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补充
Am29F800B已知合格芯片
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存裸片修订版1
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
s
高性能
- 90或120 ns访问时间
s
低功耗( 5典型值
兆赫)
— 1
µA
待机模式电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每个部门最少百万的写入周期
保证
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
5/4/98
出版#
21631
启:
A
Amendment/+2
发行日期:
1998年4月
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该Am29F800B在已知合格芯片( KGD )的形式是
8兆位, 5.0伏,只有闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式,测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的relia-
相容性和质量作为AMD的产品包装形式。
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality , reliabilityandcost
有效性。该装置电擦除所有
同时通过行业内的位
˚F O w制备L E ř -N Ø ř深高专口米吨加利否E L I N G - 。牛逼ħ E D一T A I S
用热电子注入编程。
Am29F800B特点
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
瓦特ORD秒。日东西或D -W IDE DA TA ( X 1 6) PPE ARS 0:N
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在
DQ7 - DQ0 。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
为了消除总线争用的设备有不同的
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
启用( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
电气规格
请参考Am29F800B数据表, PID 21504 ,全
电气规格上的Am29F800B的KGD
形式。
2
Am29F800B已知合格芯片
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的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项(V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
-90
90
90
35
Am29F800B KGD
-120
120
120
50
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
相对定向
以前沿
磁带和卷轴
9
8
7
6
5
4
3
2
1
44 43 42 41 40 39 38 37 36
10
11
12
35
34
33
AMD标识的位置
13
32
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
相对定向
顶部的左上角
Gel-Pak的
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Am29F800B已知合格芯片
3
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD说明
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
DQ7
DQ15/A-1
V
SS
BYTE #
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE#
RESET#
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
V
SS
OE #
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心(密耳)
X
0.00
7.22
13.45
19.59
25.82
31.96
38.19
44.33
50.56
58.61
60.50
60.50
60.13
53.99
48.28
42.14
36.43
30.29
24.58
18.34
12.63
2.54
–10.00
–20.07
–25.78
–31.92
–37.63
–43.77
–49.48
–55.62
–61.33
–67.47
–67.84
–67.84
–67.84
–57.84
–49.86
–43.63
–37.49
–31.26
–25.12
–18.89
–12.75
–6.52
Y
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
–1.42
6.84
18.99
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.62
279.88
279.88
283.85
283.85
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
279.88
18.99
6.84
–4.00
–2.39
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
垫中心(毫米)
X
Y
0.0000
0.0000
0.1835
0.0000
0.3417
0.0000
0.4977
0.0000
0.6559
0.0000
0.8119
0.0000
0.9701
0.0000
1.1261
0.0000
1.2843
0.0000
1.4887
–0.0361
1.5367
0.1738
1.5367
0.4823
1.5274
7.1090
1.3714
7.1090
1.2264
7.1090
1.0704
7.1090
0.9254
7.1090
0.7694
7.1090
0.6244
7.1024
0.4659
7.1090
0.3209
7.1090
0.0646
7.2098
–0.2538
7.2098
–0.5096
7.1090
–0.6546
7.1090
–0.8106
7.1090
–0.9556
7.1090
–1.1116
7.1090
–1.2566
7.1090
–1.4126
7.1090
–1.5576
7.1090
–1.7136
7.1090
–1.7229
0.4823
–1.7229
0.1738
–1.7229
–0.1015
–1.4691
–0.0608
–1.2661
0.0000
–1.1082
0.0000
–0.9522
0.0000
–0.7940
0.0000
–0.6380
0.0000
–0.4798
0.0000
–0.3238
0.0000
–0.1656
0.0000
注意:
上面的坐标是相对于垫1的中心,并且可以被用来操作引线接合设备。
4
Am29F800B已知合格芯片
5/4/98
的SuI P P L E M E N牛逼
订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号(有效组合)
通过下面的组合形成:
Am29F800B
T
-90
DP
C
1
裸片修订
这个数字是指在特定的AMD制造
工艺和产品技术体现在本资料
输稿。这是进入AMD待机动的调整领域
ARD的产品命名。
温度范围
C =商用( 0 ° C至+ 70 ° C)
I =工业级( -40 ° C至+ 85°C )
E =扩展( -55 ° C至+ 125°C )
包装类型和
最小起订量
DP =华夫格包
每5托盘堆叠裸片180
DG =
DT =
Gel-Pak的
®
托盘模具
每6托盘堆叠裸片378
Surftape ™ (卷带式)
1800元7寸盘
DW = Gel-Pak的
®
晶片托盘(上框锯片)
呼叫AMD销售办事处最小起订量
速度选项
见有效组合
引导代码部门架构
T =热门行业
B =底界
设备号/说明
Am29F800B已知合格芯片
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS闪存裸片修订版1
5.0伏只编程和擦除
有效组合
Am29F800BT-90,
Am29F800BB-90,
Am29F800BT-120
Am29F800BB-120
DPC 1 , DPI 1 , DPE 1 ,
DGC 1 , DGI 1 , DGE 1 ,
DTC 1 , DTI 1 , DTE 1 ,
DWC 1 , DWI 1 , DWE 1
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络Ç有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
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Am29F800B已知合格芯片
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
电话:010-82824780、82824782、82771348、53525868、53525898、82772818
联系人:销售部(可以开17%增票,北京客户免费送货)
地址:北京市海淀区上地十街辉煌国际大厦4号楼B座16室
Am29F800BT-120DGE1
AMD
11+
1000
【全新正品】
电话:010-51653931/33/34/35
联系人:刘
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AM29F800BT-120DGE1
√ 欧美㊣品
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