砷化镓IC SPDT开关
无反光DC- 18 GHz的
AS018M2-00
特点
s
宽带， DC- 18 GHz的
s
高隔离度，低损耗，快速切换
s
100 ％晶圆RF和DC测试
s
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
MT 2010
1.520
芯片大纲
0.648
1.444
2.240
1.375
0.839
描述
该AS018M2-00砷化镓SPDT MMIC相匹配FET
交换芯片非常适合于要求低损失，高应用
隔离和/或宽带操作。砷化镓MMIC
采用三个并联两大系列场效应管每组低
损，高隔离带50一起切换
负载
这被切换到较高的隔离臂为低回报
损失。功率消耗非常低，通常为75
A
at
-5 V.虽然建议操作高达18 GHz时，
交换机通过22千兆赫运行良好。
0.000
0.000
0.827
2.055
2.885
0.145
尺寸以毫米。
所有的直流电压（V ）垫是0.1 ×0.1毫米， RF输入，输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
电气规格在25℃
参数
1
插入损耗
2
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
2 GHz的
典型值。
1.5
82
17
16
10 GHz的
典型值。
2.8
57
8.5
10.5
18 GHz的
典型值。
2.2
50
12.5
16
48
7
9
2，10和18千兆赫
分钟。
马克斯。
3.0
单位
dB
dB
dB
dB
工作特性在25℃
参数
1
开关特性
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
3
0/-5 V
对于双音输入功率+13 dBm的
V
低
= 0 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -3 V至-6 V @ 250 μA（最大值） 。
0.5-18千兆赫
0.001 GHz的
0.5-18千兆赫
0.001 GHz的
频率
分钟。
典型值。
3
6
20
24
16
46
35
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2.插入损耗变化0.003分贝/ ℃。
与1 ns的测量3.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
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规格如有变更，恕不另行通知。 7 / 00A
1
砷化镓集成电路单刀双掷开关非反射DC- 18 GHz的
AS018M2-00
典型性能数据
0
-1
0
-10
0
0
输出回波损耗（dB ）
输入回波损耗（dB ）
插入损耗（dB ）
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
-20
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
-5
-10
-15
-20
-25
-30
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗和隔离与频率的关系
回波损耗与频率的关系
真值表
V
1
0
-5
V
2
-5
0
V
3
0
-5
V
4
-5
0
J
1
–J
2
低损耗
隔离
J
1
–J
3
隔离
低损耗
绝对最大额定值
特征
RF输入功率（ RF输入）
控制电压（V
C
)
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
热阻（ θ
JC
)
J
1
V
4
价值
1W
+0.2 V, -7 V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
83°C/W
电路原理图
V
1
芯片布局
J
2
J
3
V
1
J
1
V
4
50
50
J
2
V
2
V
3
J
3
V
2
V
3
2
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