A82DL16x4T （ U）系列
堆叠多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM ，
A82DL16x4T （ U） 16兆位（ 2Mx8位/ 1Mx16位） CMOS 3.3伏只，
同时操作闪存和4M （ 256Kx16位）静态RAM
初步
文档标题
堆叠多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM ， A82DL16x4T （ U） 16兆位
（ 2Mx8位/ 1Mx16位） CMOS 3.3伏只，同时操作闪存和4M
（ 256Kx16位）静态RAM
修订历史
版本号
0.0
历史
创刊号
发行日期
2005年8月15日
备注
初步
导言（ 2005年8月，版本0.0 ）
AMIC技术股份有限公司
A82DL16x4T （ U）系列
堆叠多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM ，
A82DL16x4T （ U） 16兆位（ 2Mx8位/ 1Mx16位） CMOS 3.3伏只，
同时操作闪存和4M （ 256Kx16位）静态RAM
初步
特色鲜明
MCP特点
单电源工作2.7至3.6伏
高性能
- 存取时间快为70ns
包69球TFBGA （ 8x11x1.4毫米）
工业工作温度范围： -40 ° C至85°C
为-U ; -25°C至85°C的-I
-
暂停擦除操作，使编程
同一家银行
数据
轮询和切换位
-
提供的检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
-
发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/
忙
输出（ RY /
BY
)
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
硬件复位引脚（
RESET
)
- 硬件复位内部状态机的方法
读取阵列数据
WP
/ ACC输入引脚
- 写保护（
WP
）功能可保护2
最外层的引导扇区，无论部门保护
状态
- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或
使用编程设备，以防止任何程序
或部门内部擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
闪光灯功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备（参见
表2）
包
-
69球TFBGA （ 8x11x1.4毫米）
顶部或底部启动块
在0.18微米制程技术制造的
- 兼容AM42DL16x4D设备
兼容JEDEC标准
-
引脚排列和软件，单电源兼容
闪存标准
性能特点
高性能
-
存取时间快为70ns
-
节目时间：为7μs /字典型的利用加速
功能
超低功耗（典型值）
-
在1MHz 2毫安有效的读电流
-
在5MHz 10毫安有效的读电流
-
为200nA待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
-
可靠运行的系统的寿命
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
擦除暂停/删除恢复
LP SRAM特点
电源电压范围： 2.7V至3.6V
访问时间： 70 ns的（最大）
当前位置：
非常低功率版：操作： 35毫安（最大）
待机：为10uA （最大）
全静态操作，无时钟或刷新要求
所有输入和输出直接TTL兼容
采用三态输出通用I / O
输出使能和两个芯片使能输入，方便
应用
数据保持电压： 2.0V （分钟）
导言（ 2005年7月，版本0.0 ）
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AMIC技术股份有限公司
A82DL16x4T （ U）系列
概述
该A82DL16x2T （ U）系列包括16兆， 3.0电压
只有快闪存储器装置，内部组织为1,048,576字
每个16位或2,097,152字节，每字节8位。字模式
数据出现在I / O
0
-I / O
15
;字节模式的数据出现在I / O
0
–
I / O
7
。本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏的VCC电源，并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件具有70ns的存取时间。该
设备在69球精细间距BGA提供。标准
控制引脚芯片使能（
CE_F
） ，写使能（
WE
） ，以及
输出使能（
OE
） - 控制正常读写
操作，避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
为
读取和写入功能。内部生成的，
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
A82DL16x4T （U ）特性
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC
单电源闪存命令集的标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。读出数据的
该装置类似于其它的Flash或EPROM读
设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成时通过使用设备
状态位：
RY /
BY
引脚， I / O
7
(
数据
轮询）和I / O
6
/ I / O
2
（触发位） 。
后一个程序或擦除周期已经完成，该
设备会自动返回到阅读阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据
其他部门的内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低VCC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的内存部门。这可以实现
在-S S T ê米或通过编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
该器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
动力
消耗在这两种模式下大大降低。
同时读/写操作零
潜伏期
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为
两家银行。该装置可提高整个系统的
通过允许主机系统编程或擦除性能
在一家银行，然后立即同时读取
其他银行，零延迟。这将释放系统
从等待完成编程或擦除
操作。
该A82DL16x4T （ U）设备使用多个银行架构设计师用手工
tectures以针对不同的应用提供了灵活性。三
设备可与这些银行的规模：
设备
DL1624
DL1634
DL1644
银行1
2 MB
4兆
8兆
2银行
14 MB
12 MB
8兆
初步
（ 2005年8月，版本0.0 ）
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AMIC技术股份有限公司
A82DL16x4T （ U）系列
销刀豆网络gurations
69球TFBGA
顶视图
仅限于Flash
A1
A5
A6
A10
NC
B1
B3
B4
NC
B5
NC
B6
B7
B8
NC
只有SRAM
SHARED
NC
C2
A7
C3
LB_S
C4
WP / ACC
C5
WE
C6
A8
C7
A11
C8
C9
A3
D2
A6
D4
UB_S
D4
RESET
D5
CE2_S
D6
A19
D7
A12
D8
A15
D9
A2
E1
E2
A5
E3
A18
E4
RY / BY
NC
A9
E7
A13
E8
NC
E9
E10
NC
F1
A1
F2
A4
F3
A17
F4
A10
F7
A14
F8
NC
F9
NC
F10
NC
A0
G2
VSS
G3
I/O1
G4
G5
G6
I/O6
G7
NC
G8
A16
G9
NC
CE_F
H2
OE
H3
I/O9
H4
I/O3
H5
I/O4
H6
I/O13
H7
I / O15 （ A- 1 ） BYTE_F
H8
H9
CE1_S
I/O0
J3
I/O10
J4
VCC_F
J5
VCC_S
J6
I/O12
J7
I/O7
J8
VSS
I/O8
K1
I/O2
I/O11
K5
NC
K6
I/O5
I/O14
K10
NC
NC
NC
NC
特殊处理说明TFBGA封装
特殊处理所需的闪存产品TFBGA封装。
如果暴露在超声波清洗方法中的TFBGA封装闪存设备可能被损坏。包装和/或
如果封装体暴露于温度超过150℃的时间的延长时段的数据完整性可能受到损害
初步
（ 2005年8月，版本0.0 ）
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AMIC技术股份有限公司
