飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
2输入与非门
牧师06 - 二零零七年五月三十○日
产品数据表
1.概述
74AHC1G00和74AHCT1G00是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
二输入NAND功能。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC1G00GW
74AHCT1G00GW
74AHC1G00GV
74AHCT1G00GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
2输入与非门
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
74AHC1G00
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT1G00
民
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
74AHC_AHCT1G00_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 二零零七年五月三十○日
3 11
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
描述
该74AHC1G / AHCT1G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.5
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
18
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与非门
推荐工作条件
74AHC1G00 ; 74AHCT1G00
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
5
