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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第174页 > AS5LC512K8EC-15L/XT
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
3.3伏高速SRAM与
中心电源引出线
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883陶瓷
扩展级温度塑料( COTS )
AS5LC512K8
引脚分配
( TOP VIEW )
36引脚PSOJ ( DJ )
36引脚CLCC ( EC)
特点
超高速异步操作
??完全静态的,并没有时钟
多中心的电源和接地引脚,以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
+ 3.3V单电源0.3V +/-
数据保持功能测试
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
36引脚扁平封装(F )
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
工作温度范围
军事( -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
包( S)
陶瓷扁平
塑料SOJ ( 400密耳宽)
陶瓷LCC
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-20
-25
XT
IT
F
DJ
EC
L
307号
210号
概述
该AS5LC512K8是3.3V高速SRAM 。它提供
灵活的高速内存应用,芯片使能( CE \\ )
和输出使能(OE \\ )的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出,在系统设计中更多的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能(WE \\)
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下, CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项,该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下,使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件从+ 3.3V单电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5LC512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5LC512K8 SRAM和具有塑料的成本优势
封装。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS5LC512K8
2.1版08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
AS5LC512K8
VCC
GND
输入缓冲器
DQ8
行解码器
4,194,304-BIT
存储阵列
1024行×
4096柱
A0-A18
I / O
控制
DQ1
CE \\
OE \\
列解码器
WE \\
*电源
*在低电压数据保留选项。
引脚功能
A0 - A18
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
无连接
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
L
L
H
不选自H
L
H
X
L
L
X =无关
WE \\
I / O
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CE \\
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
AS5LC512K8
2.1版08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5LC512K8
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ........................- 。 5V到4.6V的应力等级设备的唯一和有效操作
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C或以下上面的任何其他条件的显示
短路输出电流(每个I / O) ... ........................本规范20mA的操作部分将得不到保证。曝光
任何引脚相对于Vss ........................- 。 5V到4.6V在绝对最大额定值条件下工作电压
最高结温** .............................. + 150°C会影响其可靠性。
功耗................................................ ................ 1W **结温取决于封装类型,循环
时间,装载,环境温度和空气流和湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
& -40
o
<牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3 % )
最大
描述
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
电源
当前位置:工作
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
,所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX , F = 0 ,
输出打开
电源
电流:待机
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
I
SBCLP
9
9
9
9
mA
I
CCSP
I
CCLP
80
70
60
55
mA
3, 2
60
50
40
35
mA
符号
-12
-15
-20
-25
单位备注
I
SBTSP
20
20
20
20
mA
I
SBTLP
I
SBCSP
15
15
15
15
mA
15
15
15
15
mA

 

   





   



  

  












 







*






& QUOT ; ?????

  

" ????? ?? ???? ?
& QUOT ; ?????

  

电容
参数
输入电容
输出Capactiance
AS5LC512K8
2.1版08/09
" ?????? # ? $? # ? % ?? &
 




' ( )!


'  )!
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
IN
= 0
o











(

μ
!
μ
!






符号
C
I
Co
最大
9
6
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC512K8
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3 % )
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能接取时间
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
8
8
0
0
10
6
1
2
5
0
6
15
10
10
0
0
12
7
1
2
6
2
2
6
6
0
7
20
12
12
0
0
15
8
1
2
7
-12
12
12
12
2
2
7
7
0
8
25
13
13
0
0
15
8
1
2
7
最大
15
15
15
2
2
8
8
0
9
-15
最大
20
20
20
2
2
9
9
-20
最大
25
25
25
-25
最大
单位备注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
AS5LC512K8
2.1版08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
3.3V
R
L
= 50Ω
Q
Z
O
=50Ω
AS5LC512K8
319Ω
V
L
= 1.5V
Q
353Ω
5 pF的
30 pF的
图。 1输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.所有电压参考V
SS
(GND)。
2. I
CC
示限制为绝对最坏的情况下切换
ADDR , ADDR \\ , ADDR ,等等。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
4.此参数是保证,但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ,除非另有说明。
t
6. LZCE ,
t
LZWE ,
t
LZOE ,
t
HZCE ,
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下,
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合,最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能( OE \\ )是无效(高) 。
输出使能( OE \\ )有效(低电平) 。
ASI不保证功能的可靠性,也
任何产品,其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意,限制权力
可接受的水平。
数据保存电气特性
(只有L型)
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
AS5LC512K8
2.1版08/09
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
2
最大
单位
V
笔记
6.5
0
20
mA
ns
ms
4
4, 11
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5
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
3.3伏高速SRAM与
中心电源引出线
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883陶瓷
扩展级温度塑料( COTS )
AS5LC512K8
引脚分配
( TOP VIEW )
36引脚PSOJ ( DJ )
36引脚CLCC ( EC)
特点
超高速异步操作
??完全静态的,并没有时钟
多中心的电源和接地引脚,以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
+ 3.3V单电源+/- 0.3 %
数据保持功能测试
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
36引脚扁平封装(F )
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
工作温度范围
军事( -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
包( S)
陶瓷扁平
塑料SOJ ( 400密耳宽)
陶瓷LCC
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-20
XT
IT
F
DJ
EC
L
307号
210号
概述
该AS5LC512K8是3.3V高速SRAM 。它提供
灵活的高速内存应用,芯片使能( CE \\ )
和输出使能(OE \\ )的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出,在系统设计中更多的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能(WE \\)
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下, CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项,该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下,使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件从+ 3.3V单电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5LC512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5LC512K8 SRAM和具有塑料的成本优势
封装。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
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1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
VCC
GND
AS5LC512K8
DQ8
输入缓冲器
行解码器
I / O
控制
4,194,304-BIT
存储阵列
1024行×
4096柱
A0-A18
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
*电源
*在低电压数据保留选项。
引脚功能
A0 - A18
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
无连接
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
L
L
H
不选自H
L
H
X
L
L
X =无关
WE \\
I / O
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CE \\
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
AS5LC512K8
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2
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绝对最大额定值*
AS5LC512K8
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ........................- 。 5V到4.6V的应力等级设备的唯一和有效操作
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C或以下上面的任何其他条件的显示
短路输出电流(每个I / O) ... ........................本规范20mA的操作部分将得不到保证。曝光
任何引脚相对于Vss ........................- 。 5V到4.6V在绝对最大额定值条件下工作电压
最高结温** .............................. + 150°C会影响其可靠性。
功耗................................................ ................ 1W **结温取决于封装类型,循环
时间,装载,环境温度和空气流和湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
& -40
o
<牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3 % )
描述
电源
当前位置:工作
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
,所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX , F = 0 ,
输出打开
电源
电流:待机
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
I
SBCLP
9
9
9
mA
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
80
60
70
50
60
40
mA
mA
3, 2
符号
-12
最大
-15
-20
单位备注
20
20
20
mA
15
15
15
mA
15
15
15
mA

 

   





   



  

  












 







*






& QUOT ; ?????

  

" ????? ?? ???? ?
& QUOT ; ?????

  

电容
参数
输入电容
输出Capactiance
AS5LC512K8
1.0版7/02
" ?????? # ? $? # ? % ?? &
 




' ( )!


'  )!
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
IN
= 0
o











(

!
!






符号
C
I
Co
最大
9
6
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC512K8
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3 % )





 



























 







  



 



    




   

 

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* ??? ???? ? ? ???? ?? ???? " #
 
 



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)













$ % & % '
  
AS5LC512K8
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奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
3.3V
R
L
= 50
Q
Z
O
=50
AS5LC512K8
319
V
L
= 1.5V
Q
353
5 pF的
30 pF的
图。 1输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.所有电压参考V
SS
(GND)。
2. I
CC
示限制为绝对最坏的情况下切换
ADDR , ADDR \\ , ADDR ,等等。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
4.此参数是保证,但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ,除非另有说明。
6.
t
LZCE ,
t
LZWE ,
t
LZOE ,
t
HZCE ,
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下,
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合,最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能( OE \\ )是无效(高) 。
输出使能( OE \\ )有效(低电平) 。
ASI不保证功能的可靠性,也
任何产品,其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意,限制权力
可接受的水平。
数据保存电气特性
(只有L型)
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
AS5LC512K8
1.0版7/02
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
2
最大
单位
V
笔记
6.5
0
20
mA
ns
ms
4
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    AS5LC512K8EC-15L/XT
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-83795435
    联系人:李小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    AS5LC512K8EC-15L/XT
    -
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    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    AS5LC512K8EC-15L/XT
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    -
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    终端采购配单精选

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