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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第118页 > 74AHCT2G32DC
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
牧师02 - 二○○九年一月二十零日
产品数据表
1.概述
该74AHC2G32 ; 74AHCT2G32是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC2G32 ; 74AHCT2G32提供了两个2输入或门。
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74AHC2G32DP
74AHCT2G32DP
74AHC2G32DC
74AHCT2G32DC
74AHC2G32GD
74AHCT2G32GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
VERSION
塑料薄小外形封装; 8线索;身体SOT505-2
宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
类型编号
恩智浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
4.标记
表2中。
记号
标识代码
A32
C32
A32
C32
A32
C32
类型编号
74AHC2G32DP
74AHCT2G32DP
74AHC2G32DC
74AHCT2G32DC
74AHC2G32GD
74AHCT2G32GD
5.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
B
2Y
3
5
6
A
mna733
mna734
mna166
1
7
1
3
Y
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图( 1门)
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC2G32
74AHCT2G32
74AHC2G32
74AHCT2G32
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aaj504
1A
1B
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
GND
2Y
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
001aaj505
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 ( TSSOP8 )和
SOT765-1 ( VSSOP8 )
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 ( XSON8U )
74AHC_AHCT2G32_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二○○九年一月二十零日
2 13
恩智浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
数据输入
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装: 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包: 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT2G32_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二○○九年一月二十零日
3 13
恩智浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
2.0
0
0
40
-
-
74AHC2G32
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT2G32
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
74AHC2G32
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OH
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
4.5
-
-
0
0
0
-
-
-
-
1.5
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
74AHC_AHCT2G32_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二○○九年一月二十零日
4 13
恩智浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
74AHCT2G32
V
IH
V
IL
V
OH
高位
输入电压
低电平
输入电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
2.0
-
-
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
=
50 A
I
O
=
8.0
mA
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
= 50
A
I
O
= 8.0毫安
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
4.4
3.94
-
-
-
-
-
4.5
-
0
-
-
-
-
-
-
0.1
0.36
0.1
1.0
1.35
4.4
3.8
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.44
1.0
10
1.5
4.4
3.70
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.55
2.0
40
1.5
V
V
V
V
A
A
mA
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
另外
每个输入引脚; V
I
= 3.4 V;
电源电流等输入在V
CC
或GND ;
I
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
输入
电容
C
I
-
1.5
10
-
10
-
10
pF
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;测试电路见
图7 。
符号参数
74AHC2G32
t
pd
传播
延迟
呐, NB到纽约;看
图6
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
每个缓冲区;
耗散
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1 MHz的;
电容V
I
= GND到V
CC
[4]
[3]
[1]
[2]
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
-
-
-
-
-
4.4
6.3
3.2
4.6
16
7.9
11.4
5.5
7.5
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
9.5
13.0
6.5
8.5
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
10.0
14.5
7.0
9.5
-
ns
ns
ns
ns
pF
74AHC_AHCT2G32_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二○○九年一月二十零日
5 13
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
版本01 - 2004年2月23日
产品数据表
1.概述
该74AHC2G / AHCT2G32是一个高速硅栅CMOS器件。该器件提供
两个2输入或门。
2.特点
s
对称的输出阻抗
s
高噪声抗扰度
s
ESD保护:
x
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM EIA / JESD22- C101超过1000 V.
s
低功耗
s
平衡传输延迟
s
SOT505-2和SOT765-1包
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C.
3.快速参考数据
表1:
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
℃;吨
r
= t
f
3.0纳秒。
符号
t
PHL
, t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
NA和NB到NY
输入电容
功耗
电容
传播延迟
NA和NB到NY
输入电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
f
i
= 1兆赫
[1] [2]
条件
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
C
L
= 50 pF的;
f
i
= 1兆赫
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
[1] [2]
-
-
-
典型值
3.2
1.5
16
最大
5.5
10
-
单位
ns
pF
pF
键入74AHC2G
键入74AHCT2G
t
PHL
, t
PLH
C
I
C
PD
[1]
-
-
-
3.3
1.5
17
6.9
10
-
ns
pF
pF
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
飞利浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
4.订购信息
表2:
订购信息
温度范围名称
74AHC2G32DP
74AHCT2G32DP
74AHC2G32DC
74AHCT2G32DC
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP8
TSSOP8
VSSOP8
VSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常紧缩小型封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常紧缩小型封装; 8线索;
体宽2.3毫米
VERSION
SOT505-2
SOT505-2
SOT765-1
SOT765-1
类型编号
5.打标
表3:
记号
标识代码
A32
C32
A32
C32
类型编号
74AHC2G32DP
74AHCT2G32DP
74AHC2G32DC
74AHCT2G32DC
6.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
5
6
mna733
mna734
1
7
2Y
3
1
3
看图1,功能图。
图2. IEC逻辑符号。
9397 750 12532
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年2月23日
2 16
飞利浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
B
Y
A
mna166
图3.逻辑图(逻辑驱动器) 。
7.管脚信息
7.1钢钉
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
mna732
8
V
CC
1Y
2B
2A
32
7
6
5
图4.引脚CON组fi guration 。
7.2引脚说明
表4:
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚说明
符号
1A
1B
2Y
GND
2A
2B
1Y
V
CC
描述
数据输入
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
9397 750 12532
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年2月23日
3 16
飞利浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
8.功能描述
8.1功能表
表5:
输入
nA
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
9.极限值
表6:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考
GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
参数
电源电压
输入电压
条件
0.5
0.5
-
[1]
最大
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
输入二极管电流V
I
& LT ;
0.5
V
输出二极管
当前
输出源或
灌电流
V
CC
或GND
当前
存储
温度
功耗
T
AMB
= 40 °C
+125
°C
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& GT ;
0.5
V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
-
-
-
65
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
10.推荐工作条件
表7:
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
推荐工作操作
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
SEE
第11节
第12节
每个器件
条件
2.0
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
键入74AHC2G
9397 750 12532
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版本01 - 2004年2月23日
4 16
飞利浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
表7:
符号
t
r
, t
f
推荐工作操作
- 续
参数
输入兴衰
条件
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
-
-
4.5
0
0
SEE
第11节
第12节
每个器件
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
40
-
典型值
-
-
5.0
-
-
+25
-
最大
100
20
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
NS / V
NS / V
V
V
V
°C
NS / V
键入74AHCT2G
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
11.静态特性
表8:
静态特性键入74AHC2G32
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
LI
I
CC
C
I
输入漏电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
1.5
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
V
V
V
V
V
V
参数
条件
典型值
最大
单位
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5 16
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数量
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