74HC1G86 ; 74HCT1G86
2输入异或门
启示录04 - 2007年7月20日
产品数据表
1.概述
74HC1G86和74HCT1G86是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
2输入异或功能。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
标准输出电流一半的74HC / HCT86的。
2.特点
I
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC1G86GW
74HCT1G86GW
74HC1G86GV
74HCT1G86GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HH
TH
H86
T86
类型编号
74HC1G86GW
74HCT1G86GW
74HC1G86GV
74HCT1G86GV
恩智浦半导体
74HC1G86 ; 74HCT1G86
2输入异或门
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC1G86
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT1G86
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
74HC_HCT1G86_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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