A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
V
GS （ TH）
= -0.4V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道耗尽型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A是单片四核/双N-
沟道MOSFET ，在使用ALD的证明EPAD CMOS工厂匹配
技术。这些器件适用于低电压，小信号的应用
系统蒸发散。他们是优秀的功能替代常闭继电器应用程序
阳离子，因为它们通常是接通（导通），而不施加任何力，但
可以关闭或调节时的系统电源被接通。这些
MOSFET具有独特的特性，当栅极接地，能操作
阿婷在电阻模式为低漏极电压等级和电流源中
模式为更高的电压电平，并提供一个恒定漏电流。
ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A的MOSFET设计用于
特殊设备的电气特性匹配。因为这些设备是上
在同一块芯片上，他们也表现出优异的温度跟踪煤焦
Cucumis Sativus查阅全文。他们是多才多艺的设计组件，广泛的模拟
的应用，如用于电流源，差动扩增基本构造块
费里输入级，传输门和多路复用器应用。
除了对相匹配的电特性，每一个单独的MOSFET也
表现出良好的控制参数，从而使用户能够依赖于紧设计
对应的良好的匹配特性限制。
这些耗尽型器件是专为最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们适合于开关和放大的应用
在单电源系统蒸发散（ 0.4V至+ 5V ）或双电源（ +/- 0.4V至+/- 5V）系统
其中，低输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。这些器件表现出良好控制的关断和亚阈值
charactersitics ，因此可以在依赖于亚阈值设计中使用
老的特点。
该ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A适用于使用
精密应用需要非常高的电流增益，β，如电流
反射镜和电流源。样本计算直流电流增益在
漏为3mA电流和30PA = 100,000,000栅输入漏电流。这是
建议用户，对于大多数应用程序，连接V +引脚到最
正的电压电势（或左开用的）和V-和N / C管脚到最
负的电压电势在该系统中。所有其他引脚必须在有电压
这些电压限制。
特点
耗尽型（常开）
精确的栅极阈值电压： -0.4V +/- 0.02V
额定
DS （ ON）
@V
GS
5.4KΩ的= 0.0V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
） - 为20mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
16-Pin
8-Pin
8-Pin
塑料DIP
SOIC
塑料DIP
SOIC
包
包
包
包
ALD114804APC ALD114804ASC ALD114904APA ALD114904ASA
ALD114804 PC ALD114804SC ALD114904PA
ALD114904SA
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
应用
B型（ NC）继电器的功能替代
超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
超低工作电压（ <0.2V ）模拟和
数字电路
亚阈值和偏置电路的操作
零电源故障报警系统，安全电路
备用电池电路
电源故障和故障安全检测
源极跟随器和高阻抗缓冲器
精密电流镜和电流源
Capacitives探头和传感器接口
充电检测器和集成商负责
差分放大器的输入级
高边开关
峰值检测器和电平转换器
采样和保持
电流倍增器
离散模拟开关和多路复用器
离散电压比较器
引脚配置
ALD114804
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
PC ， SC套餐
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
V
-
M4
M3
13
12
11
10
9
ALD114904
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
冯1.0-0506 2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = -5V TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD114808A / ALD114908A
参数
栅极阈值电压
符号
VGS （ TH）
VOS
V
OS
V
GS （ TH）
民
-0.42
典型值
-0.40
最大
-0.38
ALD110848 / ALD114908
民
-0.44
典型值
-0.40
最大
-0.36
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS = 1μA
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 9.1V
VGS = + 3.6V
VDS = + 5V
VGS = + 3.6 V
VDS = + 8.6V
失调电压
VGS1-VGS2
VGS1 ， VGS2温度系数
GateThreshold温度系数
2
5
7
20
mV
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
μV/°C
毫伏/
°C
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
正向跨导
政府飞行服务队
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.4
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = + 3.6V
VDS = + 8.6V
VDS = 0.1V
VGS = + 3.6V
VDS = 0.1V
VGS = 0.0V +
漏源导通电阻
500
500
漏源导通电阻
RDS （ ON）
5.4
5.4
K
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
10
10
%
R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
10
0.5
10
0.5
%
V
IDS = 1.0μA
VGS = -1.4V
VGS = -1.4V ， VDS = + 5V
TA = 125°C
VDS = 0V VGS = + 10V
TA = 125℃
10
100
4
30
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
3
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
先进的线性器件
2
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
V
GS （ TH）
= -0.4V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道耗尽型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A是单片四核/双N-
沟道MOSFET ，在使用ALD的证明EPAD CMOS工厂匹配
技术。这些器件适用于低电压，小信号的应用
系统蒸发散。他们是优秀的功能替代常闭继电器应用程序
阳离子，因为它们通常是接通（导通），而不施加任何力，但
可以关闭或调节时的系统电源被接通。这些
MOSFET具有独特的特性，当栅极接地，能操作
阿婷在电阻模式为低漏极电压等级和电流源中
模式为更高的电压电平，并提供一个恒定漏电流。
ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A的MOSFET设计用于
特殊设备的电气特性匹配。因为这些设备是上
在同一块芯片上，他们也表现出优异的温度跟踪煤焦
Cucumis Sativus查阅全文。他们是多才多艺的设计组件，广泛的模拟
的应用，如用于电流源，差动扩增基本构造块
费里输入级，传输门和多路复用器应用。
除了对相匹配的电特性，每一个单独的MOSFET也
表现出良好的控制参数，从而使用户能够依赖于紧设计
对应的良好的匹配特性限制。
这些耗尽型器件是专为最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们适合于开关和放大的应用
在单电源系统蒸发散（ 0.4V至+ 5V ）或双电源（ +/- 0.4V至+/- 5V）系统
其中，低输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。这些器件表现出良好控制的关断和亚阈值
charactersitics ，因此可以在依赖于亚阈值设计中使用
老的特点。
该ALD114804 / ALD114804A / ALD114904 / ALD114904A适用于使用
精密应用需要非常高的电流增益，β，如电流
反射镜和电流源。样本计算直流电流增益在
漏为3mA电流和30PA = 100,000,000栅输入漏电流。这是
建议用户，对于大多数应用程序，连接V +引脚到最
正的电压电势（或左开用的）和V-和N / C管脚到最
负的电压电势在该系统中。所有其他引脚必须在有电压
这些电压限制。
特点
耗尽型（常开）
精确的栅极阈值电压： -0.4V +/- 0.02V
额定
DS （ ON）
@V
GS
5.4KΩ的= 0.0V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
） - 为20mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
16-Pin
8-Pin
8-Pin
塑料DIP
SOIC
塑料DIP
SOIC
包
包
包
包
ALD114804APC ALD114804ASC ALD114904APA ALD114904ASA
ALD114804 PC ALD114804SC ALD114904PA
ALD114904SA
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
应用
B型（ NC）继电器的功能替代
超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
超低工作电压（ <0.2V ）模拟和
数字电路
亚阈值和偏置电路的操作
零电源故障报警系统，安全电路
备用电池电路
电源故障和故障安全检测
源极跟随器和高阻抗缓冲器
精密电流镜和电流源
Capacitives探头和传感器接口
充电检测器和集成商负责
差分放大器的输入级
高边开关
峰值检测器和电平转换器
采样和保持
电流倍增器
离散模拟开关和多路复用器
离散电压比较器
引脚配置
ALD114804
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
PC ， SC套餐
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
V
-
M4
M3
13
12
11
10
9
ALD114904
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
冯1.0-0506 2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = -5V TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD114808A / ALD114908A
参数
栅极阈值电压
符号
VGS （ TH）
VOS
V
OS
V
GS （ TH）
民
-0.42
典型值
-0.40
最大
-0.38
ALD110848 / ALD114908
民
-0.44
典型值
-0.40
最大
-0.36
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS = 1μA
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 9.1V
VGS = + 3.6V
VDS = + 5V
VGS = + 3.6 V
VDS = + 8.6V
失调电压
VGS1-VGS2
VGS1 ， VGS2温度系数
GateThreshold温度系数
2
5
7
20
mV
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
μV/°C
毫伏/
°C
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
正向跨导
政府飞行服务队
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.4
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = + 3.6V
VDS = + 8.6V
VDS = 0.1V
VGS = + 3.6V
VDS = 0.1V
VGS = 0.0V +
漏源导通电阻
500
500
漏源导通电阻
RDS （ ON）
5.4
5.4
K
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
10
10
%
R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
10
0.5
10
0.5
%
V
IDS = 1.0μA
VGS = -1.4V
VGS = -1.4V ， VDS = + 5V
TA = 125°C
VDS = 0V VGS = + 10V
TA = 125℃
10
100
4
30
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
3
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
先进的线性器件
2
