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Am29DL322D/323D/324D
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
s
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
读取和写入操作之间的零延迟
s
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备
(参见表3 )
s
SecSi (安全硅)行业
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
s
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
s
封装选项
- 63球FBGA
- 48引脚TSOP
s
顶部或底部启动块
s
在0.23微米制程技术制造的
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速
功能
s
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
s
每次保证至少1百万次写周期
扇形
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
s
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
s
支持通用闪存接口( CFI )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
s
任何部门的结合可以被删除
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
s
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
s
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
s
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
21534
启:
D
Amendment/+5
发行日期:
2001年5月8日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL322D / 323D / 324D系列包括
32兆位,3.0伏,只有快闪存储器装置,奥尔加
认列之为16位或每个4,194,304 2,097,152字
每个8位字节。字模式数据出现在
DQ0 - DQ15 ;字节模式数据显示在DQ0 - DQ7 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可为70时的访问时间,
90或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP
和63球FBGA封装。标准控制
引脚芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
把使能( OE # ) - 控制正常的读写OP-
操作,避免总线争用问题。
该设备只需要一
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtos YS TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously读,零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL32xD器件系列采用多个银行
架构提供灵活性,为不同的应用
系统蒸发散。两个器件都具有以下
银行尺寸:
设备
DL322
DL323
DL324
银行1
4
8
16
2银行
28
24
16
Am29DL322D / 323D / 324D特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的扇区
能够被永久锁定, AMD或客
tomers 。该
SecSi标志位
( DQ7 )是perma-
nently设置为1,如果该部件是
工厂锁定,
和SET
到0,如果
客户可锁定。
这样一来,顾客锁相
能部件不能被用来代替一个工厂
锁定杆吨。
当前版本设备的有64个
千字节;未来的版本将只有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
2
Am29DL322D/323D/324D
2001年5月8日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.......................... 6
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 29
图6.切换位算法............................................ .................. 29
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
字/字节配置.............................................. .................. 8
对于读阵列数据........................................... 8要求
写命令/命令序列.................................... 9
同时读/写操作
零延迟............................................... ............................ 9
待机模式................................................ ................................ 9
自动休眠模式............................................... .................... 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 10
输出禁止模式............................................... .................... 10
自选模式................................................ .......................... 15
部门/部门块保护和unprotection的........................ 16
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 17
临时机构撤消............................................... ......... 17
图1.临时机构撤消操作................................. 17
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ............. 18
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 30
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 30
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图7.最大负过冲波形............................. 32
图8.最大正过冲波形.............................. 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ...................... 34
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 34
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图11.测试设置............................................. ............................. 35
图12.输入波形和测量水平........................ 35
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图13.读操作时序............................................ .......... 36
图14.复位时序............................................. ......................... 37
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 38
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 38
图16. BYTE #时序写操作.................................. 38
擦除和编程操作.............................................. ..... 39
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.加速程序时序图................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图20.返回到后端的读/写周期时序.............................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ................... 19
硬件数据保护............................................... ............. 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
读阵列数据............................................... ....................... 22
复位命令................................................ .......................... 23
自选命令序列............................................... ... 23
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ ................... 23
字节/字编程命令序列................................... 23
图3.程序操作............................................. ................... 24
临时机构撤消............................................... ......... 44
图24.临时机构撤消时序图..................... 44
图25.行业/部门块保护和撤消时序图45
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 46
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 47
芯片擦除命令序列.............................................. ... 24
扇区擦除命令序列.............................................. 25
擦除暂停/删除恢复命令................................ 25
图4.擦除操作............................................. ........................ 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
48
48
48
49
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 28
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 28
FBD063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×14毫米。 49
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 50
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 29
2001年5月8日
Am29DL322D/323D/324D
3
产品选择指南
产品型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
稳压电压范围: V
CC
= 3.0–3.6 V
标准电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
70
70
30
Am29DL322D/323D/324D
70R
90
90
90
40
120
120
120
50
框图
OE # BYTE #
V
CC
V
SS
y解码器
A0–A20
上银行地址
上银行
锁存器和控制逻辑
RY / BY #
A0–A20
RESET#
WE#
CE#
BYTE #
WP # / ACC
DQ0–DQ15
A0–A20
状态
控制
&放大器;
命令
注册
X解码器
状态
DQ0–DQ15
控制
DQ0–DQ15
X解码器
较低的银行
A0–A20
较低的银行地址
OE # BYTE #
4
Am29DL322D/323D/324D
锁存器和
控制逻辑
y解码器
DQ0–DQ15
A0–A20
2001年5月8日
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE#
RESET#
NC
WP # / ACC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
48引脚TSOP标准
A8
NC
A7
NC
B8
NC
B7
NC
C7
A13
C6
A9
C5
WE#
C4
D7
A12
D6
A8
D5
RESET#
D4
63球FBGA
顶视图,球朝下
L8
NC *
M8
NC *
M7
NC *
E7
A14
E6
A10
E5
NC
E4
A18
E3
A6
E2
A2
F7
A15
F6
A11
F5
A19
F4
A20
F3
A5
F2
A1
G7
A16
G6
DQ7
G5
DQ5
G4
DQ2
G3
DQ0
G2
A0
H7
J7
K7
V
SS
K6
DQ6
K5
DQ4
K4
DQ3
K3
DQ1
K2
V
SS
L7
NC *
BYTE # DQ15 / A- 1
H6
DQ14
H5
DQ12
H4
DQ10
H3
DQ8
H2
CE#
J6
DQ13
J5
V
CC
J4
DQ11
J3
DQ9
J2
OE #
RY / BY # WP # / ACC
C3
A7
A2
NC *
A1
NC *
B1
C2
A3
D3
A17
D2
A4
L2
NC *
L1
M2
NC *
M1
NC *
*球是通过在衬底短接在一起,但不连接到模具上。
NC *
NC *
2001年5月8日
Am29DL322D/323D/324D
5
Am29DL322D/323D/324D
数据表
此产品已经退休,不适用于设计。对于涉及TSOP封装的新和现有的设计
年龄, S29JL032H取代Am29DL32xD ,是厂家推荐的迁移路径。请参阅
为规范和订购信息S29JL032H数据。
对于涉及精细间距BGA ( FBGA )封装的新型电流设计, S29PL032J取代Am29DL32xD
而且是厂家推荐的迁移路径。请参阅S29PL032J数据表的规格和
订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21534
调整
D
修订
+8
发行日期
2005年12月13日
Am29DL322D/323D/324D
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
此产品已经退休,不适用于设计。对于涉及TSOP封装的新的和现有的设计, S29JL032H取代Am29DL32xD ,是工厂recom-
谁料迁移路径。请参阅S29JL032H数据的规格和订购信息。
对于涉及精细间距BGA ( FBGA )封装的新型电流设计, S29PL032J取代Am29DL32xD ,是厂家推荐的迁移路径。请参阅
为规范和订购信息S29PL032J数据。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备
(参见表3 )
SecSi
TM
(安全硅)行业
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
封装选项
- 63球FBGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每次保证至少1百万次写周期
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
21534
启:
D
Amendment/+8
发行日期:
2005年12月13日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL322D / 323D / 324D系列包括
32兆位,3.0伏,只有快闪存储器装置,奥尔加
认列之为16位或每个4,194,304 2,097,152字
每个8位字节。字模式数据出现在
DQ0 - DQ15 ;字节模式数据显示在DQ0 - DQ7 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可为70时的访问时间,
90或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP
和63球FBGA封装。标准控制
引脚芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
把使能( OE # ) - 控制正常读写
操作,避免总线争用问题。
该设备只需要一
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosystem swhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachi EV EDIN - systemorvia
编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL32xD器件系列采用多个银行
架构提供灵活性,为不同的应用
系统蒸发散。三个器件都具有以下
银行尺寸:
设备
DL322
DL323
DL324
银行1
4
8
16
2银行
28
24
16
Am29DL322D / 323D / 324D特点
SecSi
TM
(安全硅)行业
是一个额外的扇区
能够被永久锁定, AMD或客
tomers 。该
SecSi标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
当前版本设备的有64个
千字节;未来的版本将只有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
2
Am29DL322D/323D/324D
2005年12月13日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.......................... 8
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
字/字节配置.............................................. ................ 10
对于读阵列数据要求......................................... 10
写命令/命令序列.................................. 11
同时读/写操作
零延迟............................................... .......................... 11
待机模式................................................ .............................. 11
自动休眠模式............................................... .................. 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 12
输出禁止模式............................................... .................... 12
自选模式................................................ .......................... 17
部门/部门块保护和unprotection的........................ 18
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 19
临时机构撤消............................................... ......... 19
图1.临时机构撤消操作................................. 19
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ............. 20
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 32
图6.切换位算法............................................ .................. 32
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图7.最大负过冲波形............................. 35
图8.最大正过冲波形.............................. 35
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ...................... 37
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图11.测试设置............................................. ............................. 38
图12.输入波形和测量水平........................ 38
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图13.读操作时序............................................ .......... 39
图14.复位时序............................................. ......................... 40
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 41
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 41
图16. BYTE #时序写操作.................................. 41
擦除和编程操作.............................................. ..... 42
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.加速程序时序图................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图20.返回到后端的读/写周期时序.............................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
43
43
44
45
45
46
46
SecSi
TM
(安全硅)行业
闪存地区............................................... ................... 21
硬件数据保护............................................... ............. 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ....................... 25
复位命令................................................ .......................... 26
自选命令序列............................................... ... 26
进入SecSi
TM
行业/退出SecSi部门
命令序列................................................ ................... 26
字节/字编程命令序列................................... 26
图3.程序操作............................................. ................... 27
临时机构撤消............................................... ......... 47
图24.临时机构撤消时序图..................... 47
图25.行业/部门块保护和撤消时序图48
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 49
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 50
芯片擦除命令序列.............................................. ... 27
扇区擦除命令序列.............................................. 28
擦除暂停/删除恢复命令................................ 28
图4.擦除操作............................................. ........................ 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 31
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 31
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 51
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
FBD063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×14毫米。 52
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 53
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 32
2005年12月13日
Am29DL322D/323D/324D
3
产品选择指南
产品型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
稳压电压范围: V
CC
= 3.0–3.6 V
标准电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
70
70
30
Am29DL322D/323D/324D
70R
90
90
90
40
120
120
120
50
框图
OE # BYTE #
V
CC
V
SS
y解码器
A20–A0
上银行地址
上银行
锁存器和控制逻辑
RY / BY #
A20–A0
RESET#
WE#
CE#
BYTE #
WP # / ACC
DQ15–DQ0
A20–A0
状态
控制
&放大器;
命令
注册
X解码器
状态
DQ15–DQ0
控制
DQ15–DQ0
X解码器
较低的银行
A20–A0
较低的银行地址
OE # BYTE #
4
Am29DL322D/323D/324D
锁存器和
控制逻辑
y解码器
DQ15–DQ0
A20–A0
2005年12月13日
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