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初步
文档标题
A64S06161A
16M ( 1M X 16位),正常模式&页模式下的静态随机存取存储器
修订历史
版本号
0.0
历史
创刊号
发行日期
2005年3月28日
备注
初步
( 2005年3月,版本0.0 )
1
AMIC技术股份有限公司
初步
A64S06161A
内存
16M ( 1M X 16位),正常模式&页模式静态随机
存取存储器
描述
该A64S06161A是一个16Mb的高速,低功耗的静态随机存取存储器( SRAM)的
组织为1,048,576字×16位,并支持页面模式。
该A64S06161A基于伪SRAM的上成功的证明的DRAM细胞
SRAM
专为成本敏感,低功耗的计算和通信开发
应用,如蜂窝式移动电话手机,个人数字助理和其他
电池供电的消费产品。
特点
标准异步SRAM接口和页面模式
组织
: 1米x 16Bit的
=电源电压
: 2.7 ~ 3.3 V
页面大小
: 4个字
页面模式访问( TPAA )
:为35ns
数据保持电压
: 2.4V
三态输出和TTL兼容
产品系列
产品系列
A64S06161A
1
2
3
操作
温度
-40 ~ 85
4
5
6
电压
2.7 ~ 3.3 V
速度
70
ISB1
(最大)
100uA
ICCDR
(最大)
100uA
ICC1
(最大)
2.0mA
模式
页面
引脚说明
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
IO8
IO9
VSS
VCC
IO14
IO15
A18
/ OE
/ UB
IO10
IO11
IO12
IO13
A19
A8
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
功能框图
参考文献。续。
直流发生器电路
感测放大器。
A2
/ CS
IO1
IO3
IO4
IO5
/ WE
A11
/ PD
添加。输入缓冲器
IO0
IO2
VCC
VSS
IO6
IO7
控制逻辑
NC
添加。输入缓冲器
COLUMN
地址
IO0
数据I / O缓存
IO7
行解码器
ROW
地址
写入驱动器
存储阵列
8192行
128× 16列
IO8
IO15
列解码器
/ CS / OE / WE / UB
/磅
注意: E3引脚( VSS ) ,可以继续作为NC
名字
/ CS
/ OE
/ WE
A0A19
IO0IO15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
/ UB
/磅
功能
动力
高位字节( IO8~15 )
低字节( IO0~7 )
( 2005年3月,版本0.0 )
2
AMIC技术股份有限公司
初步
产品列表
部件名称
A64S06161A-70U
功能
16M , 48 - FBGA , 70纳秒, 3.0V , -40 ℃ 85 ℃
A64S06161A
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度(扩展)
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2 VCC + 0.3 V
-0.2 3.6
1.0
-55到150
-40 ~ 85
单位
V
V
W
注意:
应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
/ PD
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
/ OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
/ WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
/磅
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O 0 7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O 8 15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
( 2005年3月,版本0.0 )
3
AMIC技术股份有限公司
初步
建议的直流工作条件
参数
电源电压
(5)
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
2.7
0
0.8*Vcc
-0.2
3)
1)
A64S06161A
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
Vcc+0.2
2)
0.4
单位
V
V
V
V
注意:
1.T
A
= -40 ℃至85℃ ,另有规定。
2.过冲:如果脉冲宽度的VCC + 1.0V
20纳秒。
3.冲: -1.0V的情况下脉冲宽度的
20纳秒。
4.过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试。
5,稳定的电力供应要求100我们的设备操作之前。
电容
(T
A
= 25
℃,
F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注:该参数进行采样,并没有100 %测试
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
Icc1
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
/ CS = V
IH
, / UB = / LB = V
IH
或/ OE = V
IH
or
/ WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1我们, 100%的占空比,我
IO
=0mA,
/ CS
0.2V, V
IN
0.2V或
V
IN
Vcc-0.2V
周期时间=最小, IIO = 0毫安, 100 %占空比
/ CS = V
IL
,V
IN
=V
IL
或V
IH
/ CS1 = V
IL
, CS2 = V
IH
, Tpwc = MIN页
地址单车
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -1毫安
/ CS≥V
IH
, / UB = / LB = V
IH ,
其它输入= V
IH
or
V
IL
/ CS
VCC- 0.2V , / UB = / LB
Vcc-0.2V
( / UB , / LB控制)的其他投入= 0或VCC
2.2
0.3
100
-1
-1
典型值
最大
1
1
单位
uA
uA
2.0
mA
Icc2
20
mA
ICCP
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
10
0.4
mA
V
V
mA
uA
( 2005年3月,版本0.0 )
4
AMIC技术股份有限公司
初步
A64S06161A
数据保留电特性
T
A
= -40
到85 ℃ (普通) ,除非另有说明
电压数据
保留
符号
V
DR
测试条件
/ CS = / PD = V
IH
\u003e VCC- 0.2V或
/UB,/LB≥Vcc-0.2V,
VI
N
≥V
CC
-0.2V或
V
IN
≤V
SS
+ 0.2V
Vcc=2.4V,
/ CS = / PD = V
IH
\u003e VCC- 0.2V或
/UB,/LB≥Vcc-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或
V
IN
≤V
SS
+ 0.2V
请参阅数据保留波
形式
0
TRC
-
-
2.4
典型值。
(1)
最大
3.3
单位
V
数据保留
当前
ICC
DR
100
uA
芯片取消到数据
保留时间
工作恢复
时间
(1) V
cc
= 2.4V,
T
A
= 25℃
t
CDR
t
R
-
-
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
2.7V
VI
H
V
DR
/ CS
Vcc-0.2V
/ CS
V
SS
t
CDR
t
R
( 2005年3月,版本0.0 )
5
AMIC技术股份有限公司
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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