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AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3215微功率低压差线性
调节器非常适合用于便携式应用
其中,低噪音,延长电池寿命和小
大小是关键的。该AAT3215一直specifi-
美云设计的非常低的输出噪声perform-
ANCE ,快速瞬态响应和高功率的支持
帘布层抑制比( PSRR ) ,从而非常适用于pow-
化工e圈敏感的RF电路。
其他功能还包括低静态电流,典型
美云95μA和低压差电压为典型
美云小于140MV以全功率输出电流。该
器件输出短路保护,有
对于额外的保护热关断电路
在极端条件下。
该AAT3215还具有低功耗关断
模式,以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供,以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声,通过连接外部
从AAT3215的参考输出电容
地面上。
该AAT3215可在一个节省空间的5引脚
SOT - 23和8引脚SC70 - JW封装厂8
的2.5V , 2.7V , 2.8V , 2.85V电压编程,
2.9V , 3.0V , 3.3V , 3.5V或。
特点
PowerLinear
低压差 - 140MV 150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 %
95μA静态电流
高电源纹波抑制
70分贝在1kHz
50分贝在10kHz
极低的自噪声45μVRMS / rtHz的
快速电压和负载瞬态响应
短路保护
过温保护
使用低ESR陶瓷电容器
降噪旁路电容
关断模式,以延长电池寿命
低温COEF网络cient
8工厂编程输出电压
SOT - 23 5引脚SC70或- JW 8引脚封装
初步信息
应用
手机
笔记本电脑
便携式通信设备
个人便携式电子产品
数码相机
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3215
开/关
EN
GND
1F
10nF
2.2F
BYP
GND
GND
3215.2002.03.0.91
1
AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针#
SOT23-5
SC70JW-8
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚 - 应该用1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚
使能引脚 - 引脚内部拉高。当拉低
在PMOS导通晶体管关闭,所有内部电路
进入低功耗模式,功耗低于1μA 。
旁路电容连接 - 提高交流纹波抑制,
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚 - 去耦用2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT-23-5
( TOP VIEW )
SC70JW-8
( TOP VIEW )
IN
GND
EN
1 5
2
3 4
OUT
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
8
7
3
4
6
5
GND
EN
IN
IN
1
2
2
3215.2002.03.0.91
AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
T
J
T
领导
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
价值
6
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
300
描述
输入电压
直流输出电流
工作结温范围
最大焊接温度(在线索, 10秒)
单位
V
mA
°C
°C
注:如果运行条件超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在CON-功能操作
ditions超过规定的经营条件的其他未暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
热信息
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻
1
( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
最大功率耗散
1
( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
等级
190
526
单位
° C / W
mW
注1 :安装在演示板上。
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+0.3 ) 5.5
-40至+85
单位
V
°C
电气特性
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
V
OUT
/V
OUT
*V
IN
V
OUT
( LINE)
V
OUT
( LOAD )
V
EN (L)的
V
EN (H)的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
TC
(V
IN
=V
OUT ( NOM )
+ 1V ,我
OUT
= 1mA时,
OUT
= 2.2μF ,C
IN
= 1μF ,C
BYP
= 10nF电容,T
A
=
-40至85℃,除非另有说明。典型数值为T
A
=25°C)
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
在使能引脚漏电流
电源抑制比
条件
I
OUT
= 1mA至150毫安
最小典型最大
T
A
=25°C
-1.5
T
A
= -40到85°C -2.5
150
140
600
95
1.5
2.5
250
150
1
0.07
1
30
0.6
1.5
1
70
50
47
150
10
45
22
单位
%
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS / rtHz的
PPM /°C的
V
OUT
& GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
& LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ,空载, EN = V
IN
V
IN
= 5V , EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
V
IN
=V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V ,我
OUT
=150mA,
T
R
/T
F
=2s
I
OUT
= 1mA至150毫安,T
R
<5s
V
EN
= 5V
I
OUT
= 10毫安,C
BYP
=10nF
1千赫
10kHz
1MHz
过温关断阈值
过温关断迟滞
输出噪声
噪声功率带宽=为300Hz - 50kHz的
输出电压温度。 COEFF 。
注1 : V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98%的名义。
3215.2002.03.0.91
3
AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
典型特征
(除非另有说明,V
IN
= 5V ,T
A
= 25°C)
漏失电压与温度的关系
200
3.1
降特性
I
OUT
=10mA
I
OUT
=0mA
I
OUT
=150mA
2.9
漏失电压(MV )
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
I
L
=150mA
3.0
I
L
=100mA
I
L
=50mA
2.8
I
OUT
=100mA
I
OUT
=50mA
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
2.7
0
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
VIN
漏失电压与输出电流
200
120
地电流与输入电压
漏失电压(MV )
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
V
OUT
=3.0V
100
I
GND
(A)
80
60
40
20
0
2
I
OUT
=0
I
OUT
=5mA
I
OUT
=150mA
3
4
5
输出电流(mA )
V
IN
地电流与温度的关系
V
OUT
=3.0V
105
100
3.014
3.013
输出电压与温度的关系
输出电压
0
50
100
150
I
GND
(A)
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
95
90
85
80
-50
3.007
-50
0
50
100
150
温度(℃)
温度
(°C)
4
3215.2002.03.0.91
AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
典型特征
(除非另有说明,V
IN
= 5V ,T
A
= 25°C)
开/关瞬态响应
没有C
BYP
电容
开/关瞬态响应
C
BYP
=10nF
EN ( 2V / DIV )
V
OUT
(1V/div)
10mA
10mA
150mA
EN ( 2V / DIV )
V
OUT
(1V/div)
150mA
100s/div
5ms/div
线路瞬态响应
3.04
3.03
3.02
6
5
4
3.10
3.05
3.00
负载瞬态响应
500
400
300
200
100
0
-100
3.01
3.00
2.99
2.98
3
2
1
0
2.95
2.90
2.85
2.80
5s/div
100
微秒/格
短路电流
1.2
1
0.8
90
80
电源抑制比主场迎战
频率
I
OUT
=150mA
C
OUT
=10f
4.7f
2.2f
PSRR (分贝)
ISC ( A)
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0.6
0.4
0.2
0
1.0f
100
1k
10k
100k
1m
10m
10ms/div
频率(Hz)
3215.2002.03.0.91
I
OUT
(MA )
V
OUT
V
OUT
V
IN
5
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