初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
开关收藏家
开关发射器
定时电容
GND
比较器的反相输入
V
CC
I
PK
SENSE
司机收藏家
功能
内部开关晶体管集电极
内部开关晶体管的发射极
定时电容器来控制开关频率
接地引脚内部电路全部
反相输入引脚的内部比较器
电源
峰值电流检测输入通过监视的电压降
外部I感测电阻器,以限制峰值电流通过开关
电压驱动器集电极
AZ34063A
订购信息
AZ34063A
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
电路类型
包
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
包
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ34063AM
AZ34063AMTR
AZ34063AP
无铅
AZ34063AM-E1
AZ34063AMTR-E1
AZ34063AP-E1
标记ID
铅锡
34063AM
34063AM
AZ34063AP
无铅
34063AM-E1
34063AM-E1
AZ34063AP-E1
包装类型
管
磁带&卷轴
管
SOIC-8
DIP-8
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
3
初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
比较器的输入电压范围
开关集电极电压
开关发射极电压( Vpin1 = 40V )
开关集电极到发射极电压
驱动集电极电压
司机集电极电流(注2 )
开关电流
功耗和热特性
塑料包装,
)
功率耗散(T
A
= 25
热阻
SOIC封装,
)
功率耗散(T
A
= 25
热阻
工作结温
存储温度范围
ESD(人体模型)
符号
V
CC
V
IR
V
C
(转)
V
E
(转)
V
CE
(转)
V
C
(驱动器)
I
C
(驱动器)
I
SW
价值
40
-0.3 40
40
40
40
40
100
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
AZ34063A
P
D
R
J
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
1.25
100
625
160
150
-65到150
2000
W
/W
mW
/W
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :最大功率极限必须遵守。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
符号
V
CC
T
A
民
3
-40
最大
36
85
单位
V
o
C
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
4
初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
电气特性
(
V
CC
= 5.0 V ,T
A
= -40 85
o
C,除非另有规定)。
AZ34063A
参数
振荡器
频率
充电电流
放电电流
符号
f
OSC
I
CHG
I
Dischg
条件
VPIN 5 = 0 V , CT = 1.0 nF的
T
A
= 25
o
C
V
CC
= 5.0 V至36 V ,T
A
= 25
o
C
V
CC
= 5.0 V至36 V ,T
A
= 25
o
C
民
30
30
180
5.2
250
典型值
38
38
240
6.5
300
1.0
最大
45
45
290
7.5
350
1.3
0.7
单位
千赫
A
A
放电到充电电流I
Dischg
/I
CHG
脚7 V,T = 25
o
C
cc的
比
限流检测电压
输出开关(注3 )
饱和电压,
Dalington连接
饱和电压(注4 )
直流电流增益
集电极断态电流
比较
阈值电压
门槛
规
电压
LINE
V
TH
R
EGLINE
I
IB
I
CC
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40 85
o
C
V
CC
= 3.0 V至36 V
V
IN
= 0 V
V
CC
= 5.0 V至36 V , CT = 1.0
NF,
引脚7 = V
CC
, VPIN 5 > V
TH
,
V
CE
(SAT)
V
CE
(SAT)
h
FE
I
C
(关闭)
I
SW
= 1.0 A,
引脚1,8连接
I
SW
= 1.0 A, RPIN 8 = 82
V
CC
,强制= 20
I
SW
= 1.0 A,V
CE
= 5.0 V,
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 36 V
to
V
IPK
(感)
I
CHG
= I
Dischg
, T
A
= 25
o
C
mV
V
V
0.45
50
75
0.01
1.225
1.21
1.250
1.4
-20
100
1.275
1.29
5
-400
4
A
V
mV
nA
mA
输入偏置电流
设备总
电源电流
注3 :低占空比脉冲技术测试期间被用来保持结点温度接近环境温度
成为可能。
注4 :如果输出开关在低开关电流( 300毫安),并打入硬饱和(非达林顿配置)
高驱动电流( 30mA),口径,它可能需要长达2.0us它来饱和了。这个条件会缩短关闭时间
在频率30KHz的,并且被放大,在高的温度。这种情况不会用达林顿配置出现,
由于输出开关不能饱和。如果使用非达林顿结构,下面的输出驱动器状态是消遣
ommended :
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
5
数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
开关收藏家
开关发射器
定时电容
GND
比较器的反相输入
V
CC
I
PK
SENSE
司机收藏家
功能
内部开关晶体管集电极
内部开关晶体管的发射极
定时电容器来控制开关频率
接地引脚内部电路全部
反相输入引脚的内部比较器
电源
峰值电流检测输入被监控的电压降
通过一个外部电流检测电阻来限制峰值电流
租通过开关
电压驱动器集电极
AZ34063A
订购信息
AZ34063A
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
电路类型
包
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
包
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ34063AM
AZ34063AMTR
AZ34063AP
无铅
AZ34063AM-E1
AZ34063AMTR-E1
AZ34063AP-E1
标记ID
铅锡
34063AM
34063AM
AZ34063AP
无铅
34063AM-E1
34063AM-E1
AZ34063AP-E1
包装类型
管
磁带&卷轴
管
SOIC-8
DIP-8
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2006年9月修订版1.3
BCD半导体制造有限公司
3
数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
比较器的输入电压范围
开关集电极电压
开关发射极电压( V
销1
=40V)
开关集电极到发射极电压
驱动集电极电压
司机集电极电流(注2 )
开关电流
功率耗散(T
A
=25
℃
)
热阻
工作结温
焊接温度(焊接, 10秒)
存储温度范围
ESD(人体模型)
DIP-8
SOIC-8
DIP-8
SOIC-8
符号
V
CC
V
IR
V
C
(转)
V
E
(转)
V
CE
(转)
V
C
(驱动器)
I
C
(驱动器)
I
SW
P
D
R
θJA
T
J
T
领导
T
英镑
价值
40
-0.3 40
40
40
40
40
100
1.5
1.25
780
100
160
150
260
-65到150
2000
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
W
mW
℃
/W
℃
℃
℃
V
AZ34063A
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :最大功率极限必须遵守。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
符号
V
CC
T
A
民
3
-40
最大
36
85
单位
V
o
C
2006年9月修订版1.3
BCD半导体制造有限公司
4
数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
电气特性
(
V
CC
= 5.0 V ,T
A
= -40 85
o
C,除非另有规定)。
AZ34063A
参数
振荡器
频率
充电电流
放电电流
符号
条件
民
典型值
最大
单位
f
OSC
I
CHG
I
Dischg
V
PIN5
= 0V ,C
T
=1.0nF
T
A
=25
o
C
V
CC
= 5.0V至36V ,T
A
=25
o
C
V
CC
= 5.0V至36V ,T
A
=25
o
C
30
30
180
5.2
250
38
38
240
6.5
300
45
45
290
7.5
350
千赫
A
A
放电到充电电流
I
Dischg
/I
CHG
脚7 V
CC
, T
A
=25
o
C
比
限流检测电压
输出开关(注3 )
饱和电压,
Dalington连接
饱和电压(注4 )
直流电流增益
集电极断态电流
比较
阈值电压
阈值电压线路
规
输入偏置电流
设备总
电源电流
I
CC
V
CC
= 5.0V至36V ,C
T
=1.0nF,
V
PIN7
=V
CC
, V
PIN5
& GT ; V
TH
,
V
PIN2
= GND ,其它引脚开路
V
TH
R
EGLINE
I
IB
T
A
=25
o
C
T
A
= -40 85
o
C
V
CC
= 3.0V至36V
V
IN
=0V
V
CE
(SAT)
V
CE
(SAT)
h
FE
I
C
(关闭)
I
SW
= 1.0A ,引脚1,8相连,
共发射极
I
SW
= 1.0A ,R
PIN8
= 82Ω到V
CC
,
被迫
β=20,
共发射极
I
SW
= 1.0A ,V
CE
=5.0V,
T
A
=25 C
V
CE
=36V
o
V
IPK
(感)
I
CHG
=I
Dischg
, T
A
=25
o
C
mV
1.0
0.45
50
75
0.01
1.3
0.7
V
V
100
A
1.225 1.250 1.275
1.21
1.250
1.4
-20
1.29
5
-400
V
mV
nA
4
mA
注3 :低占空比脉冲技术测试期间被用来保持结点温度接近环境温度
成为可能。
注4 :如果输出开关被打入硬饱和(非达林顿配置)在低开关电流( ≤ 300毫安)和
高驱动电流( ≥ 30毫安) ,它可能需要长达2.0us它来饱和了。这个条件会缩短关闭时间
在频率30KHz的,并且被放大,在高的温度。这种情况不会用达林顿配置出现,
由于输出开关不能饱和。如果使用非达林顿结构,下面的输出驱动器状态是消遣
ommended :
2006年9月修订版1.3
BCD半导体制造有限公司
5
初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
开关收藏家
开关发射器
定时电容
GND
比较器的反相输入
V
CC
I
PK
SENSE
司机收藏家
功能
内部开关晶体管集电极
内部开关晶体管的发射极
定时电容器来控制开关频率
接地引脚内部电路全部
反相输入引脚的内部比较器
电源
峰值电流检测输入通过监视的电压降
外部I感测电阻器,以限制峰值电流通过开关
电压驱动器集电极
AZ34063A
订购信息
AZ34063A
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
电路类型
包
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
包
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ34063AM
AZ34063AMTR
AZ34063AP
无铅
AZ34063AM-E1
AZ34063AMTR-E1
AZ34063AP-E1
标记ID
铅锡
34063AM
34063AM
AZ34063AP
无铅
34063AM-E1
34063AM-E1
AZ34063AP-E1
包装类型
管
磁带&卷轴
管
SOIC-8
DIP-8
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
3
初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
比较器的输入电压范围
开关集电极电压
开关发射极电压( Vpin1 = 40V )
开关集电极到发射极电压
驱动集电极电压
司机集电极电流(注2 )
开关电流
功耗和热特性
塑料包装,
)
功率耗散(T
A
= 25
热阻
SOIC封装,
)
功率耗散(T
A
= 25
热阻
工作结温
存储温度范围
ESD(人体模型)
符号
V
CC
V
IR
V
C
(转)
V
E
(转)
V
CE
(转)
V
C
(驱动器)
I
C
(驱动器)
I
SW
价值
40
-0.3 40
40
40
40
40
100
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
AZ34063A
P
D
R
J
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
1.25
100
625
160
150
-65到150
2000
W
/W
mW
/W
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :最大功率极限必须遵守。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
符号
V
CC
T
A
民
3
-40
最大
36
85
单位
V
o
C
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
4
初步数据表
1.5A降压/升压/负输出DC -DC转换器
电气特性
(
V
CC
= 5.0 V ,T
A
= -40 85
o
C,除非另有规定)。
AZ34063A
参数
振荡器
频率
充电电流
放电电流
符号
f
OSC
I
CHG
I
Dischg
条件
VPIN 5 = 0 V , CT = 1.0 nF的
T
A
= 25
o
C
V
CC
= 5.0 V至36 V ,T
A
= 25
o
C
V
CC
= 5.0 V至36 V ,T
A
= 25
o
C
民
30
30
180
5.2
250
典型值
38
38
240
6.5
300
1.0
最大
45
45
290
7.5
350
1.3
0.7
单位
千赫
A
A
放电到充电电流I
Dischg
/I
CHG
脚7 V,T = 25
o
C
cc的
比
限流检测电压
输出开关(注3 )
饱和电压,
Dalington连接
饱和电压(注4 )
直流电流增益
集电极断态电流
比较
阈值电压
门槛
规
电压
LINE
V
TH
R
EGLINE
I
IB
I
CC
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40 85
o
C
V
CC
= 3.0 V至36 V
V
IN
= 0 V
V
CC
= 5.0 V至36 V , CT = 1.0
NF,
引脚7 = V
CC
, VPIN 5 > V
TH
,
V
CE
(SAT)
V
CE
(SAT)
h
FE
I
C
(关闭)
I
SW
= 1.0 A,
引脚1,8连接
I
SW
= 1.0 A, RPIN 8 = 82
V
CC
,强制= 20
I
SW
= 1.0 A,V
CE
= 5.0 V,
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 36 V
to
V
IPK
(感)
I
CHG
= I
Dischg
, T
A
= 25
o
C
mV
V
V
0.45
50
75
0.01
1.225
1.21
1.250
1.4
-20
100
1.275
1.29
5
-400
4
A
V
mV
nA
mA
输入偏置电流
设备总
电源电流
注3 :低占空比脉冲技术测试期间被用来保持结点温度接近环境温度
成为可能。
注4 :如果输出开关在低开关电流( 300毫安),并打入硬饱和(非达林顿配置)
高驱动电流( 30mA),口径,它可能需要长达2.0us它来饱和了。这个条件会缩短关闭时间
在频率30KHz的,并且被放大,在高的温度。这种情况不会用达林顿配置出现,
由于输出开关不能饱和。如果使用非达林顿结构,下面的输出驱动器状态是消遣
ommended :
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
5