BSI
PENDING
RF（射频）型
低C和R
PhotoMOS
继电器
典型应用
测量和测试仪器
1.测试设备半导体
性能
IC测试仪，液晶驱动器测试仪，
半导体性能测试仪
2.板测试仪
熊板测试仪，在线测试仪，
功能测试仪
3.医疗设备
超声波诊断机
4.多点记录仪
（翘曲，热电偶）
特点
8.8±0.05
.346±.002
6.4±0.05
.252±.002
3.6±0.2
.142±.008
8.8±0.05
.346±.002
6.4±0.05
.252±.002
3.9±0.2
.154±.008
mm
寸
1
2
3
6
5
4
1.与低输出电容
输出端子和低导通电阻
tance
2.高速开关（开启时间：
（典型值） 。 200
s)
3.高灵敏度
控制负荷高达250mA的输入电流
租金5毫安
4.低层次的关闭状态泄漏电流
固态继电器的断开状态泄漏电流
几毫安，其中，作为本
PhotoMOS继电器只有20PA （典型值）
即使在额定负载电压
5.控件低电平模拟信号
工艺，PhotoMos继电器具有非常低
闭路偏置电压，使
的低电平模拟信号的控制，而不
失真
6.低的热电动势
（约1
V)
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
负载
电压
负载
当前
通孔
终奌站
管包装风格
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从采摘
从采摘
1/2/ 3针端
4/5/ 6针端
AQV221NAX
AQV221NAZ
包装数量
管
1管中含有
50个。
1批包含
500件。
磁带和卷轴
AC / DC型
40 V
150毫安
AQV221N
AQV221NA
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注：由于篇幅原因，封装类型指标"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压（峰值AC）
连续负载电流
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
操作
温度
范围
存储
类型
符号连接
化
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
A
产量
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
B
C
AQV221N(A)
50毫安
3V
1A
75毫瓦
40 V
0.15 A
0.18 A
0.25 A
0.45 A
360毫瓦
410毫瓦
1500 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
备注
输入
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
连接：峰值AC， DC
B，C连接： DC
连接： 100毫秒（ 1拍） ，V
L
= DC
非冷凝在低温下
145
AQV221N
2.电气特性（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED工作电流
输入
LED关断电流
LED压降
典型
最大
最低
典型
典型
最大
典型
R
on
最大
典型
导通电阻＃
最大
产量
典型
R
on
最大
典型
输出电容＃
最大
关闭状态漏泄电流
开启时间*
开关
速度
转让
特征
关闭时间*
I / O容量
最初的I / O绝缘电阻
典型
最大
典型
最大
典型
最大
典型
最大
最低
I
泄漏
T
on
T
关闭
C
ISO
R
ISO
—
—
—
—
—
C
OUT
A
5 pF的
20 pA的
10 nA的
0.2毫秒
0.5毫秒
0.08毫秒
0.2毫秒
0.8 pF的
1.5 pF的
1,000 M
C
R
on
B
A
类型
符号连接
化**
I
丰
I
FOFF
V
F
—
—
—
AQV221N(A)
0.90毫安
3.0毫安
0.4毫安
0.85毫安
1.14 V（ 1.25 V ，在我
F
= 50 mA）的
1.5 V
9.8
15
5
7.5
2.5
3.8
3.9 pF的
备注
I
L
=最大。
I
L
=最大。
I
F
= 5毫安
I
F
= 0毫安
I
L
=最大。
在1秒的时间
I
F
= 5毫安
I
L
=最大。
在1秒的时间
I
F
= 5毫安
I
L
=最大。
在1秒的时间
I
F
= 0
V
B
= 0V
F = 1 MHz的
I
F
= 0
V
L
=最大。
I
F
= 5毫安
I
L
=最大。
I
F
= 5毫安
I
L
=最大。
F = 1 MHz的
V
B
= 0
500 V DC
**对于连接类型，请参阅第31页。
注：值得推荐的LED正向电流I
F
= 5毫安
*开启/关闭时间
输入
90%
产量
吨
花花公子
10%
＃其他类型的产品比C
OUT
（典型值3.9pF ）和R
on
（A连接典型值9.8
下页）
本产品目录中进行组合将也可提供。
（这里为R之间的权衡
on
和C
OUT
既不能在同一时间被减少。 ）
欲了解更多信息，请联系我们的销售网络连接CE的在您的地区。
s
对于尺寸，请参阅第27页。
s
原理图和接线图，请参见第31页。
s
对于使用注意事项，请参见第36页。
参考数据
1.负载电流与环境温度煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
允许环境温度： -40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
连接：A型
250
2.导通电阻与环境温度煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
被测部位：端子4与6之间;
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
16.0
14.0
3.开启时间与环境温度煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
LED电流5mA ;
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
1.0
负载电流，马
导通电阻，
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
开启时间，ms
-40
-20
0
20 40
60 8085
环境温度下，
°C
200
0.8
150
0.6
100
0.4
50
0.2
2.0
0
-40
-20
0
20
40
60 8085 100
环境温度下，
°C
0
0
-40
-20
0
20
40
60 8085
环境温度下，
°C
146
AQV221N
4.关闭时间与环境温度煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
0.5
LED工作电流，毫安
5. LED工作电流与环境温度
TURE特点
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
6. LED关闭电流与环境温度
特征
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
LED关断电流，毫安
关闭时间，ms
0.4
4
4
0.3
3
3
0.2
2
2
0.1
1
1
0
-40
-20
8085
0
20
40
60
环境温度下，
°C
0
-40 -20
0
20
40
60 8085
环境温度下，
°C
0
-40
-20
0
20
40
60 8085
环境温度下，
°C
7. LED压降与环境温度
TURE特点
LED电流： 5到50mA
1.5
8.电压与输出电流特性
在MOS部分
被测部位：端子4与6之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
150
目前，马
100
50
9.关闭状态泄漏电流
被测部位：端子4与6之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
10
–6
关机状态下的漏电流，A
LED压降，V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
-40
–4
50mA
30mA
20mA
10mA
5mA
–3
–2
–1
1
–50
–100
–150
2
3
4
电压，V
10
–9
10
–12
0
40
负载电压，V
100
-20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
10. LED正向电流与导通时间煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
被测部位：端子4与6之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
1.4
1.2
开启时间，ms
1.0
0.8
0.6
0.4
11. LED正向电流与关断时间煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
被测部位：端子4与6之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
0.22
12.外加电压与输出电容
特征
被测部位：端子4与6之间;
频率： 1 MHz时， 30毫伏有效值;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
10
输出电容，PF
关闭时间，ms
0.18
8
0.14
6
0.10
4
0.06
0.2
0
0
10
20
30
40
50
LED的正向电流，毫安
0
0
10
20
30
40
50
LED的正向电流，毫安
2
0
0
10
20
30
40
施加的电压，V
50
13.隔离特性
(50
阻抗）
被测部位：端子4与6之间;
环境温度： 25℃
77°F
100
14.插入损耗特性
(50
阻抗）
被测部位：端子4与6之间;
环境温度： 25℃
77°F
5
15.在性分布
被测部位：端子4与6之间
连续负载电流：150mA （ DC ）
数量， N = 50 ;环境温度： 25℃
77°F
25
插入损耗，分贝
80
Isolasion ，分贝
4
量，正
20
60
3
15
40
2
10
20
1
5
0
10
4
10
5
10
6
频率，赫兹
10
7
0
10
4
10
5
10
6
频率，赫兹
10
7
0
0
9.2
9.4
9.6
9.8
导通电阻，
10
147
