APL3218
Li +电池充电器保护IC
特点
提供OUT引脚5V电压钳位保护
概述
该APL3218提供完整的Li +电池充电器保护
针对输入过压，输入过流和过
温度。当任何被监控参数是
超过阈值时，IC会关闭充电电流。
所有的保护也有反对虚假触发抗尖峰脉冲时间
杰灵因电压尖峰或瞬态电流。
该APL3218集成了5.5V LDO以防止过度ACIN
拍摄达到CHR_LDO和OUT 。当任何瞬间
峰值电压以上ACIN引脚5.5V呈现，但鉴于
低OVP阈值时，内部LDO钳将其输出
在5.5V 。当ACIN电压超过OVP阈值，则
设备将关闭充电电流。充电电流
由GATDRV引脚控制。当一个采购电流
从GATDRV销租， OUT引脚提供了charg-
荷兰国际集团的电流是200倍放大的振幅
基于GATDRV “电流。
s
其他功能还包括准确的V
VCDT
/V
ACIN
分压器，
从反向输出电流阻断，以ACIN和OTP
保护。该APL3218提供完整的Li +电池充电器
保护，并保存在外部MOSFET和肖特基
二极管的手机“ PMIC充电器。以上
s
功能和小型封装使APL3218的理想
部分，用于蜂窝电话的应用程序。
8 OUT
7 OUT
6 CHR_LDO
5 GATDRV
热调节充电保护
提供输入过压保护
提供输入过电流保护
提供过温保护
提供反向电流隔离
高免疫误触发的
高精度保护阈值
低导通电阻0.75Ω典型。
紧凑TDFN2x2-8和DFN3x3-8套餐
无铅和绿色设备可用
（符合RoHS ）
应用
手机
引脚配置
ACIN 1
ACIN 2
GND 3
4 VCDT
简化应用电路
5V
适配器
ACIN CHR_LDO
CHR_LDO
DFN3x3-8
（ TOP VIEW ）
APL3218
GATDRV
PMIC
GATDRV
VCDT
ISENS
ACIN 1
ACIN 2
GND 3
4 VCDT
8 OUT
7 OUT
6 CHR_LDO
5 GATDRV
VCDT
OUT
GND
李+
电池
VBAT
TDFN2x2-8
（ TOP VIEW ）
=裸焊盘（接地
平面更利于散热）
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知的权利，
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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APL3218
订购和标识信息
APL3218
大会材料
处理代码
温度范围
封装代码
L18
X
APL
3218
XXXXX
封装代码
QA ： DFN3x3-8
QB ： TDFN2x2-8
工作环境温度范围
我： -40 85
o
C
处理代码
TR ：带卷&
大会材料
G：卤素和无铅设备
X - 日期代码
APL3218 QB ：
APL3218 QA ：
X - 日期代码
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成;哪
完全符合RoHS指令。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC的J- STD- 020D的无铅要求
分类MSL在无铅峰值回流温度。 ANPEC定义“绿色”意味着无铅（符合RoHS标准）和卤素
免费（溴或氯不重量超过900ppm的均质材料溴和氯的总用不超过1500ppm的
的重量）。
绝对最大额定值
符号
V
ACIN
V
CHR_LDO
V
GATDRV
V
CDT
V
OUT
I
OUT
T
J
T
英镑
T
SDR
CHR_LDO到GND电压
GATDRV到GND电压
VCDT到GND电压
OUT到GND电压
输出电流（ OUT到GND）
最高结温
储存温度
ACIN输入电压（ ACIN到GND）
（注1 ）
参数
等级
-0.3 ~ 20
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ V
CHR_LDO
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ 7
1.5
150
-65 ~ 150
260
单位
V
V
V
V
V
A
o
o
C
C
C
最大的铅焊接温度（ 10秒）
o
注1 ：超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
值仅为该设备在这些或超出下标明的任何其他条件“的功能操作recom-
谁料工作条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响副
可靠性。
热特性
符号
θ
JA
θ
JA
参数
TDFN2x2-8结到环境阻力在自由空气
（注2 ）
DFN3x3-8结到环境阻力在自由空气
（注2 ）
典型的价值
75
65
单位
o
o
C / W
C / W
注2 ：
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。外露
TDFN2x2-8的垫在PCB上直接焊接。
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推荐工作条件
符号
V
ACIN
I
OUT
T
A
T
J
C
CHR_LDO
ACIN输入电压
输出电流
环境温度
结温
CHR_LDO输出电容
参数
（注3）
范围
4.5 ~ 9
0 ~ 0.7
-40 ~ 85
-40 ~ 125
1
单位
V
A
o
o
C
C
F
注3 ：请参考典型应用电路
电气特性
除非另有说明，这些规格适用于V
ACIN
= 5V ，T
A
= -40 ~ 85
o
C.典型值是在T
A
=25
o
C.
符号
参数
测试条件
分钟。
ACIN输入电流和上电复位（ POR ）
I
ACIN
V
POR
ACIN电源电流
ACIN POR阈值
ACIN POR迟滞
T
B（ ACIN ）
ACIN上电消隐时间
IOUT = 0A ， CHR_LDO和GATDRV开放
V
ACIN
升起
-
2.4
-
-
350
2.6
250
8
600
2.8
-
-
A
V
mV
ms
APL3218
典型值。
马克斯。
单位
内部开关导通电阻
ACIN到OUT导通电阻
I
OUT
= 0.7A
-
-
0.75
500
-
-
CHR_LDO放电
V
ACIN
= 12V , V
CHR_LDO
= 2V
Resistnace
输入过电压保护（ OVP ）
V
REG
内部LDO输出电压
CHR_LDO输出系列
阻力
输入过压保护阈值
输入OVP迟滞
T
OVP
T
ON （ OVP ）
输入OVP传播延迟
输入OVP恢复时间
V
ACIN
= 7V ，我
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ~ 125
o
C
5.225
2.4
5.5
3
10
200
-
1
5.775
3.6
10.5
-
1
-
V
k
V
mV
s
ms
V
OVP
V
ACIN
上升，T
J
= -40 ~ 125
o
C
9.5
-
-
-
过电流保护（ OCP ）
I
OC
I
CL
过电流保护阈值
电流限制水平
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
1.05
0.84
1.5
1.2
1.95
1.56
A
A
VCDT内部分频器
分频比
充电电流控制
电流镜增益
反向电流隔离
PMOS锁定阈值
PMOS锁定释放
门槛
OUT输入电流（反向
电流阻断）
-
-
V
ACIN
= 0V, V
OUT
= 4.2V, V
GATDRV
=0V
-
20
100
-
-
-
1
mV
mV
A
I
OUT
= 0.6A ，我
OUT
/I
GATDRV
100
200
300
A/A
V
VCDT
/V
ACIN
0.1035
0.1056
0.1078
V/V
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