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BG3130...
双N沟道MOSFET四极管
4
5
6
两个增益控制输入级的UHF
和VHF -tuners如（ NTSC ， PAL ）
两个AGC放大器在一个单一的包
集成门极保护二极管
高AGC范围，低噪声系数，高增益
在增益减少，提高了交叉调制
BG3130
6
5
4
2
1
3
VPS05604
BG3130R
6
5
4
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
R
G1
V
GG
高频输出
+ DC
B
A
B
2
3
1
1
A
2
3
GND
EHA07461
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BG3130
BG3130R
包
SOT363
SOT363
1=G1
1=G1
2=G2
2=S
引脚配置
3=D
3=D
4=D
4=D
5=S
5=G2
6=G1
6=G1
记号
KAS
KHS
180 °旋转的磁带加载方向可用
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
符号
R
thChS
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
±V
G1/G2S
P
合计
T
英镑
T
ch
价值
8
25
1
6
200
-55 ... 150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
价值
≤
280
单位
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Feb-27-2004
BG3130...
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 0 V
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
GATE2源漏电流
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4.5 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 120
k
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
V
G2S(p)
-
0.6
-
V
G1S(p)
-
0.7
-
V
I
DSX
-
10
-
mA
I
DSS
-
-
10
A
+I
G2SS
-
-
50
nA
+I
G1SS
-
-
50
A
+V
(BR)G2SS
6
-
15
+V
(BR)G1SS
6
-
15
V
（ BR ） DS
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Feb-27-2004
BG3130...
电气特性
参数
符号
分钟。
正向跨导
GATE1输入电容
f
= 10 MHz的
输出电容
f
= 10 MHz的
功率增益
f
= 800兆赫
f
= 45 MHz的
噪声系数
f
= 800兆赫
f
= 45 MHz的
增益控制范围
V
G2S
= 4 ... 0 V,
f
= 800兆赫
交叉调制
K = 1 ％中，f
w
=50MHz,
f
UNW
=60MHz
X
MOD
AGC
= 0分贝
AGC
= 10分贝
AGC
= 40分贝
-
90
-
96
-
87
100
-
-
-
G
p
F
-
-
45
1.3
1.7
-
-
-
-
G
p
-
-
24
31
-
-
dB
dB
C
DSS
-
1.1
-
g
fs
C
g1ss
-
-
值
典型值。
33
1.9
马克斯。
-
-
mS
pF
单位
AC特性
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V， （我
D
= 14 mA）的（通过随机抽样核实）
3
Feb-27-2004
BG3130...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。 A =安培。 B
300
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。 A =安培。 B
30
mW
mA
P
合计
200
20
150
I
D
15
100
10
50
5
0
0
120
°C
0
0
20
40
60
80
100
150
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
T
S
I
G1
输出特性我
D
=
(V
DS
)
功放。 A =安培。 B
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
功放。 A =安培。 B
225
22
mA
1.3V
A
4V
18
16
1.2V
175
V
G1S
I
D
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
V
150
125
3.5V
1.1V
3V
1V
100
75
50
2V
2.5V
0.8V
25
0
0
14
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3.2
V
DS
I
G1
4
Feb-27-2004
BG3130...
1号门正向跨导
g
fs
=
(I
D
),
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
功放。 A =安培。 B
40
mS
4V
漏电流
I
D
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
功放。 A =安培。 B
32
A
4V
3V
30
3.5V
24
2.5V
g
fs
3V
20
I
D
25
20
16
2V
15
2V
2.5V
12
10
8
1.5V
5
4
0
0
4
8
12
16
20
24
28
mA
36
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
2
I
D
V
G1S
漏电流
I
D
=
(V
GG
） amp.A = amp.B
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V,
R
G1
= 120k
（连接到
V
GG,
V
GG = GATE1电源电压）
13
mA
11
10
9
漏电流
I
D
=
(V
GG
)
V
G2S
= 4V,
R
G1
=以kΩ参数
功放。 A =安培。 B
22
mA
70
80
18
16
100
120
I
D
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
I
D
14
12
10
8
6
4
2
5
0
0
1
2
3
4
5
V
7
V
GG
V
GG
-VDS
5
Feb-27-2004
BG3130...
双N沟道MOSFET四极管
两个增益控制输入级的UHF
和VHF -tuners如（ NTSC ， PAL ）
两个AGC放大器在一个单一的包
集成门极保护二极管
高AGC范围，低噪声系数，高增益
在增益减少，提高了交叉调制
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
4
5
6
1
2
3
BG3130
BG3130R
漏
$
#
＆ QUOT ;
*
)

!
AGC
RF
输入RG1
VGG
G2
G1
RF输出
+ DC
GND
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BG3130
BG3130R
包
SOT363
SOT363
1=G1* 2=G2
1 = G 1 * 2 = S
引脚配置
3=D*
3=D*
4=D**
4=D**
5=S
5=G2
记号
6 = G1 **卡斯
6 = G1 ** KHS
*对于放大器。 A; **的放大器。 B
180 °旋转的磁带加载方向可用
1
2007-06-01
BG3130...
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
1
为
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
±V
G1/G2S
P
合计
T
英镑
T
ch
符号
R
thChS
价值
8
25
1
6
200
-55 ... 150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
价值
≤
280
单位
K / W
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2007-06-01
BG3130...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 0 V
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
GATE2源漏电流
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4.5 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 120 k
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
V
G2S(p)
-
0.6
-
V
G1S(p)
-
0.7
-
V
I
DSX
-
10
-
mA
I
DSS
-
-
10
A
+I
G2SS
-
-
50
nA
+I
G1SS
-
-
50
A
+V
(BR)G2SS
6
-
15
+V
(BR)G1SS
6
-
15
V
（ BR ） DS
12
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-06-01
BG3130...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
正向跨导
GATE1输入电容
f
= 10 MHz的
输出电容
f
= 10 MHz的
功率增益
f
= 800兆赫
f
= 45 MHz的
噪声系数
f
= 800兆赫
f
= 45 MHz的
增益控制范围
V
G2S
= 4 ... 0 V,
f
= 800兆赫
交叉调制
K = 1 ％中，f
w
=50MHz,
f
UNW
=60MHz
X
MOD
AGC
= 0分贝
AGC
= 10分贝
AGC
= 40分贝
-
90
-
96
-
87
100
-
-
-
G
p
F
-
-
45
1.3
1.7
-
-
-
-
G
p
-
-
24
31
-
-
dB
dB
C
DSS
-
1.1
-
g
fs
C
g1ss
-
-
典型值。
33
1.9
马克斯。
-
-
mS
pF
单位
AC特性
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V， （我
D
= 14 mA）的（通过随机抽样核实）
4
2007-06-01
BG3130...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。 A =安培。 B
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。 A =安培。 B
300
30
mW
mA
P
合计
200
20
150
I
D
15
100
10
50
5
0
0
120
°C
0
0
20
40
60
80
100
150
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
T
S
I
G1
输出特性我
D
=
(V
DS
)
功放。 A =安培。 B
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
功放。 A =安培。 B
225
1.3V
A
4V
22
mA
18
1.2V
175
16
V
G1S
3.5V
150
125
3V
I
D
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
V
1.1V
1V
100
75
50
2V
2.5V
0.8V
25
0
0
14
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3.2
V
DS
I
G1
5
2007-06-01
查看更多BG3130PDF信息
推荐型号
BZT52C4V7
BZT52-C4V7
BTS611L1E3230
BMVK500ADA4R7MF60G
B65887E0000R049
BU3072HFV-TR
BCN162ABI100J7
BX2572W
BL-R4515
B32562J6104M
BQ24064DRCT
BDX54CG
BZX85C43RL2
BU2762AL
BUF460DF
BQ24022DRCR
B43508B2827M087
B41252A6159M000
BH16240ADL
B43252A4567M000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    BG3130
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    BG3130
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    BG3130
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯脉实业有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：0755-84507690
联系人：马先生
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
BG3130
INFINEON
22+
6980
SOT-363
新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
深圳市芯东方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：0755-83253648
联系人：欧阳先生
地址：福田区华强北街道上步工业区405栋7楼
BG3130
INFINEON/英飞凌
22+
8240
SOT-363
仅售原装正品/假一赔十
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
BG3130
INFINEON
2322+
41968
SOT-363
绝对原装正品现货，全新渠道优势专营进口品牌！
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BG3130
INFINEON/英飞凌
2322+
21500
SOT-363
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳市维基鸿电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：13058174971
联系人：朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
BG3130
INFINEON/英飞凌
20+PB
980
SOT363
原装正品保障
深圳市岭缃峰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：0755-82499389
联系人：吴小姐 陈小姐 李小姐 李先生
地址：华强北赛格大楼1楼1007
BG3130
INFINEON/英飞凌
21+
7100
SOT-363
原装现货
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BG3130
INFINEON
23+
25000
SOT363-6
全新进口原装现货！BG3130
深圳市旺财半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：13332916726
联系人：李
地址：深圳市宝安区内环路航城智慧科技园A栋511/华强广场Q2C022
BG3130
INFINEON/英飞凌
22+
35000
SOT-363
原装现货库存深圳房间交货QQ：2987726803
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：15816893710 18668620966
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