初步的技术数据
特点
2 pF的电容关闭
1 pC的电荷注入
33 V电源电压范围
150 Ω电阻
在+12 V ，± 15 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
典型功耗： <0.03 μW
1 pF的关断电容， 1 pC的电荷注入，
±15 V/12 V
iCMOS
四通道SPST开关
ADG1211/ADG1212/ADG1213
功能框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN4
D4
IN3
D3
S4
IN4
04778-0-001
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
IN1
S1
D1
S2
D2
ADG1211
ADG1212
ADG1213
S3
D3
S4
D4
开关所对于逻辑1输入
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
图1 。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
该ADG1211 / ADG1212 / ADG1213内置四个独立
单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG1211和
ADG1212的唯一不同在于，数字控制逻辑被反转。
该ADG1211开关接通与逻辑0的
合适的控制输入端，而逻辑1时所需要的
ADG1212 。该ADG1213有两个开关，数字控制
逻辑类似于ADG1211的;的逻辑相反的
另两个开关。每个开关导电性能相同，在两个
方向上时，和具有延伸的输入信号范围
在耗材。在断开状态下，信号电平最高的
供应被阻断。
该ADG1213展品先开后合式开关动作的
在多路复用应用中使用。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
概述
该ADG1211 / ADG1212 / ADG1213均为单芯片CMOS
包含四个独立可选的开关设备
设计上的
iCMOS工艺
流程。
iCMOS工艺
（工业CMOS）是一个
模块化的制造工艺相结合的高电压CMOS
（互补金属氧化物半导体）和双极
技术。它可以广泛发展高
在封装30 V工作电压高性能模拟集成电路
没有上一代的高压器件已能
来实现的。与采用传统CMOS模拟IC proc-
S弯，
iCMOS工艺
组件可以承受高电源电压，
同时还能提升性能大大降低，
功耗，并减小封装尺寸。
超低电容和电荷注入这些开关的
使他们的数据采集和采样和理想的解决方案
持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。
快速开关速度与高信号带宽化妆
适合视频信号切换部分。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
2 pF的关断电容（ ± 15 V电源） 。
1 pC的电荷注入。
3 V逻辑兼容数字输入： V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
超低功耗： <0.03 μW 。
16引脚TSSOP和4mm × 4 mm LFCSP封装包。
REV 。预
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ADG1211/ADG1212/ADG1213
目录
规格................................................. .................................... 3
单电源................................................ ................................. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能描述........................... 7
初步的技术数据
术语................................................. ...................................... 8
典型性能特征.............................................. 9
测试电路................................................ ..................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
11月4日 - 修订PRE ：初级版本
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初步的技术数据
特定网络阳离子
单电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=
15
24V，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
25°C
85°C
版本
1
V
DD
到V
SS
180
单位
ADADG1211/ADG1212/ADG1213
测试条件/评论
120
5
160
V
典型值
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;图20
V
S
= ±10 V，I
S
= -10毫安
25
50
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V ;我
S
= -10毫安
V
DD
= +10 V, V
SS
= 10 V
V
S
= 0 V/10 V, V
D
= 10 V / 0 V ;图21
V
S
= 0 V/10 V, V
D
= 10 V / 0 V ;图21
±1
±5
±1
±5
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
±0.04
±1
V
S
= V
D
= 0 V或10 V ;图22
±2
±5
2.0
0.8
±2.5
±0.5
nA的最大
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
0.005
5
50
15
15
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
1
1
75
85
0.002
700
2
2
4
0.001
5.0
0.001
5.0
0.001
5.0
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R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图24
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图27
R
L
= 600 Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图28
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V或V
DD
初步的技术数据
参数
电源要求
I
DD
I
DD
25°C
0.001
5.0
0.001
5.0
温度范围Y的版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
ADADG1211/ADG1212/ADG1213
85°C
版本
1
单位
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
1
2
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