订购数量： EN6354
TR ： PNP外延平面硅晶体管
SBD ：肖特基二极管
CPH6702
DC / DC转换器应用
特点
·复合型与一个PNP晶体管和一个肖特基
垒二极管包含在一个包中的促进
高密度安装。
·在CPH6702由两个芯片是哪个
相当于CPH3114与SBS006 ， respec-
tively 。
·超小尺寸封装，允许应用套
进行小巧玲珑（安装高度0.9毫米） 。
包装尺寸
单位：mm
2153A
[CPH6702]
0.2
0.05
1.6
2.8
评级
–15
–15
–5
–1.5
–3
–300
安装在陶瓷板（ 600毫米
×0.8mm)
2
2.9
6
5
4
0.6
0.15
1
2
0.4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
[ TR ]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
浪涌电流
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波， 1个周期
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
符号
条件
0.7
0.9
0.2
3
0.95
0.6
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：阳极
4 ：通用（珍藏，阴极）
5 ：通用（集电极，阴极）
6 ：通用（集电极，阴极）
三洋： CPH6
单位
V
V
V
A
A
mA
W
C
C
V
V
A
A
C
C
1.3
150
-55到+125
30
30
0.7
10
-55到+125
-55到+125
标记： PB
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
13100TS （ KOTO ） TA- 2671 No.6354-1 / 4
CPH6702
电气特性
在Ta = 25℃
参数
[ TR ]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
VR
VF1
VF2
VF3
IR
C
TRR
IR=0.5mA
IF=0.3A
IF=0.5A
IF=0.7A
VR=10V
VR = 10V ， F = 1MHz的
IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。
20
10
30
0.35
0.42
0.5
0.40
0.47
0.55
200
V
V
V
V
A
pF
ns
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = -12V ， IE = 0
VEB = -4V ， IC = 0
VCE = -2V ， IC = -100mA
VCE = -2V ， IC = -300mA
VCB = -10V ， F = 1MHz的
IC = -750mA ， IB = -15mA
IC = -750mA ， IB = -15mA
–15
–15
–5
50
87
15
200
350
17
–120
–0.85
–180
–1.2
–0.1
–0.1
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
A
A
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -1mA ， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IC = -10μA ， IC = 0
吨
TSTG
tf
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
电气连接
4
5
6
1
2
3
（ TOP VIEW ）
开关时间测试电路
[ TR ]
PW=20s
D.C.≤1%
输入
RB
VR
50
+
220F
+
470F
–5V
VBE=5V
VCC=–5V
-20IB1 = 20IB2 = IC = -750mA
RL
IB2
IB1
产量
10s
50
100
10
100mA
[ SBD ]
100mA
Duty≤10%
10mA
TRR
No.6354–2/4
CPH6702
1.8
1.6
PC - TA
[ TR ]
10
7
5
IF - VF
[ SBD ]
集电极耗散，电脑 - 含
M
ou
NTE
d
正向电流IF - 一个
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
3
2
1.0
7
5
on
a
.8m
环境温度，钽 -
°C
40
60
80
100
120
140
160
0.01
0
0.2
75
°
0.4
C
m)
3
2
50
°
C
CER
am
IC B
oa
rd
(60
0m
m
10
0
°
C
2
×
0
0.1
7
5
Ta
=1
2
25
°
C
5
°
C
3
2
0.6
0.8
IT01670
IT01669
正向电压VF - V
平均远期功耗， PF （ AV ） - 含
100
7
5
3
2
IR - VR
[ SBD ]
0.7
PF （ AV ） - IO
/Rectangular
WAVE
θ=60°
[ SBD ]
0.6
/Rectangular
WAVE
θ=120°
反向电流， IR - 毫安
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
1
TA
25
°
C
100
°
C
75
°
C
50
°
C
/Rectangular
WAVE
θ=180°
0.5
\u003e正弦
WAVE
θ=180°
¤
0.4
矩形波
0.3
θ
正弦波
0.1
0
0
360°
0.2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
5
25
°
C
180° 360°
10
15
20
25
30
IT01671
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
反向电压VR - V
平均正向电流， IO - 一个
IT01672
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的1月， 2000年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.6354-4 / 4
