P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字/字节配置.............................................. .......... 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 13
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表3.设备银行部............................................ ............ 13
表4.前引导扇区地址........................................... ..14
表6.底部引导扇区地址......................................... 16
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 32
图5.数据＃轮询算法........................................... ....... 32
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 33
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 33
图6.切换位算法............................................ ............ 33
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 34
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 34
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34
表18.写操作状态............................................ ....... 35
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
工业级（I ）设备............................................. ............... 36
V
CC
F / V
CC
客户供应电压............................................... .... 36
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
CMOS兼容................................................ .................. 37
图9.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 39
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 39
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图11.测试设置............................................. ....................... 40
图12.输入波形和测量水平................. 40
自选模式................................................ ..................... 18
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 18
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
CE＃的时机.............................................. ............................. 41
图13.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 41
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19
临时机构/部门撤消座............................. 19
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门/部门块保护和撤消Algo-
rithms ................................................. ............................................. 21
只读操作.............................................. ............. 42
图14.读操作时序............................................ ... 42
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43
图15.复位时序............................................. .................. 43
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 44
图16. CIOf时序进行读操作................................ 44
图17. CIOf时序写操作................................ 44
SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 22
工厂锁定： SecSi部门编程，并受到保护
工厂................................................ .......................... 22
客户可锁定： SecSi部门未编程或亲
tected在工厂.............................................. ............. 22
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 26
字节/字编程命令序列............................. 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图3.程序操作............................................. ............. 28
擦除和编程操作.............................................. 45
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
46
46
47
48
48
49
49
临时机构撤消............................................... ... 50
图25.临时机构撤消时序图.............. 50
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 51
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 52
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 53
读周期................................................ ............................. 54
图28的伪SRAM读周期........................................... 54
图29.页读时序............................................ ............ 55
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
图4.擦除操作............................................. .................. 29
表15.自动选择设备ID （字模式） ............................... 30
表17.自动选择设备ID （字节模式） ................................ 31
写周期................................................ ............................. 56
图30.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 56
图31.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 57
图32.伪SRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 58
闪存擦除和编程性能。 。 59
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
2002年7月19日
Am49DL32xBG
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