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74V1T66
单双向开关
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 0.3ns (典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 1μA (最大值)在T
A
=25°C
LOW “ON”抵抗:
R
ON
= 6.5Ω ( TYP 。 )在V
CC
= 5V I
I / O
= 1毫安
正弦波失真度:
0.04 %在V
CC
= 5V F = 1KHz的
兼容TTL输出ON
控制引脚:
V
IH
= 2V (MIN) ,V
IL
= 0.8V (MAX)
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 4.5V至5.5V
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74V1T66STR
74V1T66CTR
描述
该74V1T66是一种先进的高速CMOS
单双向开关的制作
硅栅
2
MOS技术。它实现了高
高速的传输延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这种双向开关手柄
轨对轨的模拟和数字信号,可能会发生变化
在整个电源电压范围(从GND到
V
CC
).
C输入被提供给控制开关和
它与标准的TTL输出兼容;该
开关处于ON ( I / O端口连接到端口O / I )
引脚连接和IEC逻辑符号
当C输入保持高OFF (高
在两个端口之间存在阻抗状态)
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统,测试
设备。它可以在商业和
扩展温度范围和SOT23-5L
SC- 70-5L封装。
所有输入和输出都配备有保护
防止静电放电电路,使他们ESD
免疫力和瞬态过电压。
2001年7月
1/11
74V1T66
输入等效电路
引脚说明
针无
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和功能
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入(
HIGH )
地( 0V )
正电源电压
真值表
控制
H
L
*高阻抗状态
开关功能
ON
关*
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
储存温度
T
英镑
T
L
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(注1 )V
CC
= 5.0V
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从0.8V至2V的控制引脚
2/11
74V1T66
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
R
ON
抗性
5.0
(*)
I
关闭
输入/输出
漏电流
(开关OFF)
开关量输入
漏电流
(开关,
输出开路)
控制输入
漏电流
静态电源
当前
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
到GND
I
I / O
1mA
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1mA
V
OS
= V
CC
到GND
V
IS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IL
V
OS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IH
V
IC
= 5.5V或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
2
0.8
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
V
V
V
7.5
10
12
14
V
6.5
8.5
10
12
单位
V
IH
V
IL
R
ON
输入高电平
电压
低电平输入
电压
抗性
5.5
±0.1
±
1
±
5
A
I
IZ
5.5
0
5.5
5.5
±0.1
±
0.1
1
±
1
±
1.0
10
±
5
±
1.0
20
A
A
A
I
IN
I
CC
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 3纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
t
r
= t
f
= 6ns的
R
L
= 500
R
L
= 1 K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.3
5.0
2.0
马克斯。
0.6
7.5
4.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
1.0
9.0
5.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
2.0
10.0
7.0
ns
ns
ns
单位
t
PD
t
PLZ
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
延迟时间
输出禁用
时间
OUTPUT ENABLE
时间
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
3/11
74V1T66
电容特性
测试条件
符号
参数
分钟。
C
IN
C
I / O
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(注1 )
T
A
= 25°C
典型值。
3
10
3
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
模拟开关特性
( GND = 0V ;吨
A
= 25°C)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0(*)
5.0(*)
V
IN
(V
p-p
)
4
f
IN
= 1千赫
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
调整F
IN
电压,以获得0 dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率,直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50, C
L
= 10 pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2
调整F
IN
电压在V获得为0dBm
IS
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1kHz正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1KHz的方波
t
r
= t
f
= 6ns的
价值
单位
典型值。
0.04
180
%
兆赫
f
最大
正弦波
失真( THD )
频率
响应
(开关)
馈通
衰减
(开关OFF)
串扰(控制
输入信号
输出)
5.0(*)
-60
dB
5.0(*)
60
mV
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74V1T66
切换CARACTERISTICSTEST电路
穿心衰减
带宽衰减
最大控制频率
串扰(控制输出
5/11
74V1T66
单双向开关
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 0.3ns (典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 1μA (最大值)在T
A
= 25°C
低"ON"性:
R
ON
= 6.5Ω ( TYP 。 )在V
CC
= 5V ,我
I / O
= 1毫安
正弦波失真度:
0.04 %在V
CC
= 5V , F = 1kHz时
兼容TTL输出ON
控制引脚:
V
IH
= 2V (MIN) ,V
IL
= 0.8V (MAX)
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 4.5V至5.5V
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74V1T66STR
74V1T66CTR
描述
该74V1T66是一种先进的高速CMOS
单双向开关的制作
硅栅
2
MOS技术。它实现了高
高速的传输延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这种双向开关手柄
轨对轨的模拟和数字信号,可能会发生变化
在整个电源电压范围(从GND到
V
CC
).
C输入被提供给控制开关和
它与标准的TTL输出兼容;该
开关处于ON ( I / O端口连接到端口O / I )
引脚连接和IEC逻辑符号
当C输入保持高OFF (高
在两个端口之间存在阻抗状态)
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统,测试
设备。它可以在商业和
扩展温度范围和SOT23-5L
SOT323-5L包。
所有输入和输出都配备有保护
防止静电放电电路,使他们ESD
免疫力和瞬态过电压。
2004年4月
1/11
74V1T66
输入等效电路
引脚说明
引脚n °
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和功能
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入(
HIGH )
地( 0V )
正电源电压
真值表
控制
H
L
*高阻抗状态
开关功能
ON
关*
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
T
英镑
储存温度
T
L
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(注1 )V
CC
= 5.0V
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从0.8V至2V的控制引脚
2/11
74V1T66
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
R
ON
抗性
5.0
(*)
I
关闭
输入/输出
漏电流
(开关OFF)
开关量输入
漏电流
(开关,
输出开路)
控制输入
漏电流
静态电源
当前
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
到GND
I
I / O
1mA
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1mA
V
OS
= V
CC
到GND
V
IS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IL
V
OS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IH
V
IC
= 5.5V或GND
V
I
= V
CC
或GND
7.5
T
A
= 25°C
分钟。
2
0.8
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
V
V
单位
V
IH
V
IL
R
ON
输入高电平
电压
低电平输入
电压
抗性
10
12
14
6.5
8.5
10
12
5.5
±0.1
±
1
±
5
A
I
IZ
5.5
0
5.5
5.5
±0.1
±
0.1
1
±
1
±
1.0
10
±
5
±
1.0
20
A
A
A
I
IN
I
CC
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 3纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
t
r
= t
f
= 6ns的
R
L
= 500
R
L
= 1 K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.3
5.0
2.0
马克斯。
0.6
7.5
4.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
1.0
9.0
5.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
2.0
10.0
7.0
ns
ns
ns
单位
t
PD
t
PLZ
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
延迟时间
输出禁用
时间
OUTPUT ENABLE
时间
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
3/11
74V1T66
电容特性
测试条件
符号
参数
T
A
= 25°C
分钟。
C
IN
C
I / O
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(注1 )
典型值。
3
10
3
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
模拟开关特性
( GND = 0V ;吨
A
= 25°C)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0(*)
5.0(*)
V
IN
(V
p-p
)
4
f
IN
= 1千赫
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
调整F
IN
电压,以获得0分贝在V
OS
.
增加F
IN
频率,直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50, C
L
= 10 pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2
调整F
IN
电压在V获得为0dBm
IS
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1kHz正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1KHz的方波
t
r
= t
f
= 6ns的
价值
单位
典型值。
0.04
180
%
兆赫
f
最大
正弦波
失真( THD )
频率
响应
(开关)
馈通
衰减
(开关OFF)
串扰(控制
输入信号
输出)
5.0(*)
-60
dB
5.0(*)
60
mV
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74V1T66
切换CARACTERISTICS测试电路
穿心衰减
带宽衰减
最大控制频率
串扰(控制输出
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    74V1T66STR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    74V1T66STR
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    74V1T66STR
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
74V1T66STR
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21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
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74V1T66STR
M/A-COM
24+
2000
十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
74V1T66STR
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
74V1T66STR
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
74V1T66STR
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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MACOM
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32570
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进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
74V1T66STR
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
74V1T66STR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
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