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HELP4 UMTS800 (频段
5 , 6 , 18 , 19 , 26 &
)
LTE , WCDMA,CDMA多模的PAM
TM
ALT6705
数据表
-
修订版2.5
特点
多模( LTE , HSPA + , EV -DO标准)
第四代HELP
TM
技术
高效率( R99波形) :
40 % @ P
OUT
= 28.4 dBm的
27 % @ P
OUT
= +17 dBm
18 % @ P
OUT
= 13.5 dBm的
20 % @ P
OUT
= 8 dBm的
11 % @ P
OUT
= +3.5 dBm的
ALT6705
低静态电流: 3毫安
低漏电流的关断模式: <5 μA
内部稳压器
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
PORT
所有RF端口内部DC块
优化用于一个50
系统
1.8V控制逻辑
M45包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
低漏电流增加手机模式
通话和待机时间。 A“菊花链式”定向
耦合器被集成在模块中,从而消除
外部耦合器的需要。自含式
3毫米x 3毫米x 1毫米表面贴装封装
采用了优化的输出匹配网络
的功率,效率,和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
RoHS Compliant Package, 260
o
MSL - 3
应用
带5 , 6 , 18 , 19 , 26 & LTE无线设备
带5 , 6 , 18 , 19 , & 26 WCDMA / HSPA
无线设备
带0级CDMA / EVDO无线设备
V
BATT
1
10
V
CC
在ALT6705 HELP4
TM
PA是第4代
帮助
TM
产品用于LTE和WCDMA设备
在UMTS800操作(带5,6 , 18,19 , & 26)
和用于CDMA设备操作在细胞带。这
PA采用ANADIGICS的HELP4
TM
技术
提供卓越的效率,在低功耗
而不需要水平和低静态电流
外部稳压器或转换器。该
设备采用了先进的制造InGaP-
PLUS
TM
HBT技术,提供先进设备,最先进的
可靠性,温度稳定性和耐用性。
三种可选的偏置模式,优化效率
针对不同的输出功率水平和一个关闭
产品说明
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
V
MODE2
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 :框图
03/2012
ALT6705
V
BATT
1
10
9
V
CC
RF
IN
2
RF
OUT
V
MODE2
3
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
图2 :接脚分布(透视顶视图)
6
CPL
OUT
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
CPL
OUT
GND
CPL
IN
RF
OUT
V
CC
描述
电池电压
RF输入
模式控制电压2
模式控制电压1
PA使能电压
耦合器输出
耦合器输入
RF输出
电源电压
2
数据表 - 版本2.5
03/2012
ALT6705
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
电池电压(V
BATT
)
控制电压(V
MODE1
, V
MODE2
, V
EN
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
使能电压(V
EN
)
模式控制电压(V
MODE1,
V
MODE2
)
WCDMA / UMTS输出功率
(1, 3)
R99 , HPM
HSPA (MPR = 0), HPM
LTE
(2)
(MPR = O), HPM
R99 , MPM
LTE
(2)
&的HSPA (MPR = 0) ,MPM
R99 , LPM
LTE
(2)
& HSPA ( MPR = 0 ) , LPM
CDMA输出功率
(1, 3)
HPM
MPM
LPM
外壳温度(T
c
)
814
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
27.6
26.6
26.4
-
-
-
-
26.9
-
-
-40
典型值
-
+3.4
+1.8
-
+1.8
-
28.4
27.4
27.2
17.0
16.0
8.0
7.0
27.7
16.0
7.0
-
最大
849
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
28.4 dBm的
PA“上”
PA “停摆”
低偏置模式
高偏置模式
3GPP TS 34.121-1 ,相对8
表C.11.1.3的WCDMA
SUBTEST 1
TS 36.101相对8 LTE
评论
DBM
DBM
8C
CDMA 2000 , RC1
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项:
( 1 )对于工作在3.1 V,P
OUT
由0.8分贝降额。
( 2 ) LTE波形特性:高达15兆赫, QPSK , RB = 16 。
(3)为操作在105
°C,
P
OUT
由1.0分贝降额。
3
数据表 - 版本2.5
03/2012
ALT6705
表4 :电气规格 - LTE运营( RB = 12 , START = 0 , QPSK )
(T
C
= +25 °C, V
BATT
= V
CC
= +3.4 V, V
EN
= +1.8 V, 50
系统)
参数
26
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(1)
典型值
29
19
13.5
-41
-40
-40
-40
-39
-40
-60
-58
-57
36
24
18
3
0.06
0.04
0.7
最大
32
22
16
-35
-35
-35
-36
-36
-36
-40
-40
-40
-
-
-
4.0
0.15
0.12
1.2
单位
评论
P
OUT
P
OUT
= +27.2 dBm
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +7 dBm
P
OUT
= +27.2 dBm
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +7 dBm
P
OUT
= +27.2 dBm
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +7 dBm
P
OUT
= +27.2 dBm
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +7 dBm
P
OUT
= +27.2 dBm
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +7 dBm
通过V
CC
V
MODE1
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
V
MODE2
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
1.8 V
收益
dB
ACLR E- UTRA
at
10兆赫 FF集
ACLR UTRA
at
7.5 MHz offset
ACLR UTRA
at
12.5 MHz偏移
dBc的
dBc的
dBc的
功率附加效率
静态电流(WinSock )
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
31
20
14
-
-
-
-
%
mA
mA
mA
mA
通过V
模式
销,V
模式
= 1.8 V
通过V
EN
通过V
BATT
针,V
MODE1
= +1.8 V,
V
MODE2
= +1.8 V
V
BATT
= +4.35 V, V
CC
= +4.35 V,
V
EN
=0 V, V
模式
= 0 V,
V
MODE1
= 0 V
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
耦合系数
指向性
耦合器IN_OUT
菊花链插入损耗
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
-
-
-
-
-
-
-
<5
-134
-48
-60
20
20
<0.3
10
-
-35
-42
-
-
-
A
dBm / Hz计
869 MHz至894 MHz的
dBc的
dB
dB
dB
P
OUT
27.2 dBm
698 MHz至2620 MHz的
Pin 8 - 6, Shutdown Mode
P
OUT
< +27.2 dBm
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于在所有工作条件
适用于在所有工作条件
-
-
<-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在832兆赫。
4
数据表 - 版本2.5
03/2012
ALT6705
表5 :电气规格 - 运营WCDMA ( R99调制)
(T
C
= +25 °C, V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
EN
= +1.8 V, 50
系统)
参数
26
16
10
-
-
-
-
-
-
36
23
-
16
-
典型值
29
19
13.5
-41
-42
-40
-57
-58
-59
40
27
18
20
11
最大
32
22
16
-37
-37
-37
-48
-48
-48
-
-
-
-
-
单位
评论
P
OUT
P
OUT
= 28.4 dBm的
P
OUT
= +17 dBm
P
OUT
= 8 dBm的
P
OUT
= 28.4 dBm的
P
OUT
= +17 dBm
P
OUT
= 8 dBm的
P
OUT
= 28.4 dBm的
P
OUT
= +17 dBm
P
OUT
= 8 dBm的
P
OUT
= 28.4 dBm的
P
OUT
= +17 dBm
P
OUT
= 13.5 dBm的
P
OUT
= 8 dBm的
P
OUT
= +3.5 dBm的
V
MODE1
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
V
MODE2
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
0V
1.8 V
1.8 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
dBc的
ACLR2在10 MHz偏移
dBc的
功率附加效率
(1)
%
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
-
-
-70
dBc的
P
OUT
& LT ;
28.4 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于在所有工作条件
适用于在整个工作范围
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在832兆赫。
5
数据表 - 版本2.5
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ALT6705
    -
    -
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    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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联系人:李先生
地址:深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼
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ANADIGICS
23+
18000
射频和微波功率放大器
只做原装假一赔十
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电话:13332916726
联系人:李
地址:深圳市宝安区内环路航城智慧科技园A栋511/华强广场Q2C022
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ANADIGICS
22+
65668
NA
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