DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道，单元B
加迪纳， CA 90248 U.S.A
电话： （ 310 ） 767-1052传真： （ 310 ） 767-7958
数据表号BRDB - 800-1C
ABDB-800-1C
8 AMP硅桥式整流器
特点
机械规格
实际尺寸
DT
DB804
虚空免抽真空钎焊模具为最大
机械强度和热耗散
（焊接空洞：典型< 2 ％ ，芯片面积最大< 10 ％ ）
BUILT -IN应力救济机制
卓越的可靠性和性能
浪涌过载额定值到400安培高峰
系列DB800 ， DB810和ADB804 - ADB808
BH
UL认可 - 文件＃ E124962
符合RoHS
机械数据
案例：模压环氧树脂（ UL防火等级94V- 0 ）
终端：圆形镀银铜针
焊接：每MIL -STD 202方法208保证
极性：标示于案件的一面;正极引线的切角
安装位置：任意。通过提供＃ 6螺丝孔
重量： 0.18盎司（ 5.4克）
符号
BL
BH
D1
LL
MILLIMETERS
民
18.5
6.4
12.2
最大
19.6
7.6
13.2
22.2
1.2
不适用
1.3
LD
最大额定值&电气特性
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#
系列号
d
最大直流阻断电压
工作峰值反向电压
最大峰值经常反向电压
RMS反向电压
在V功率耗散
IP微克
h
V
V
热能（额定值融合）
峰值正向浪涌电流。单60Hz的半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） 。 T = 150℃
@ T = 50℃ （注1 ）
正向平均整流电流
@T = 50℃ （注2 ）
E
It
安培
美国证券交易委员会
最大雪崩电压
最大正向电压（每二极管）在4安培DC
V
@ T = 25℃
@T = 125℃
V
I
典型热阻
E31
n
PQR UO 流明
h
结到环境（注2 ）
结到外壳（注1 ）
R
R
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最小绝缘击穿电压（电路到外壳）
V
伏
C / W
e
v
w
额定V最大反向电流
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j
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d
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周二？C？ I H
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分贝
最小雪崩电压
V
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W
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G
接线工作和存储温度范围
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I
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I
安培
°C
伏
A
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w
P
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在V连续功率耗散
@ T = 80℃ （散热器温度）
地区
v
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权证
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参数（测试条件）
符号
z
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|
A{
_
+
LL
LD
D1
英寸
+
D1
_
BL
民
0.73
0.25
0.48
最大
0.77
0.3
0.52
0.875
0.048
不适用
0.052
BL
评级
单位
伏
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瓦
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x
D
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C
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DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道，单元B
加迪纳， CA 90248 U.S.A
电话： （ 310 ） 767-1052传真： （ 310 ） 767-7958
数据表号BRDB - 800-2C
ABDB-800-2C
8 AMP硅桥式整流器
评级&特性曲线串联DB800 - DB810和系列ADB804 - ADB808
12
400
60Hz的电阻或电感性负载
平均正向电流，木卫一
（安培）
350
10
峰值正向浪涌电流
（安培）
注1
8
300
例
6
250
200
4
环境
150
2
100
0
注2
0
50
100
150
50
1
10
100
温度，C
图1.正向电流降额曲线
正向电流
安培
瞬时反向电流，I
（微安）
1.0
注3
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向电压（伏）
图3.典型正向特性每二极管
百分比额定峰值反向电压
图4.典型的反向特性
注4
笔记
（ 1 ）外壳温度，T带桥安装在
4.9" X 4.3" X 0.11"厚（ 12.4厘米X 10.8厘米X 0.3厘米）
铝板
环境温度，T带桥安装在
PC板0.5"平方米。 （12毫米平方。 ）铜垫
桥梁铅0.375"设计（9.5mm ），长度
（ 2 ）T = 150℃
（ 3 ）T = 25℃ ;脉冲宽度= 300
m
秒; 1 ％占空比
（ 4 ）T = 25℃ ; F = 1兆赫; VSIG = 50mVp -P
¨
电容，PF
E32
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反向电压（伏特）
图5.典型结电容每二极管
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0.01
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)
á
循环次数在60赫兹
图2.最大非重复浪涌电流
×
%
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)
)
)
T = 100℃
T = 25℃
