CAT28F001
1兆位的CMOS引导块闪存
特点
s
快速读取访问时间： 70/90/120/150 NS
s
芯片上地址和数据锁存器
s
封锁架构
英特尔授权
第二个来源
s
深掉电模式
s
s
s
s
s
- 一个8 KB的引导块W /上锁
顶部或底部位置
- 两个4 KB参数块
- 一个112 KB的主座
低功耗CMOS操作
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
自动程序&擦除算法
高速编程
商用，工业和汽车
温度范围
s
s
s
s
s
— 0.05
A I
CC
典型
— 0.8
A I
PP
典型
硬件数据保护
电子签名
100000编程/擦除周期和10年
数据保留
JEDEC标准管脚引出线：
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
复位/深度掉电模式
描述
该CAT28F001是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统或售后应用
代码更新。
该CAT28F001有一个8阻塞架构
KB引导块，两个4 KB参数块和一个112
KB的主座。引导块部分可以是在顶部
或存储器映射的底部，并包括reprogram-
明写锁定功能，以保证数据的完整性。它
旨在遏制安全的代码，会弹出
系统最小和代码下载到其他某些地区可能
系统蒸发散CAT28F001的。
该CAT28F001被设计为具有签名模式
其允许识别出IC制造商的用户和
设备类型。该CAT28F001还设计有导通
芯片地址锁存器，数据锁存器，编程和
擦除算法。
该CAT28F001使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， PLCC和TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
地址
计数器
I / O缓冲器
写状态
机
RP
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
比较
擦除电压
开关
状态
注册
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
8K字节的引导块
4K字节的参数块
4K字节的参数块
112K字节的主BLOCK
28F001 F01
A0–A16
电压以确认
开关
X解码器
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。第25071-00 2/98 F- 1
1
CAT28F001
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
（除A
9
,
RP ， OE ，
V
CC
和V
PP
)
引脚上的电压
9
,
RP
和
OE
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
8
12
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25071-00 2/98 F- 1
CAT28F001
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
PPD
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
V
IL
V
OL
V
IH
V
OH
V
ID
I
ID
I
CCD
I
CCES
I
PPES
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
PP
深掉电电流
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
输入低电平
输出低电平
输入高电平
输出高电平
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
深掉电电流
V
CC
擦除挂起电流
V
PP
擦除挂起电流
2.0
2.4
11.5
13.0
500
1.0
10
300
–0.5
分钟。
马克斯。
±1.0
±10
100
1.5
1.0
30
20
20
±10
200
200
30
30
0.8
0.45
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
A
mA
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
OH
= 2.5毫安，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
RP = GND ±0.2V
擦除暂停CE = V
IH
擦除暂停V
PP
=V
PPH
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V
CE = V
CC
±0.2V
= RP
V
CC
= 5.5V
CE = RP = V
IH
, V
CC
= 5.5V
RP = GND ±0.2V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 8 MHz的
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
删除进展
V
PP
＆ LT ;
V
CC
V
PP
＆ GT ;
V
CC
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
删除进展
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25071-00 2/98 F- 1
4
CAT28F001
电源特性
范围
符号
V
LKO
V
CC
V
PPL
V
PPH
V
HH
参数
V
CC
擦/写锁电压
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在擦除/编程
RP ， OE解锁电压
民
2.5
4.5
0
11.4
11.4
5.5
6.5
12.6
12.6
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
JEDEC
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
-
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
PHQV
标准
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
HZ(1)(2)
t
威尔斯亲王医院
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
从地址OE / CE更改输出保持
OE为输出低Z
CE到输出中低Z
OE高到输出高阻
CE高到输出高阻
RP高到输出延迟
0
0
0
30
55
600
28F001-70
(8)
28F001-90
(7)
分钟。
70
70
70
27
0
0
0
30
35
600
马克斯。
分钟。
90
90
90
35
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-12
(7)
分钟。
120
120
120
50
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-15
(7)
分钟。
150
150
150
55
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.高速交流测试输入/输出
Waveform(3)(4)(5)
3.0 V
输入脉冲电平
0.0 V
1.5 V
参考点
5108 FHD F03
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
5108 FHD F03A
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F04
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 30 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F05
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
（7）为负载和参考点，参照图1
（8）对于负荷和参考点，参照图2
5
文档。第25071-00 2/98 F- 1
CAT28F001
1兆位的CMOS引导块闪存
特点
s
快速读取访问时间： 70/90/120/150 NS
s
芯片上地址和数据锁存器
s
封锁架构
英特尔授权
第二个来源
s
深掉电模式
s
s
s
s
s
- 一个8 KB的引导块W /上锁
顶部或底部位置
- 两个4 KB参数块
- 一个112 KB的主座
低功耗CMOS操作
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
自动程序&擦除算法
高速编程
商用，工业和汽车
温度范围
s
s
s
s
s
— 0.05
A I
CC
典型
— 0.8
A I
PP
典型
硬件数据保护
电子签名
100000编程/擦除周期和10年
数据保留
JEDEC标准管脚引出线：
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
复位/深度掉电模式
描述
该CAT28F001是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统或售后应用
代码更新。
该CAT28F001有一个8阻塞架构
KB引导块，两个4 KB参数块和一个112
KB的主座。引导块部分可以是在顶部
或存储器映射的底部，并包括reprogram-
明写锁定功能，以保证数据的完整性。它
旨在遏制安全的代码，会弹出
系统最小和代码下载到其他某些地区可能
系统蒸发散CAT28F001的。
该CAT28F001被设计为具有签名模式
其允许识别出IC制造商的用户和
设备类型。该CAT28F001还设计有导通
芯片地址锁存器，数据锁存器，编程和
擦除算法。
该CAT28F001使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， PLCC和TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
地址
计数器
I / O缓冲器
写状态
机
RP
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
比较
擦除电压
开关
状态
注册
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
8K字节的引导块
4K字节的参数块
4K字节的参数块
112K字节的主BLOCK
28F001 F01
A0–A16
电压以确认
开关
X解码器
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。第25071-00 2/98 F- 1
1
CAT28F001
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
（除A
9
,
RP ， OE ，
V
CC
和V
PP
)
引脚上的电压
9
,
RP
和
OE
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
8
12
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25071-00 2/98 F- 1
CAT28F001
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
PPD
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
V
IL
V
OL
V
IH
V
OH
V
ID
I
ID
I
CCD
I
CCES
I
PPES
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
PP
深掉电电流
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
输入低电平
输出低电平
输入高电平
输出高电平
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
深掉电电流
V
CC
擦除挂起电流
V
PP
擦除挂起电流
2.0
2.4
11.5
13.0
500
1.0
10
300
–0.5
分钟。
马克斯。
±1.0
±10
100
1.5
1.0
30
20
20
±10
200
200
30
30
0.8
0.45
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
A
mA
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
OH
= 2.5毫安，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
RP = GND ±0.2V
擦除暂停CE = V
IH
擦除暂停V
PP
=V
PPH
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V
CE = V
CC
±0.2V
= RP
V
CC
= 5.5V
CE = RP = V
IH
, V
CC
= 5.5V
RP = GND ±0.2V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 8 MHz的
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
删除进展
V
PP
＆ LT ;
V
CC
V
PP
＆ GT ;
V
CC
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
删除进展
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25071-00 2/98 F- 1
4
CAT28F001
电源特性
范围
符号
V
LKO
V
CC
V
PPL
V
PPH
V
HH
参数
V
CC
擦/写锁电压
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在擦除/编程
RP ， OE解锁电压
民
2.5
4.5
0
11.4
11.4
5.5
6.5
12.6
12.6
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
JEDEC
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
-
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
PHQV
标准
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
HZ(1)(2)
t
威尔斯亲王医院
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
从地址OE / CE更改输出保持
OE为输出低Z
CE到输出中低Z
OE高到输出高阻
CE高到输出高阻
RP高到输出延迟
0
0
0
30
55
600
28F001-70
(8)
28F001-90
(7)
分钟。
70
70
70
27
0
0
0
30
35
600
马克斯。
分钟。
90
90
90
35
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-12
(7)
分钟。
120
120
120
50
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-15
(7)
分钟。
150
150
150
55
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.高速交流测试输入/输出
Waveform(3)(4)(5)
3.0 V
输入脉冲电平
0.0 V
1.5 V
参考点
5108 FHD F03
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
5108 FHD F03A
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F04
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 30 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F05
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
（7）为负载和参考点，参照图1
（8）对于负荷和参考点，参照图2
5
文档。第25071-00 2/98 F- 1
CAT28F001
1兆位的CMOS引导块闪存
特点
s
快速读取访问时间： 70/90/120/150 NS
s
芯片上地址和数据锁存器
s
封锁架构
英特尔授权
第二个来源
s
深掉电模式
s
s
s
s
s
- 一个8 KB的引导块W /上锁
顶部或底部位置
- 两个4 KB参数块
- 一个112 KB的主座
低功耗CMOS操作
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
自动程序&擦除算法
高速编程
商用，工业和汽车
温度范围
s
s
s
s
s
— 0.05
A I
CC
典型
— 0.8
A I
PP
典型
硬件数据保护
电子签名
100000编程/擦除周期和10年
数据保留
JEDEC标准管脚引出线：
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
复位/深度掉电模式
描述
该CAT28F001是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统或售后应用
代码更新。
该CAT28F001有一个8阻塞架构
KB引导块，两个4 KB参数块和一个112
KB的主座。引导块部分可以是在顶部
或存储器映射的底部，并包括reprogram-
明写锁定功能，以保证数据的完整性。它
旨在遏制安全的代码，会弹出
系统最小和代码下载到其他某些地区可能
系统蒸发散CAT28F001的。
该CAT28F001被设计为具有签名模式
其允许识别出IC制造商的用户和
设备类型。该CAT28F001还设计有导通
芯片地址锁存器，数据锁存器，编程和
擦除算法。
该CAT28F001使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， PLCC和TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
地址
计数器
I / O缓冲器
写状态
机
RP
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
比较
擦除电压
开关
状态
注册
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
8K字节的引导块
4K字节的参数块
4K字节的参数块
112K字节的主BLOCK
28F001 F01
A0–A16
电压以确认
开关
X解码器
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。第25071-00 2/98 F- 1
1
CAT28F001
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
（除A
9
,
RP ， OE ，
V
CC
和V
PP
)
引脚上的电压
9
,
RP
和
OE
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
8
12
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25071-00 2/98 F- 1
CAT28F001
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
PPD
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
V
IL
V
OL
V
IH
V
OH
V
ID
I
ID
I
CCD
I
CCES
I
PPES
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
PP
深掉电电流
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
输入低电平
输出低电平
输入高电平
输出高电平
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
深掉电电流
V
CC
擦除挂起电流
V
PP
擦除挂起电流
2.0
2.4
11.5
13.0
500
1.0
10
300
–0.5
分钟。
马克斯。
±1.0
±10
100
1.5
1.0
30
20
20
±10
200
200
30
30
0.8
0.45
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
A
mA
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
OH
= 2.5毫安，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
RP = GND ±0.2V
擦除暂停CE = V
IH
擦除暂停V
PP
=V
PPH
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V
CE = V
CC
±0.2V
= RP
V
CC
= 5.5V
CE = RP = V
IH
, V
CC
= 5.5V
RP = GND ±0.2V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 8 MHz的
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
删除进展
V
PP
＆ LT ;
V
CC
V
PP
＆ GT ;
V
CC
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
删除进展
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25071-00 2/98 F- 1
4
CAT28F001
电源特性
范围
符号
V
LKO
V
CC
V
PPL
V
PPH
V
HH
参数
V
CC
擦/写锁电压
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在擦除/编程
RP ， OE解锁电压
民
2.5
4.5
0
11.4
11.4
5.5
6.5
12.6
12.6
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
JEDEC
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
-
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
PHQV
标准
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
HZ(1)(2)
t
威尔斯亲王医院
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
从地址OE / CE更改输出保持
OE为输出低Z
CE到输出中低Z
OE高到输出高阻
CE高到输出高阻
RP高到输出延迟
0
0
0
30
55
600
28F001-70
(8)
28F001-90
(7)
分钟。
70
70
70
27
0
0
0
30
35
600
马克斯。
分钟。
90
90
90
35
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-12
(7)
分钟。
120
120
120
50
0
0
0
30
55
600
马克斯。
28F001-15
(7)
分钟。
150
150
150
55
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.高速交流测试输入/输出
Waveform(3)(4)(5)
3.0 V
输入脉冲电平
0.0 V
1.5 V
参考点
5108 FHD F03
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
5108 FHD F03A
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F04
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 30 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F05
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
（7）为负载和参考点，参照图1
（8）对于负荷和参考点，参照图2
5
文档。第25071-00 2/98 F- 1
