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74V1G66
单双向开关
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 0.3 ns(典型值),在V
CC
= 5V
t
PD
= 0.4 ns(典型值),在V
CC
= 3.3V
低功耗:
I
CC
= 1
A
( MAX 。 )在T
A
= 25
o
C
LOW “ON”抵抗:
R
ON
= 10
( TYP 。 )在V
CC
= 5.0V我
I / O
=100
A
R
ON
= 12Ω ( TYP 。 )在V
CC
= 3.3V我
I / O
=100A
正弦波失真
0.04 % ( TYP 。 )在V
CC
= 3.3V F = 1KHz的
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V至5V
SOT23-5L
订购代码
SOT23-5L
SC-70
牛逼UBE
SC-70
T&
74V1G66S-TR
74V1G66C-TR
描述
该74V1G66是一个高速CMOS单
双向开关制造的硅栅
C2MOS技术。它实现了高速
传播延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这一特性使得这部分
非常适合电池供电的设备。这
双向开关手柄轨到轨模拟和
在整个这可能会发生变化的数字信号
电源电压范围(从Vcc接地) 。
C输入被提供给控制开关和
它与标准CMOS输出兼容;该
开关接通时, C输入保持高电平和关闭
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统,音频
信号路由,通信系统,测试
设备。这是在商业可用
温度范围在SOT23-5L和SC- 70-5L
封装。
引脚连接和IEC逻辑符号
2000年6月
1/9
74V1G66
逻辑图
引脚说明
针无
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和FUNCT离子
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入(
HIGH )
地( 0V )
正电源电压
真值表
控制
H
L
开关F UNCTIO
ON
关闭
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
o
o
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作,是不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度:
输入上升和下降时间(注2 )
参数
电源电压(注1 )
VALU ê
2至5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-40至+85
0-10
单位
V
V
V
V
o
C
NS / V
1 )真值表保证: 1.2V至5.5V
2) V
IN
从30% to70 %的V
CC
2/9
74V1G66
DC特定网络阳离子
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
V
IH
高级控制输入
电压
低电平控制输入
电压
抗性
2.0
2.7
5.5
2.0
2.7
5.5
3.3
(**)
5.0
3.3
(*)
牛逼EST电导率银行足球比赛s
o
价值
T
A
= 25 C
分钟。
1.5
0.7V
CC
0.5
0.3V
CC
典型值。
马克斯。
-40至85℃
分钟。
1.5
0.7V
CC
0.5
0.3V
CC
30
20
马克斯。
o
取消它
V
V
IL
V
R
ON
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
至G ND
I
I / O
1mA
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1mA
V
OS
= V
CC
到GND
V
IS
= V
CC
至G ND
V
我知道了
= V
I L
V
OS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IH
V
IC
= 5.5V或GND
V
IC
= V
CC
或GND
14
12
12
10
26
17
18
14
±0.1
(**)
24
18
±1.0
5.0
(*)
I
关闭
输入/输出泄漏
当前(关闭)
开关输入泄漏
电流(开关,
输出开路)
控制输入漏
当前
静态电源电流
5.5
A
A
I
IZ
5.5
±0.1
±1.0
I
IN
I
CC
0
5.5
5.5
±0.1
1
±1.0
10
A
A
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
( ** ) Voltagerange为3.3V
±
0.3V
3/9
74V1G66
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
t
PD
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
I / O
C
PD
延迟时间
输出使能时间
输出禁止时间
输入电容
开关端子
电容
功耗
电容(注1 )
3.3
5.0
3.3
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
(*)
测试有限公司ndition
价值
T
A
= 25 C
分钟。典型值。马克斯。
o
取消它
-40至85℃
分钟。马克斯。
1.2
1.0
5.0
5.0
9.0
9.0
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
t
r
= t
f
± 6纳秒
R
L
= 1k
R
L
= 500
0.4
0.3
2.5
2.0
5.0
5.0
5
10
2.5
3
0.8
0.6
4.0
4.0
7.5
7.5
1) C
PD
isdefined作为其计算fromthe工作电流消耗无负载的IC'sinternal等效电容的值。 ( Referto
测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC
( OPR ) = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
(开关) 。
( *)的电压范围为3.3V
±
0.3V
(**) Voltagerange是5V
±
0.5V
模拟开关特性
( GND = 0 V ,T
A
= 25
o
C)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
V
IN
(VP -P )
2.75
4
调整F
I N
电压获取0dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率,直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50
,
C
L
= 10pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2.
调整F
IN
电压获取0dBm的在V
IS
R
L
= 600
, C
L
= 50pF的,女
IN
= 1MHz的正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50pF的,女
IN
= 1MHz的方波
t
r
= t
f
= 6纳秒
试验共nditi上
价值
取消它
正弦波失真
( THD )
f
最大
频率响应
(开关)
穿心
衰减
(开关OFF)
串扰(控制
输入到信号输出)
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
f
IN
= 1千赫
R
L
= 10K
C
L
= 50 pF的
0.04
0.04
150
180
-60
-60
60
60
%
兆赫
dB
mV
4/9
74V1G66
开关特性测试电路
t
PLZ
, t
PHZ
, t
PZL
, t
PZH
.
穿心衰减
带宽衰减
C
我-O
C
I / O
最大控制频率
GND (V
SS
)
串扰(控制输出)
5/9
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联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
74V1G66C-TR
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全新原装正品/质量有保证
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