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Am29LV128MH/L
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29GL256N取代Am29LV128MH / L ,是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29GL256N数据表的规格和订购信息。可用性这
文档保留仅供参考,历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
25270
调整
C
修订
7
发行日期
2007年1月31日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV128MH/L
128兆位(8M ×16位/ 16的M× 8位)的MirrorBit 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL256N取代Am29LV128MH / L ,是工厂市盈率
ommended迁移路径。请参阅S29GL256N数据表的规格和订购信息。可用性此文件是保留为参考
只有ENCE和历史的目的
.
.
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在CE #和DQ数据输入电压
如通过对所述电压确定的输入/输出
V
IO
销;工作在1.65至3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 两百年56 32 K字( 64字节)部门
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 15秒典型有效的写缓冲器字编程
时间: 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 12 mA典型有效的读电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字或字节编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消组: V
ID
-level方法
在锁定机构群体不断变化的代码
- WP # / ACC输入加速编程时间
(高施加电压时)更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
25270
启:
C
修订:
7
发行日期:
2007年1月31日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29LV128MH / L是128兆比特,3.0伏单
电源闪存设备组织成
8,388,608字或16777216个字节。该装置具有
一个16位宽的数据总线,也可以作为一个
通过使用字节#输入的8位宽度的数据总线。 DE-的
副既可以在主机系统或编程
在标准EPROM编程器。
90 ,100, 110 ,或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意,每个存取时间具有特定的操作
电压范围(Ⅴ
CC
)和一个I / O电压范围(Ⅴ
IO
),如
在指定的
“产品选择指南”
第6页和
“订货信息”
第10页上的设备
在一个56引脚TSOP , 64 - ball加固BGA封装提供。每
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( WP # / ACC )
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量,
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据,而不是四个。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
和容忍的CE#控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
是指为有效V的订购信息部分
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
组保护功能将禁止这两个方案,并
在扇区基团的任何组合擦除操作
的存储器。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门,然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门,然后完成程序
操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
安全硅行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
该部门没有进一步的变化可能发生。
写保护( WP # / ACC )
功能保护
通过产生一个逻辑低电平的WP #第一个或最后一个扇区
引脚。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
相关文档
有关的MirrorBit的精良的综合信息
UCTS ,包括移民信息,数据表, AP-
折叠术的注意事项,以及软件驱动程序,请参阅
www.amd.com
FL灰内存
产品信息
的MirrorBit
闪存信息
技术文件
心理状态。
下面是文件的部分列表
与之密切相关的产品:
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
实现对AMD的MirrorBit共同布局
和英特尔StrataFlash闪存设备
从单字节迁移到三字节设备ID
Am29LV256M , 256兆比特的MirrorBit闪存器件
(以64球, 18× 12毫米加固BGA封装)
4
Am29LV128MH/L
2007年25270C7 1月31日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
连续性规格............................................... ..............我
欲了解更多信息............................................... ........................我
扇区擦除命令序列.............................................. 34
擦除暂停/删除恢复命令................................ 35
图7.擦除操作............................................. ................. 36
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ............... 11
命令定义................................................ ............. 37
表10.命令定义( x16模式, BYTE # = V
IH
) ................. 37
表11.命令定义( x8模式, BYTE # = V
IL
) ................... 38
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 39
图8.数据#轮询算法........................................... ....... 39
字/字节配置.............................................. .......... 11
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ........... 11
对于读阵列数据要求......................................... 12
页面模式读取............................................... ..................... 12
写命令/命令序列.................................. 12
写缓冲器................................................ ............................. 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... .................. 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 13
输出禁止模式............................................... .................... 13
表2扇区地址表............................................ .................. 14
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 40
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 40
图9.切换位算法............................................ ............ 41
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 41
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 41
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 42
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 42
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ................. 42
表12.写操作状态............................................ ............. 43
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
图10.最大负过冲波形................... 44
图11.最大正向超调波形..................... 44
自选模式................................................ ..................... 20
表3.自动选择码, (高压法) ............................. 20
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图12.测试设置............................................. ....................... 46
表13.测试规范............................................. ............ 46
行业组保护和unprotection的.................................. 21
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 21
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图13.输入波形和测量水平................. 46
写保护( WP # ) ............................................ .................... 22
临时机构集团撤消............................................. 22
图1.临时机构集团撤消操作................ 22
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 23
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
只读操作.............................................. ............. 47
图14.读操作时序............................................ ... 47
图15.页读时序............................................ .......... 48
安全硅扇区闪存地区............................. 24
表5.安全硅行业目录...................................... 24
图3.安全硅部门保护验证.............................. 25
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 49
图16.复位时序............................................. .................. 49
硬件数据保护............................................... ............. 25
擦除和编程操作.............................................. 50
图17.复位时序............................................. ..................
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
51
52
52
53
54
55
55
低VCC写禁止.............................................. .............. 25
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 25
逻辑禁止................................................ .......................... 25
上电写禁止............................................. ............... 25
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 25
表6. CFI查询标识字符串.............................. 26
表7.系统接口字符串............................................ .......... 26
临时机构集团撤消....................................... 56
图24.临时机构集团撤消时序图... 56
图25.类别组保护和撤消时序图.. 57
表8.设备几何定义................................... 27
表9.主要供应商特定的扩展查询............. 28
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
读阵列数据............................................... ....................... 29
复位命令................................................ .......................... 29
自选命令序列............................................... ... 29
进入安全硅行业/退出安全硅行业
命令序列................................................ ................... 30
Word程序命令序列........................................... 30
解锁绕道命令序列..................................... 30
写缓冲区编程............................................... ....... 30
加快程序................................................ .............. 31
图4.写缓冲器编程操作............................... 32
图5.程序操作............................................. ............. 33
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 58
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 59
程序挂起/恢复程序命令序列........ 33
图6.程序挂起/恢复计划............................... 34
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 60
引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 。 61
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
TS056 / TSR056-56针标准/反转薄小外形封装
封装( TSOP ) .............................................. ....................... 62
LAA064-64 - ball加固球栅阵列
13 ×11毫米包装............................................. ................. 63
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
芯片擦除命令序列.............................................. ... 34
2007年1月31日25270C7
Am29LV128MH/L
5
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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