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ADS6145 ， ADS6144
ADS6143 ， ADS6142
SLWS198A - 2007年7月 - 修订2007年10月
14位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC
1
特点
最大采样速率： 125 MSPS
14位分辨率，无失码
3.5分贝粗增益和高达6分贝
可编程增益精细的SNR / SFDR
权衡
并行CMOS和双数据速率（ DDR ）
LVDS输出选项
支持正弦， LVCMOS ， LVPECL ， LVDS时钟
输入和时钟幅度低至400
mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考与支持外部
参考
无需外部解耦
参考文献：
可编程输出时钟的位置，并
驱动强度来简化数据采集
3.3 V模拟和1.8 V至3.3 V数字电源
32 - QFN封装（ 5毫米
×
5 mm)
引脚兼容的12位家庭（ ADS612X ）
雷达系统
描述
ADS6145 / ADS6144 / ADS6143 / ADS6142 （ ADS614X ）
是一个家庭的采样14位A / D转换器
频率高达125 MSPS 。高性能
和ADS614X的低功耗是
结合在一个紧凑的32 QFN封装。内部
高带宽采样和保持，低抖动时钟
缓冲器有助于实现高信噪比和高SFDR甚至
在高输入频率。
该ADS614X功能粗，细增益选项
改善SFDR性能，更低的满量程模拟
输入范围。
数字数据输出或者是并行CMOS或
DDR （双倍数据速率） LVDS 。几个特点
存在是为了方便数据采集等 - 进行控制
输出时钟的位置和输出缓冲器驱动强度，
LVDS
目前，
和
国内
终止
可编程性。
输出接口类型，增益等功能
采用三线式串行接口进行编程。
或者，一些功能被使用被配置
专用的圆柱销，以便在设备加电到
理想状态。
该ADS614X同时包括内部参考
消除了传统的参考引脚和相关
外部去耦。外部基准模式也
支持。
该ADS614X都规定在工业
温度范围（-40 ° C至85°C ） 。
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
ADS614X业绩摘要
ADS6145
SFDR ， dBc的
SINAD ， dBFS的
F
in
= 10兆赫（0 dB增益）
F
in
= 170兆赫（3.5 dB增益）
F
in
= 10兆赫（0 dB增益）
F
in
= 170兆赫（3.5 dB增益）
电源，MW
90
78
73.7
68.6
417
ADS6144
91
82
74.1
70.5
374
ADS6143
93
83
74.5
70.6
318
ADS6142
95
84
74.6
71.5
285
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
CLKP
CLKM
DRGND
DRVDD
AGND
AVDD
时钟
根
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
INP
SHA
INM
14-Bit
ADC
数字
编码器
和
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
D12_D13_P
D12_D13_M
ADS614X
LVDS模式
SEN
RESET
SCLK
SDATA
PDN
ADS61XX家庭
125 MSPS
ADS614X
14位
ADS612X
12位
ADS6145
ADS6125
105 MSPS
ADS6144
ADS6124
80 MSPS
ADS6143
ADS6123
65 MSPS
ADS6142
ADS6122
2
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封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-32
(2)
QFN-32
(2)
QFN-32
(2)
QFN-32
(2)
包
代号
RHB
RHB
RHB
RHB
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
包
记号
AZ6145
AZ6144
AZ6143
AZ6142
订购
数
ADS6145IRHBT
ADS6145IRHBR
ADS6144IRHBT
ADS6144IRHBR
ADS6143IRHBT
ADS6143IRHBR
ADS6142IRHBT
ADS6142IRHBR
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
ADS6145
ADS6144
ADS6143
ADS6142
(3)
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 34
° C / W
（0 LFM空气流） ，
θ
JC
= 30
° C / W
用2盎司的时候使用。铜走线和焊盘直接焊在JEDEC标准4层3
×
3 （ 7.62厘米
×
7.62厘米）印刷电路板。
产品预览
绝对最大额定值
(1)
价值
V
I
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚， INP和INM
电压施加到模拟输入引脚， CLKP和CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
-0.3 3.9
-0.3 3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3为最小（ 3.6 ， AVDD + 0.3 ）
-0.3至（ AVDD + 0.3 ）
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
耗材
AVDD
模拟电源电压
CMOS接口
LVDS接口
3
1.65
3
3.3
1.8 3.3
3.3
2
1.5 ± 0.1
1.45
1
1
1
1
0.4
1.5
± 0.8
± 0.35
3.3
35%
50%
默认
实力
最大
实力
最大
实力
10
5
10
100
-40
85
°C
pF
65%
V
pp
1.5
1.55
125
105
80
65
MSPS
3.6
3.6
3.6
V
V
V
V
pp
V
V
喃
最大
单位
DRVDD输出缓冲器的电源电压
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
V
IC
输入共模电压
电压施加在VCM外部基准模式
时钟输入
ADS6145
输入时钟采样率，女
S
ADS6144
ADS6143
ADS6142
正弦波，交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
– V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
对于C
负载
≤
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
输出缓冲器驱动强度
(1)
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS ，交流耦合
对于C
负载
> 5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
对于DRVDD < 2.2 V
CMOS接口，最大缓冲力
C
负载
R
负载
T
A
(1)
从最大外部负载电容
每个输出引脚DRGND
LVDS接口，无内部端接
LVDS接口，与内部端接
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（外部）
工作自由空气的温度
SEE
输出缓冲力量可编程性
在应用程序部分。
4
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电气特性
典型值是在25℃ ，最小值和最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD =
DRVDD = 3.3 V ，最大额定采样频率， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部
参考模式，适用于CMOS和LVDS接口，除非另有说明。
参数
决议
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻值（直流） ，
SEE
图94
差分输入电容，
SEE
图95
模拟输入带宽
模拟输入共模电流
（每个ADC的输入引脚）
参考电压
VREFB
VREFT
ΔV
REF
V
CM
内部参考电压底部
内部基准电压最高
内部引用错误
（ VREFT - VREFB ）
共模输出电压
V
CM
输出电流能力
DC精度
无失码
E
O
偏移误差
失调误差温度系数
-10
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
mV
毫伏/°C的
-20
1
2
±5
1.5
4
20
-20
1
2
±5
1.5
4
20
-20
1
2
±5
1.5
4
20
-20
1
2
±5
1.5
4
20
V
V
mV
V
mA
2
>1
7
450
180
2
>1
7
450
151
2
>1
7
450
114
2
>1
7
450
92
V
PP
M
pF
兆赫
A
ADS6145
F
S
= 125 MSPS
民
典型值
14
最大
ADS6144
F
S
= 105 MSPS
民
典型值
14
最大
ADS6143
F
S
= 80 MSPS
民
典型值
14
最大
ADS6142
F
S
= 65 MSPS
民
典型值
14
最大
位
单位
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差是由于内部参考
孤独不准确， （ ΔV
REF
/2) %
单独通道增益误差
(1)
信道增益误差温度
系数
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
-0.95
-4.5
-1
-1
0.25
±0.3
0.005
± 0.6
± 2.5
2
4.5
-0.95
-4.5
1
1
-1
-1
0.25
±0.3
0.005
± 0.6
± 2.5
2
4.5
-0.95
-4
1
1
-1
-1
0.25
±0.3
0.005
± 0.5
±2
2
4
-0.95
-4
1
1
-1
-1
0.25
±0.3
0.005
± 0.5
±2
2
4
1
1
％ FS
％ FS
Δ%/°C
最低位
最低位
电源
I
AVDD
I
DRVDD
模拟电源电流
数字电源电流，
CMOS
接口
DRVDD = 1.8 V ，
无负载电容，女
in
= 2 MHz的
数字电源电流，
LVDS
接口
DRVDD = 3.3 V ，
100 Ω的外部端接
总功率
CMOS ，
DRVDD = 3.3 V
全球掉电
123
110
94
84
mA
6.1
(2)
5.4
4.5
4.0
mA
I
DRVDD
42
42
42
42
mA
417
30
625
60
374
30
525
60
318
30
440
60
285
30
400
60
mW
mW
(1)
(2)
通过设计和特性参数;在生产中测试。
在CMOS模式中， DRVDD电流秤与采样频率和输出引脚上的负载电容（见
图87 ） 。
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