ACT- F128K32高速
4兆位闪存多芯片模块
电路科技
特点
s
4低功耗128K ×8 FLASH死在一个MCM
www.aeroflex.com
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
s
工业标准管脚引出线
s
包装 - 密封陶瓷
包
s
组织为128K ×32
q
用户可配置为256K ×16或512K ×8
q
在相同的封装形式可升级至512K ×32
s
访问时间60 ， 70 ， 90 ， 120和为150ns
s
+ 5V编程， 5V ±10 ％电源
s
10万次擦除/编程典型， 0 ° C至+ 70°C
s
低待机电流
s
TTL兼容输入和CMOS输出
s
嵌入式擦除和编程算法
s
页编程操作和内部程序
控制时间
s
商用，工业和军用温度
范围
铅， 0.88" X 0.88" X 0.160"单腔小
外形鸥翼，艾法斯代码＃ "F5"
（滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
q
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.160" PGA类型，没有
肩，艾法斯代码＃ "P3"
q
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.185" PGA型，
肩，艾法斯代码＃ "P7"
s
部门架构（每个模具）
q
每个64K字节等于8扇区大小
q
任何部门的结合可以被删除
一个命令序列
q
支持整片擦除
s
DESC SMD ＃ 5962-94716发布（ P3 ， P7 ， F5 ）
q
68
框图 - PGA型封装（ P3 ， P7 ） & CQFP （ F5 ）
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
OE
A
0
–A
16
128Kx8
8
I / O
0-7
128Kx8
8
I / O
8-15
128Kx8
8
I / O
16-23
128Kx8
8
I / O
24-31
概述
在ACT - F128K32是高
速度快， 4兆闪存的CMOS
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围内的军事，空间，或高
可靠性的应用。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位， 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
输入TTL和CMOS输出
兼容。
该
命令
寄存器写的是使
WE为逻辑低电平（Ⅴ
IL
),
而CE为低， OE是
逻辑高电平（Ⅴ
IH
)
。阅读是
通过芯片来完成启用
（ CE）和输出使能（ OE ）
逻辑上活跃的，看
图9.存取时间成绩
为60ns ， 70ns的，为90ns ， 120ns的和
为150ns最大为标准。
该
ACT–F128K32
is
包装在气密
引脚说明
I / O
0-31
数据I / O
A
0–16
地址输入
WE
1-4
写入启用
CE
1-4
OE
V
CC
GND
NC
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1667 REV A 98年4月28日
概述，续
,
密封的共烧陶瓷66针， 1.08"平方
PGA或68领先， 0.88"平方米陶瓷鸥
永CQFP封装，工作在
-55 ° C至+ 125 ° C和温度范围
军事环境。
每个闪存芯片的组织结构
128KX8比特和被设计为
在系统编程与标准
系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。
MCM的也可以用重新编程
标准EPROM编程器（与
正确的插座） 。
标准的ACT- F128K32报价
为60ns和150ns的之间的存取时间，
允许
手术
of
快速
微处理器无需等待。对
消除总线争用，该设备具有
独立的芯片使能（ CE）和写使能
（WE） 。在ACT - F128K32是命令集
与JEDEC标准兼容的1兆位
EEPROM的。命令被写入到
命令
注册
运用
标准
微处理器写时序。注册
内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也
内部锁存器需要的地址和数据
对于编程和擦除操作。
读数据从器件中是类似
从12.0V Flash或EPROM读
设备。在ACT - F128K32编程
通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部
算法，自动倍
编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。典型地，每个扇区可
编程并在小于0.3核实
第二个。擦除由完成
执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法
自动preprograms阵列， （如果
它尚未之前编程）
在执行擦除操作。中
擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
该模块或任何个人在每一个死亡
扇形模具通常被擦除并
在1.3秒验证（如果已经
完全预编程） 。
每个芯片还设有一个扇区擦除
架构。该部门模式允许
要擦除的存储器16K字节的块
和再编程，而不影响其他
块。在ACT - F128K32被删除时，
从工厂运出。
该器件采用5.0V单电源
用于读取和写入操作电源
功能。
lnternally
产生
和
提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动
抑制
写
操作上的功率损耗。年底
编程或擦除是通过检测数据
D7或通过触发位查询功能
D6 。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成， - +上的设备
内部复位到读模式。
每个管芯的所有位，或在所有的位
界的模具，通过将被删除
福勒 - Nordhiem隧道。字节
编程一个字节的时间进行热
电子注入。
DESC标准军事绘图系统（ SMD ）
号被释放。
艾法斯电路技术
2
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
z
绝对最大额定值
参数
情况下的工作温度
存储温度范围
电源电压范围
信号电压范围（任何引脚除A9 ）注1
最大焊接温度（ 10秒）
数据保留
耐力（写入/擦除周期）
A9电压为部门保护，注2
V
ID
符号
T
C
T
英镑
V
CC
V
G
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
300
10
100000最低
-2.0至14.0
V
单位
°C
°C
V
V
°C
岁月
注意：输入1.最小直流电压或I / O引脚为-0.5V 。在电压转换，输入可以下冲V
SS
为-2.0V对限期
以20ns的。在输入和I / O引脚最大直流电压为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输入和I / O引脚可能要过冲
V
CC
+ 2.0V进行达20毫微秒。
注2.最小直流输入电压A9为-0.5V 。在电压转换， A9可能下冲V
SS
到-2.0V最高为20ns的周期。
上A9的最大直流输入电压为+ 12.5V可能过冲，以14.0V进行达20ns的。
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
C
V
ID
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（军事）
A9电压部门保护
最低
+4.5
+2.0
-0.5
-55
11.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
12.5
单位
V
V
V
°C
V
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25°C)
符号
C
AD
C
OE
C
WE
参数
A
0
– A
16
电容
OE电容
写使能电容
CQFP （ F5 ）套餐
PGA （ P3 ， P7 ）套餐
C
CE
C
I
/
O
芯片使能电容
I / O0 - I / O31电容
20
20
20
20
pF
pF
pF
pF
最大
50
50
单位
pF
pF
参数的保证，但未经测试
直流特性 - CMOS兼容
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明）
参数
输入漏电流
输出漏电流
主动工作电源电流为读（ 1 ）
主动工作电源电流为编程或擦除（ 2 ）
待机电源电流
静态电源电流（ 4 ）
输出低电压
输出高电压
输出高电压（ 4 ）
低电源锁定输出电压（ 4 ）
符号
I
LI
条件
V
CC
= 5.5V ，VI
N
= GND到V
CC
CE = V
IL
,
OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CE = V
IL
,
OE = V
IH
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5V
0.85× V
CC
V
CC
– 0.4
3.2
速度60 ，70， 90 ， 120 &为150ns
最低
最大
10
10
140
200
6.5
0.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
I
LOX
32 V
CC
= 5.5V ，VI
N
= GND到V
CC
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
CC
4
V
OL
V
OH
1
V
OH
2
V
LKO
注意： 1中列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率依赖分量（在5兆赫） 。频率
组分通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IN
.
注2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
注3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V时，除非另有说明
注4.参数保证，但未经测试。
3
艾法斯电路技术
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
特点 - 只读操作
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
注1：由设计保证，但未经测试
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
–60
60
60
60
30
20
20
0
–70
70
70
70
35
20
20
0
–90
90
90
90
40
25
25
0
–120
最小最大
120
120
120
50
30
30
0
–150
最小最大
150
150
150
55
35
35
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片使能保持时间（ 1 ）
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间写前（ 1 ）
VCC建立时间（ 1 ）
芯片编程时间
输出使能设置时间（ 1 ）
输出使能保持时间（ 1 ）
注1：由设计保证，但未经测试
t
OES
t
OEH
0
10
符号
t
AVAC
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
CE
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
–60
60
0
30
0
30
0
45
0
20
60
120
0
t
VCE
50
12.5
0
10
0
50
12.5
0
10
–70
70
0
35
0
30
0
45
0
20
60
120
0
50
12.5
0
10
–90
90
0
45
0
45
0
45
0
20
60
120
0
50
12.5
0
10
–120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
典型值
60
120
0
50
12.5
–150
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
典型值
60
120
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
14 TYP 14 TYP 14 TYP
t
GHWL
AC特征 - 写/擦除/编程操作，CE控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
芯片使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能保持时间（ 1 ）
写选择脉冲宽高
字节编程的时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间（ 1 ）
芯片编程时间
注1：由设计保证，但未经测试
符号
t
AVAC
t
WLE
L
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
–60
60
0
35
0
30
0
45
0
20
60
120
0
12.5
0
12.5
–70
70
0
35
0
30
0
45
0
20
60
120
0
12.5
–90
90
0
45
0
45
0
45
0
20
60
120
0
12.5
–120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
典型值
60
120
0
12.5
–150
最小最大
150
0
55
0
55
0
55
0
20
14
典型值
60
120
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
14 TYP 14 TYP 14 TYP
t
GHEL
艾法斯电路技术
4
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
设备操作
在ACT- F128K32 MCM包括四个，一是
兆位闪存EEPROM的。下面的描述是用于
各个闪速EEPROM装置，是适用于
每个MCM内的四个内存芯片。芯片1是
通过CE区分
1
和I / O
1-7
，芯片2 CE
2
和
I/0
8-15
， 3芯片通过CE认证
3
和I / 0
16-23
和4片由CE
4
和
I/0
24-31
.
在ACT- F128K32的编程是通过完成
执行程序命令序列。
该
程序算法，它是一个内部算法，
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。扇区可进行编程和
在不到0.3秒验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。擦除
算法，这是内部的，自动preprograms
如果它尚未被执行前程序性阵列
擦除操作。
在擦除时，设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。整个存储器通常被擦除
并验证了在3秒（如果预编程） 。该
行业模式允许内存16K字节的块是
擦除和重新编程，而不会影响其它的块。
电流消耗典型地小于400微安;和
TTL待机模式（ CE保持V
IH
）是约1
毫安。在待机模式下，输出是在高
阻抗状态，独立于OE输入。
如果设备被擦除过程中取消选择或
编程，该装置将利用有功电流，直到
操作完成。
写
设备擦除和编程是通过完成
命令寄存器。该寄存器的内容服务
作为输入到内部状态机。状态机
输出决定了设备的功能。
命令寄存器本身不占有
可寻址的存储器位置。该寄存器锁存器
用于存储指令，以及地址和数据
所需的信息来执行命令。该
命令寄存器被写入通过使WE为逻辑低
电平（V
IL
） ，而CE为低， OE是在V
IH
。地址
被锁在WE或CE的下降沿为准
后来发生的情况。数据被锁存的上升沿
标准
以先到为准WE或CE 。
微处理机写定时被使用。请参见AC
方案特点和波形，图3 ，
图8和13 。
总线操作
读
对ACT - F128K32具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，得到的数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制，并应被用于栅极的数据
芯片的输出引脚选择。图7示出
AC读取时序波形。
命令德网络nitions
设备操作由写入特定选择
地址和数据序列到命令寄存器。
表3中定义了这些寄存器的命令序列。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令
注册。微处理器读周期获取数组数据
从存储器。该装置仍处于启用状态的读取
直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动开机，在读/复位
状态。在这种情况下，不要求一个命令序列
读取数据。标准的微处理器读周期会
检索数组数据。
设备会自动
电时，在读/复位状态。在这种情况下，一个命令
序列不需要读取数据。
标准
微处理器读周期将获取数组数据。这
表2 - 扇区地址表
输出禁用
在逻辑高电平与输出使能（V
IH
从输出）
该设备被禁用。输出引脚被置于高
阻抗状态。
待机模式
在ACT- F128K32有两种待机模式，一个CMOS
待机模式（在Vcc + 0.5V举行的CE输入），其中，所述
表1 - 巴士运营
手术
读
待机
输出禁用
写
ENABLE行业
保护
VERIFY行业
保护
CE OE WE A0 A1 A9
L
H
L
L
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
H
X
H
L
L
H
A
0
A
1
A
9
X
X
X
X
X
X
I / O
DOUT
高Z
高Z
D
IN
X
CODE
A16 A15
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 03FFFh
04000h - 07FFFh
08000H - 0BFFFh
0C000h - 地址0FFFFh
10000H - 13FFFh
14000h - 17FFFh
18000H - 1BFFFh
1C000h - 1FFFFH
A
0
A
1
A
9
X
L
X
H
V
ID
V
ID
SA5
SA6
SA7
艾法斯电路技术
5
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
