超低功耗CMOS SRAM
128K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV1027
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 18毫安（最大）在55ns
2毫安（最大） ，以1MHz
O
O
待机电流： 1 / 1.5uA （最大）在70℃ / 85℃
V
CC
= 5.0V工作电流： 47毫安（最大）在55ns
10mA（最）在1MHz
O
O
待机电流： 3 / 5UA （最大）在70℃ / 85℃
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS62LV1027是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
O
1.5 / 5UA在Vcc = 3V / 5V的电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1027具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1027可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， 8mmx13.4mm STSOP和
8mmx20mm TSOP封装
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV1027DC
BS62LV1027PC
BS62LV1027SC
BS62LV1027STC
BS62LV1027TC
BS62LV1027PI
BS62LV1027SI
BS62LV1027STI
BS62LV1027TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
马克斯。 ）
操作
(I
CC
马克斯。 ）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
3.0uA
1.0uA
9mA
29mA
46mA
1.5mA
9mA
17mA
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
5.0uA
1.5uA
10mA
30mA
47mA
2mA
10mA
18mA
骰子
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
销刀豆网络gurations
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
框图
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
BS62LV1027STC
BS62LV1027STI
BS62LV1027TC
BS62LV1027TI
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
8
数据
输入
卜FF器
8
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV1027PC
BS62LV1027PI
BS62LV1027SC
BS62LV1027SI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
8
数据
产量
卜FF器
A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1027
1
调整
2.4
十月
2008
BS62LV1027
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这17个地址输入端选择131,072中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV1027
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
调整
2.4
十月
2008
BS62LV1027
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
待机电流 - CMOS
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
IL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
(4)
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
1
1
0.4
--
18
47
2
10
(3)
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
2.2
--
--
--
2.4
--
--
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
--
--
--
--
--
--
0.02
0.4
0.5
1.0
1.5
5.0
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
O
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. f
马克斯。
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
是17毫安/ 46毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
低于1uA / 3uA的在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
数据保持特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.02
--
马克斯。
--
0.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD （最大）
is0.3uA在T
A
=70 C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
V
IH
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV1027
3
调整
2.4
十月
2008
BS62LV1027
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
读周期2
(1,3,4)
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
t
AA
t
OH
D
OUT
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
(5)
CE2
t
OLZ
t
ACS1
t
CHZ1
(1,5)
t
OHZ
(5)
t
OH
t
ACS2
t
CLZ2
(5)
t
CHZ2
(2,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1027
5
调整
2.4
十月
2008
超低功耗CMOS SRAM
128K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV1027
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 18毫安（最大）在55ns
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.02uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V工作电流： 47毫安（最大）在55ns
10mA（最）在1MHz
待机电流： 0.4uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV1027是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.02uA电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1027具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1027可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， 8mmx13.4mm STSOP ，
8mmx20mm TSOP和36焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV1027DC
BS62LV1027HC
BS62LV1027PC
BS62LV1027SC
BS62LV1027STC
BS62LV1027TC
BS62LV1027HI
BS62LV1027PI
BS62LV1027SI
BS62LV1027STI
BS62LV1027TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
马克斯。 ）
操作
(I
CC
马克斯。 ）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
3.0uA
1.0uA
9mA
29mA
46mA
1.5mA
9mA
17mA
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
5.0uA
1.5uA
10mA
30mA
47mA
2mA
10mA
18mA
骰子
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
BS62LV1027STC
BS62LV1027STI
BS62LV1027TC
BS62LV1027TI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
3
CE2
4
A3
5
A6
6
A8
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV1027PC
BS62LV1027PI
BS62LV1027SC
BS62LV1027SI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
8
A
A0
数据
产量
卜FF器
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
C
DQ5
NC
A5
DQ1
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
F
DQ6
NC
NC
DQ2
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
G
DQ7
OE
CE1
A16
A15
DQ3
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1027
1
修订版2.3
五月。
2006
BS62LV1027
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这17个地址输入端选择131,072中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV1027
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版2.3
五月。
2006
BS62LV1027
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
IL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
Max(4)
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
2.2
--
--
--
2.4
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.4
--
18
47
2
10
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
--
--
--
--
--
--
0.02
0.4
0.5
1.0
1.5
5.0
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
O
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. f
马克斯。
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是17毫安/ 46毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为1.3uA / 4.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.02
--
--
马克斯。
--
0.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCRD （最大）
is0.3uA在T
A
=70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV1027
3
修订版2.3
五月。
2006
BS62LV1027
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
(1,3,4)
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
CE2
t
CLZ2
D
OUT
(5)
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ1
(5)
(1,5)
t
ACS2
t
CHZ2
(2,5)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1027
5
修订版2.3
五月。
2006
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×8位
BS62LV1027
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 17毫安（ @ 55ns ）工作电流
I-等级： 18毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 14毫安（ @为70ns ）工作电流
I-等级： 15毫安（ @为70ns ）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 46毫安（ 55ns ）工作电流
I-等级： 47毫安（ 55ns ）工作电流
C-等级： 38毫安（为70ns ）工作电流
I-等级： 39毫安（为70ns ）工作电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS62LV1027是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 131072字静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
为0.1uA在3V / 25
o
55ns的3V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1027具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1027可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 300MIL塑料SOJ ， 600mil塑料DIP ，8毫米x13.4
毫米STSOP和8mmx20mm TSOP 。
速度
（纳秒）
功耗
操作
待机
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
产品系列
产品
家庭
BS62LV1027SC
BS62LV1027TC
BS62LV1027STC
BS62LV1027PC
BS62LV1027JC
BS62LV1027DC
BS62LV1027SI
BS62LV1027TI
BS62LV1027STI
BS62LV1027PI
BS62LV1027JI
BS62LV1027DI
操作
温度
VCC
范围
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V的Vcc = 5.0V的Vcc = 3.0V
PKG型
SOP-32
TSOP-32
STSOP-32
PDIP-32
SOJ-32
骰子
SOP-32
TSOP-32
STSOP-32
PDIP-32
SOJ-32
骰子
Vcc=3V
70ns
Vcc=5V
70ns
0 ℃ + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
55/70
8.0uA
1.3uA
14mA
38mA
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V ~ 5.5V
55/70
20uA
2.5uA
15mA
39mA
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
BS62LV1027SC
26
BS62LV1027SI
25
BS62LV1027PC
24
BS62LV1027PI
23
BS62LV1027JC
22
BS62LV1027JI
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
框图
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
8
数据
产量
卜FF器
8
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1027
BS62LV1027TC
BS62LV1027STC
BS62LV1027TI
BS62LV1027STI
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV1027
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072 ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A16地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1027
2
修订版2.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV1027
测试条件
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.0
2.2
--
--
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.1
0.6
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
15
39
0.5
1.0
2.5
20
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
或CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V ，
V
IN
≧Vcc-0.2V
或V
IN
≦0.2V
70ns
--
2.4
--
--
--
--
--
--
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
I
CCSB
I
CCSB1
(4)
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
4.电流Icc
SB1_Max.
为1.3uA / 8.0uA在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
5.电流Icc
=最大。
是18毫安（ @ 3V ） / 47毫安（ @ 5V ）下55ns操作。
数据保持特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.05
--
--
马克斯。
--
0.3
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR_MAX 。
为0.2uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
R0201-BS62LV1027
V
IL
V
IL
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV1027
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
CE1
(1,3,4)
t
CE2
(5)
CLZ
ACS1
t
t
ACS2
t
CHZ1,
t
(5)
CHZ2
D
OUT
(1,4)
读CYCLE3
t
RC
地址
t
OE
AA
t
CE1
OE
t
OH
t
t
(5)
CLZ1
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ1
CE2
t
t
(5)
CLZ2
ACS2
t
(2,5)
CHZ2
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1027
5
修订版2.1
一月
2004
