BSI
n
特点
超低功耗/高速CMOS SRAM
1M ×8位
n
描述
BH62UV8000
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 5.0毫安在70ns的25
O
C
1.5毫安在1MHz处25
O
C
待机电流： 2.5uA 25
O
C
V
CC
= 2.0V
数据保持电流： 2.5uA 25
O
C
高速存取时间：
-70
为70ns ，在1.8V时85
O
C
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有refreash
数据保持电源电压低至1.0V
该BH62UV8000是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器由8位， 1,048,576和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
，具有1.5mA的典型工作电流的速度和低功耗的特点，
1MHz的电压为3.6V / 25
O
为70ns的1.8V / 85 ℃，最大访问时间
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH62UV8000具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV8000是DICE的形式和48球BGA封装。
n
产品系列
产品
家庭
操作
温度
V
CC
范围
速度
（纳秒）
V
CC
=1.8~3.6V
耗电量
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V
+0
O
C至+70
O
C
BH62UV8000AI
1.65V ~ 3.6V
BH62UV8000DI
-25
O
C至+ 85
O
C
70
13uA
10uA
10mA
7mA
BGA-48-0608
骰子
70
15uA
12uA
10mA
7mA
n
销刀豆网络gurations
1
A
NC
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
n
框图
B
NC
NC
A3
A4
CE1
NC
C
DQ0
NC
A5
A6
NC
D04
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 18192
D
VSS
DQ1
A17
A7
DQ5
VCC
DQ0
DQ1
8
数据
输入
卜FF器
8
8
8192
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
E
VCC
DQ2
VSS
A16
DQ6
VSS
F
D3
NC
A14
A15
NC
DQ7
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
产量
卜FF器
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
GND
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
A19 A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV8000
1
修订版1.0
七月
2005
BSI
n
引脚说明
BH62UV8000
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1,048,576 ×8位之一
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-25
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.65V ~ 3.6V
1.65V ~ 3.6V
C
C
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
R0201-BH62UV8000
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
输入
V
IN
= 0V
6
电容
输入/输出
C
IO
V
I / O
= 0V
8
电容
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
C
IN
pF
pF
2
修订版1.0
七月
2005
BSI
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
BH62UV8000
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
(1,3,4)
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
CE2
t
CLZ2
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ1
(5)
(1,5)
t
ACS2
(5)
t
CHZ2
(2,5)
R0201-BH62UV8000
5
修订版1.0
七月
2005
