Am29BDS320G
数据表
2003年10月1日
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
27243
调整
B
修订
1
发行日期
2003年10月1日
Am29BDS320G
32兆位（2M ×16位），1.8伏，只有
同步读/写，突发模式闪存
数据表
初步
特色鲜明
架构优势
单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65
1.95伏）
在0.17微米制程技术制造的
增强VersatileIO （V
IO
）功能
- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
针
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四银行体系： 8MB / 8MB / 8MB / 8Mb的
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与环绕
- 连续顺序突发
部门架构
- 8个8千字部门和62 32 K字
扇区
- 银行A和D分别含有4个8千字部门和
15 32 K字部门;银行B和C分别包含
16 32千字行业
- 八8K字引导扇区， 4处的顶部
地址范围，和4处的地址的底部
范围
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
64球FBGA封装
硬件特性
扇区保护
- 软件命令锁业
减少等待状态握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
硬件复位输入（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
WP ＃输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能保护扇区0和1
（底部引导） ，或扇区68和69 （顶部引导） ，
无论部门保护状态
ACC输入：加速功能降低
编程时间;各界锁定时， ACC =
V
IL
CMOS兼容输入， CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
软件指令集兼容JEDEC
42.4标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
族
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
读存取时间为54/40兆赫（ 30 pF的）
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
功耗（典型值，C
L
= 30 pF的）
- 突发模式阅读： 10毫安
- 同步操作： 25毫安
- 编程/擦除： 15毫安
- 待机模式： 0.2 μA
公开号
27243
调整
B
修订
1
发行日期
2003年10月1日
P L I M I N A R
概述
该Am29BDS320G是32兆， 1.8伏只，同步读/写，突发
模式闪速存储器装置中，组织为每16比特2,097,152字。这
设备使用单个V
CC
1.65 1.95 V至读取，编程和擦除的MEM
储器阵列。该设备支持增强型V
IO
提供高达3V兼容输入
和输出。 12.0伏V
ID
可以用于更快的程序的性能，如果DE-
sired 。该设备还可以在标准EPROM编程器编程。
在54兆赫，该装置提供的13.5毫微秒，在30 pF的突发访问同一个延迟
87.5 ns的30 pF的。在40兆赫，该装置提供的20纳秒，在30突发访问
pF的为95纳秒，在30 pF的延迟。该设备的工业温范围内运行
温度范围内的-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用64球FBGA
封装。
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为四个存储体。该装置可以整体提高
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行系统的性能，
然后立即和同时从另一家银行看，零延迟。
这从等待完成编程或擦除的发布系统
操作。
该装置被划分为列于下表中：
银行
A
B
C
D
QUANTITY
4
15
16
16
15
4
SIZE
8 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
8 K字
增强VersatileIO （V
IO
）控制允许主机系统来设置电压
年龄等级，该装置产生在其数据输出端和电压耐受
在其数据输入端为相同的电压电平被置位在V
IO
引脚。这
允许装置根据需要在1.8伏和3伏的系统环境中进行操作。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，地址有效（ AVD ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制异步读取和写入操作。为
脉冲串操作中，装置还需要准备好（ RDY ）和时钟（CLK） 。
此实现可轻松实现以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器为高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员灵活接口
该设备。用户可以预先设置脉冲串长度和包裹通过相同
存储器空间中，或读入连续模式的闪存阵列。
时钟极性功能为系统设计师提供有效时钟的选择
边缘，无论是上升或下降。有效时钟沿开始突发访问和
确定何时将数据输出。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC 42.4单
电源闪存标准。
命令被写入命令寄存器
用之三标准微处理器写时序。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，用于控制擦除和编程电路。
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Am29BDS320G
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写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据
和擦除操作。读数据从装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除
持为任何时间段读取数据，或程序数据，任何扇区这
不选择删除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止正在进行的任何操作，并复位
内部状态机来读取阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。系统复位将因此还重置设备，使
系统微处理器从Flash存储器读取引导固件
装置。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了
使用该设备的状态位DQ7 （数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。后
一个程序或擦除周期已经完成，该装置自动返回
读取阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区被擦除和重现
编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。该器件还提供了
两种类型在部门级的数据保护。该
部门锁定/解锁的COM
命令序列
禁用或重新启用这两个程序在擦除操作
任何部门。当在V
IL
,
WP ＃
锁扇区0和1（底部引导设备）或仲
器68和69 （上引导设备） 。
该器件提供两种省电功能。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量，该设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗
灰是在两种模式下大大降低。
Spansion的闪存技术，结合多年的闪存制造expe-
磨练产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。
该装置通过电福勒同时擦除一个扇区内的所有位
Nordheim隧穿。的数据是使用热电子注入编程。
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