AP4407S/P
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
14mΩ
-50A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
GD
S
TO-263(S)
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP4407P ）可用于小尺寸应用。
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
D
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
等级
-30
±25
-50
-32
180
54
0.4
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.3
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200115041
AP4407S/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
MAX 。单位
-
-
14
23
-3
-
-1
-25
±100
60
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-24A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-16A
-
-
-
36
-
-
-
35
5
26
11
64
63
100
630
550
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-24A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ±25V
I
D
=-24A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-24A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=0.63Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2120 3390
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -24A ，V
GS
=0V
I
S
= -24A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
39
38
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP4407S/P
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
14mΩ
-50A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
GD
S
TO-263(S)
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP4407P ）可用于小尺寸应用。
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
D
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
等级
-30
±25
-50
-32
180
54
0.4
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.3
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200115041
AP4407S/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
MAX 。单位
-
-
14
23
-3
-
-1
-25
±100
60
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-24A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-16A
-
-
-
36
-
-
-
35
5
26
11
64
63
100
630
550
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-24A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ±25V
I
D
=-24A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-24A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=0.63Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2120 3390
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -24A ，V
GS
=0V
I
S
= -24A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
39
38
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
