bq24150A
bq24151A
SLUS931 - 2009年4月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
说明继续
在充电过程中, bq24150A / 1A监视其结温度(T
J
)并且降低了充电
目前牛逼一次
J
增大到大约125 ℃。支持USB OTG设备, bq24150A / 1A提供VBUS
(约5.05 V)通过提高电池电压。该bq24150A / 1A是20引脚WCSP封装。
WCSP封装
( TOP VIEW )
A1
VBUS
A2
VBUS
A3
BOOT
A4
SCL
B1
PMID
B2
PMID
B3
PMID
B4
SDA
C1
SW
C2
SW
C3
SW
C4
STAT
D1
保护地
D2
保护地
D3
保护地
D4
OTG
E1
CSIN
E2
AUX
PWR
E3
VREF
E4
CSOUT
终端功能
终奌站
名字
CSOUT
VBUS
PMID
SW
BOOT
保护地
CSIN
SCL
SDA
STAT
号
E4
A1, A2
B1, B2, B3
C1, C2, C3
A3
D1, D2, D3
E1
A4
B4
C4
I
I
I / O
O
I / O
I
I
O
O
O
描述
电池电压和电流检测输入端。旁路它与陶瓷电容器(最小0.1
F)
to
保护接地是否存在长电感导到电池。
充电器的输入电压。绕过它使用1 μF陶瓷电容VBUS至PGND 。
反向阻断MOSFET和高边开关MOSFET之间的连接点。绕过它
从PMID最小3.3 μF的电容到PGND 。
内部开关输出电感器的连接。
引导紧张的电容为高边MOSFET栅极驱动器。连接一个10 nF的陶瓷电容
(额定电压高于10 V) ,从BOOT引脚到引脚SW 。
电源地
充电电流检测输入。电池的电流是通过一个外部检测的电压降检测到
电阻器。一个0.1 μF陶瓷电容到PGND是必需的。
I
2
C接口的时钟。开漏输出,连接一个10 kΩ的上拉电阻, 1.8V的电源轨
I
2
C接口的数据。开漏输出,连接一个10 kΩ的上拉电阻, 1.8V的电源轨
充电状态引脚。拉的时候进行充电低。漏极开路的其他条件。故障期间,一
128微秒脉冲被发送出去。 STAT引脚可通过控制寄存器中的EN_STAT位被禁用。 STAT可以
可用于驱动一个LED或与主处理器进行通信。
内部偏置稳压器电压。从这个输出至地线连接一个1μF陶瓷电容。外
不允许负载VREF 。
辅助电源,连接到电池组中的高阻抗模式提供动力。
绕过它使用1 μF陶瓷电容此引脚与PGND 。
升压模式使能控制或输入电流限制选择引脚。当OTG处于激活状态,
bq24150A / 1A被压在升压模式下运行。它具有更高的优先级比我
2
空调控制,并且可以
通过控制寄存器禁用。在OTG活性状态的逻辑电压电平也可以被控制。
上电复位时, OTG引脚默认用作输入电流限制选择引脚。当OTG =
高, Iin的 - 极限= 500毫安当OTG =低, Iin的 - 极限= 100mA时看到的控制寄存器
详细信息。
VREF
AUXPWR
E3
E2
O
I
OTG
D4
I
2
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