APT30M30JLL
300V
88A 0.030
W
S
G
D
S
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M30JLL
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
300
88
352
±30
±40
520
4.16
300
88
50
-55到150
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
300
88
0.030
100
500
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
050-7154冯 - 11-2001
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT30M30JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
民
典型值
最大
单位
7830
1870
89
146
40
56
15
22
35
8
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
（体二极管）
2
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
88
352
1.3
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
450
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
10.0
5
V / ns的
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 0.77mH ， R = 25W ，峰值I = 88A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
[
续。
]二
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
050-7154冯 - 11-2001
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
门
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT30M30JLL
300V
88A 0.030
S
G
D
S
功率MOS 7
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M30JLL
单位
伏
安培
300
88
352
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
88
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
300
0.030
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 44A)
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7154修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 300V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 240V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT30M30JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 150V
I
D
= 88A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 150V
I
D
= 88A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 200V, V
GS
= 15V
I
D
= 88A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 200V, V
GS
= 15V
I
D
= 88A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
7030
1895
110
140
41
70
15
19
35
9
815
1185
850
1250
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
88
352
1.3
450
10.0
5
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -88
A
)
反向恢复时间（I
S
= -88
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -88
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.24
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 0.77mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 88A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
88A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
300V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.25
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.9
0.20
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
1.0
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7154修订版B
7-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
遥控模型
250
I
D
，漏极电流（安培）
APT30M30JLL
VGS = 15 &10V
8V
连接点
温度。 （ “C ）
0.0528
0.0203F
200
7.5V
150
7V
100
6.5
6V
5.5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
动力
（瓦特）
0.0651
0.173F
0.123
外壳温度
0.490F
50
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
250
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
200
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
GS
归一
= 10V @ I = 44A
D
150
VGS=10V
100
50
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
VGS=20V
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
90
80
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
20
70
60
50
40
30
20
10
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.5
I
V
D
= 44A
= 10V
2.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
GS
1.1
1.0
0.9
7-2004
050-7154修订版B
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
352
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
100S
APT30M30JLL
西塞
100
C，电容（pF ）
科斯
1,000
10
1mS
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100
CRSS
1
1
10
100
300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 88A
300
12
VDS=60V
VDS=150V
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS=240V
10
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
120
100
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
200
V
DD
G
t
D（关闭）
180
160
= 200V
R
= 5
T = 125°C
J
80
60
40
20
0
40
V
DD
G
= 300V
140
t
r
和T
f
（纳秒）
L = 100μH
R
= 5
120
100
80
60
40
20
t
f
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
t
r
100
120
140
160
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
60
80
100
120
140
160
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
5000
V
I
DD
0
40
60
80
3500
= 200V
= 200V
3000
开关能量（ μJ ）
R
= 5
D
J
= 88A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
J
4000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
2500
2000
1500
1000
500
0
40
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
300
二极管的反向恢复。
E
关闭
2000
E
on
1000
7-2004
E
on
050-7154修订版B
100
120
140
160
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
60
80
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
APT30M30JLL
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
栅极电压
t
D（上）
t
r
90%
漏电流
t
D（关闭）
t
f
90%
10%
漏极电压
T
J
125°C
5%
开关能量
10%
5%
漏极电压
开关能量
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DS30
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7154修订版B
7-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
