = 5.0 V
35
150
25
100
15
± 20 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 12.0 V
V+ = 15.0 V
5
- 20
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
V+ = 20.0 V
16
18
20
导通电阻与V
D
和双电源电压
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
V+ = + 5 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
- 25
45
40
35
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
V+ = 15 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
125
°C
30
85
°C
25
25
°C
20
- 55
°C
15
10
5
- 15
25
0
I
S
, I
D
（ PA ）
- 50
- 75
- 100
- 15
-10
-5
0
5
10
15
- 10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
-5
0
5
V
D
- 漏极电压（ V）
10
15
漏电流与模拟电压
75
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
65
125
°C
85
°C
45
35
25
15
5
0
2
4
6
8
10
12
V
D
- 漏极电压（ V）
25
°C
损失， OIRR ，X
TLAK
（ dB）的
55
V+ = 12 V
V- = 0 V
V
L
= 5 V
0
- 10
0
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 90
- 100
- 110
导通电阻与V
D
和温度
损失
X
TALK
OIRR
V+ = 15 V
V - = - 15 V
V
L
= 5 V
R
L
= 50
Ω
- 55
°C
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
导通电阻与V
D
和温度
插入损耗，关断隔离，串扰
与频率的关系
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5
文档编号： 72053
S- 71155 -REV 。 B， 11军， 07
