APTM20SKM08T
降压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
NTC2
V
DSS
= 200V
R
DSON
= 8MW最大@ TJ = 25°C
I
D
= 208A @ T C = 25°C
应用
·
·
AC和DC电机控制
开关电源
G1
特点
·
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
S1
OUT
0 / VBU一举两得
·
·
0 / VBU S
NT C1
·
·
0/VBUS
SENSE
好处
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
·
·
·
·
·
S1
G1
0/VBUS
SENSE
NTC2
NTC1
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
200
208
155
832
±30
8
781
100
50
3000
单位
V
A
V
mW
W
A
mJ
2004年5月
1–6
APTM20SKM08T - 第2版
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTM20SKM08T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 375A
V
GS
= 0V,V
DS
= 200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 160V
民
200
T
j
= 25°C
T
j
=
125°C
典型值
最大
150
750
8
5
±150
单位
V
A
mW
V
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 104A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
3
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 208A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A
R
G
= 2.5W
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A ，R
G
= 2.5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A ，R
G
= 2.5
民
典型值
14.4
4.66
0.29
280
106
134
32
64
88
116
1698
1858
1872
1972
J
J
ns
nC
最大
单位
nF
二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F（ AV ）
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50％
I
F
= 180A
I
F
= 360A
I
F
= 180A
I
F
= 180A
V
R
= 133V
的di / dt = 600A / μs的
I
F
= 180A
V
R
= 133V
的di / dt = 600A / μs的
民
T
c
= 85°C
典型值
180
1.1
1.4
0.9
31
60
180
750
最大
单位
A
V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Q
rr
反向恢复电荷
nC
u
E
on
包括二极管的反向恢复。
v
按照JEDEC标准JESD24-1 。
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2–6
APTM20SKM08T - 第2版
2004年5月
t
rr
反向恢复时间
ns
APTM20SKM08T
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
民
典型值
最大
0.16
0.32
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
=
é
1
1
ù
T：热敏电阻温度
- ÷ú
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
ê
B
25 / 85
T
÷
è
25
T
R
25
民
典型值
68
4080
最大
单位
kW
K
包装外形
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3–6
APTM20SKM08T - 第2版
2004年5月
APTM20SKM08T
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.18
热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.9
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
V
GS
=15V
700
600
I
D
，漏电流（ A）
500
400
300
200
100
0
Transfert特点
600
I
D
，漏电流（ A）
500
400
300
200
100
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
10V
9V
8.5V
8V
7.5V
7V
6.5V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
1.2
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 104A
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
GS
，门源电压（ V）
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
直流漏电流与外壳温度
250
200
150
100
50
0
1.1
1
V
GS
=10V
V
GS
=20V
0.9
0.8
0
50
100
150
200
250
300
I
D
，漏电流（ A）
25
50
75
100
125
150
2004年5月
4–6
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T
C
，外壳温度（ ° C）
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APTM20SKM08T
RDS （ ON） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
C，电容（pF ）
西塞
10000
科斯
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
受
R
DSON
V
GS
=10V
I
D
= 104A
1000
100s
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
V
GS
，门源电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
I
D
=208A
V
DS
=40V
12
T
J
=25°C
10
8
6
4
2
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷（ NC）
2004年5月
V
DS
=100V
V
DS
=160V
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
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